本發(fā)明涉及一種修整器的制造方法，尤指一種組合式之大鉆石單晶化學機械研磨修整器的制造方法。

背景技術：

在半導體工業(yè)中，特別在目前線寬越來越小的發(fā)展趨勢下，晶圓表面的平坦化步驟更為關鍵，目前高階制程已全面使用化學機械研磨技術來達到全面平坦化效果。

但在化學機械研磨制程中因為拋光墊會不斷的和晶圓產(chǎn)生摩擦，使得拋光墊上的溝紋逐漸消失，且化學機械研磨制程中產(chǎn)生的切削、反應生成物等都會漸漸積存在拋光墊表面的細微溝槽中，容易造成拋光墊鈍化、堵塞，導致拋光墊表面劣化，容易對晶圓產(chǎn)生缺陷，因此，研磨墊修整器(pad dresser)遂成為化學機械研磨(CMP)制程維持晶圓平坦性、均勻性的關鍵，用以適度的修整拋光墊，好讓拋光墊可以恢復原本的表面特性。

技術實現(xiàn)要素：

為了達成上述目的，本發(fā)明提供一種組合式之大鉆石單晶化學機械研磨修整器的制造方法，其特征在于包含以下步驟：

提供一大基板，該大基板具有復數(shù)個容置槽，該容置槽中設置有一海棉以及一滲入該海棉的樹脂材料；

將復數(shù)個研磨單元設置于該容置槽中，該研磨單元分別包括一小基板以及復數(shù)個固定于該小基板上的大鉆石研磨顆粒，其中，該大鉆石研磨顆粒具有一不小于300微米的粒徑；

以一剛性模板抵壓該大鉆石研磨顆粒；以及

硬化該樹脂材料，使該樹脂材料黏著該研磨單元而將該研磨單元固定于該大基板上。

因此，相較于習知技術的化學機械研磨墊修整器，本發(fā)明采用了粒徑不小于300微米的大鉆石研磨顆粒，在修整研磨墊時，將相較于習知粒徑較小的鉆石研磨顆粒的修整器具有更好的修整性能；且本發(fā)明利用該海棉調(diào)整該研磨單元的高度，而使該研磨單元上的大鉆石研磨顆粒的尖點高度一致性得以提升。

附圖說明

圖1至圖4為本發(fā)明一實施例的制造流程示意圖；

其中，10、大基板；11、容置槽；12、海綿；13、樹脂材料；14、上表面；20、研磨單元；21、小基板；22、大鉆石研磨顆粒；30、剛性模板；31、抵壓面。

具體實施方式

于下文中，將搭配圖式詳細說明本發(fā)明。

請參考圖1，本發(fā)明為一種制造具有大鉆石單晶的化學機械研磨墊修整器之方法，包括以下步驟：

步驟S1：請參閱圖1，先提供一大基板10，該大基板10具有復數(shù)個容置槽11，將復數(shù)個海棉12分別放置于該大基板10的容置槽11，接著如圖2所示，將一樹脂材料13滲入該海棉12，于本發(fā)明之一實施例中，該樹脂材料13為環(huán)氧樹脂或酚醛樹脂。

步驟S2：請參閱圖3，將復數(shù)個研磨單元20分別設置于該容置槽11中，該研磨單元20分別包括一小基板21以及復數(shù)個固定于該小基板21上的大鉆石研磨顆粒22，其中，該大鉆石研磨顆粒22具有一不小于300微米的粒徑。

步驟S3：請繼續(xù)參閱圖3，以一剛性模板30的一抵壓面31抵壓該大鉆石研磨顆粒22，使該大鉆石研磨顆粒22的突出高度可更趨一致，如圖3所示，不同的該研磨單元20的該大鉆石研磨顆粒22之間在未以該剛性模板30抵壓前，系具有一高度差D，但在以該剛性模板30抵壓后，該高度差D將減低或消失。

步驟S4：請參閱圖4，硬化該樹脂材料13，使該樹脂材料13黏著該研磨單元20而固定于該大基板10上。因在硬化前，系進行了步驟S3讓該小基板21上的該大鉆石研磨顆粒22的高度更為平坦，故硬化后各個該大鉆石研磨顆粒22相距該大基板10之一上表面14的突出高度差異可縮小，以達高平坦化。

于本發(fā)明之一實施例中，該大鉆石研磨顆粒22的粒徑不小于500微米；于本發(fā)明之另一實施例中，該大鉆石研磨顆粒22的粒徑介于500微米至800微米之間。且，該研磨單元20覆蓋該大基板10之面積占該大基板10一表面總面積的40％以下。該研磨單元20根據(jù)一圖案排列于該大基板10上，該圖案可為單圈、雙圈、多圈、放射狀、螺旋狀或其組合。

本發(fā)明系利用該海棉12之一壓縮性調(diào)整該研磨單元20之大鉆石研磨顆粒22的突出高度，即該大鉆石研磨顆粒22的尖端至該上表面14的距離。于一實施例中，最高的該研磨單元20中的大鉆石研磨顆粒22的尖點與次高的該研磨單元20中的大鉆石研磨顆粒22的尖點的高度差小于20微米，最高的該研磨單元20系指全部的大鉆石研磨顆粒22中，最高者所處的該研磨單元20，次高的該研磨單元20系指全部的大鉆石研磨顆粒22中，次高者所處的該研磨單元20，然此處的該研磨單元20系與最高的該研磨單元20為相異者。

于另一實施例中，單一研磨單元20中的大鉆石研磨顆粒22的第一高的尖點與第十高的尖點之高度差小于20微米，于又一實施例中，單一研磨單元20中的大鉆石研磨顆粒22的第一高的尖點與第一百高的尖點之高度差小于40微米。

綜上所述，相較于習知技術的化學機械研磨墊修整器，本發(fā)明采用了粒徑不小于300微米的大鉆石研磨顆粒，在修整研磨墊時，將相較于習知粒徑較小的鉆石研磨顆粒的修整器具有更好的修整性能；且本發(fā)明利用該海棉調(diào)整該研磨單元的高度，而使該研磨單元上的大鉆石研磨顆粒的尖點高度一致性得以提升。

上述實施例僅為了方便說明而舉例而已，本發(fā)明所主張的權利范圍自應以權利要求所述為準，而非僅限于上述實施例。