技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本申請公開了一種Ni?Ti薄膜及其制作方法、MEMS驅(qū)動(dòng)器，該方法利用高真空直流磁控濺射系統(tǒng)共濺射法制備Ni?Ti薄膜，其厚度可精確控制在60～1000nm之間，該薄膜具有B2?R單步馬氏體相變特征，相變溫度滯后僅有1～4K。通過結(jié)構(gòu)調(diào)制，本發(fā)明窄滯后、亞微米級形狀記憶合金薄膜的馬氏體相變溫度(Af)可以在控制在?123～22℃，可以滿足驅(qū)動(dòng)器在不同使用條件下的高工作頻率要求。

技術(shù)研發(fā)人員：潘冠軍
受保護(hù)的技術(shù)使用者：海安南京大學(xué)高新技術(shù)研究院;南京大學(xué);南通南京大學(xué)材料工程技術(shù)研究院
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.21
技術(shù)公布日：2017.07.07