本發(fā)明涉及射頻信號(hào)引入結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備的射頻信號(hào)引入結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的制作方法，是在沉積室利用輝光放電使其電離后在襯底上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)沉積的半導(dǎo)體薄膜材料制備和其他材料薄膜的制備方法。等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積是：在化學(xué)氣相沉積中，激發(fā)氣體，使其產(chǎn)生低溫等離子體，增強(qiáng)反應(yīng)物質(zhì)的化學(xué)活性，從而進(jìn)行外延的一種方法。該方法可在較低溫度下形成固體膜。例如在一個(gè)反應(yīng)室內(nèi)將基體材料置于陰極上，通入反應(yīng)氣體至較低氣壓(1～600pa)，基體保持一定溫度，以某種方式產(chǎn)生輝光放電，基體表面附近氣體電離，反應(yīng)氣體得到活化，同時(shí)基體表面產(chǎn)生陰極濺射，從而提高了表面活性。在表面上不僅存在著通常的熱化學(xué)反應(yīng)，還存在著復(fù)雜的等離子體化學(xué)反應(yīng)。沉積膜就是在這兩種化學(xué)反應(yīng)的共同作用下形成的。

為了在現(xiàn)有的技術(shù)條件下，在現(xiàn)有的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(pecvd)設(shè)備中，為了增強(qiáng)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積速度，采用射頻激發(fā)的激發(fā)輝光放電的方法，但是在現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)于采用射頻激發(fā)的激發(fā)輝光放電的方法的過程中，常導(dǎo)致在射頻激發(fā)的過程中由于射頻信號(hào)在引入的過程中，在引入的結(jié)構(gòu)上的缺陷，常造成在射頻信號(hào)與外部的殼體、法蘭等部件在密封不良的狀態(tài)下工作，使得射頻信號(hào)無(wú)法真正到達(dá)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(pecvd)設(shè)備的腔室內(nèi)，造成射頻信號(hào)引入失效。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是根據(jù)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足之處，本發(fā)明目的實(shí)現(xiàn)一種等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備的射頻信號(hào)引入結(jié)構(gòu)，包括雙層水冷腔體、同軸電纜接頭、屏蔽罩，所述的屏蔽罩設(shè)置在雙層水冷腔體的上方；所述的同軸電纜接頭設(shè)置在屏蔽罩上，其特征在于，在所述的屏蔽罩與雙層水冷腔體之間設(shè)置一焊接法蘭；在焊接法蘭的上方設(shè)置第一絕緣法蘭；在所述的第一絕緣法蘭上方設(shè)置一接線法蘭，在所述的接線法蘭上中心設(shè)置一中心圓孔，在所述的中心圓孔的上方開設(shè)一凹槽，在所述的中心圓孔中設(shè)置一進(jìn)氣管；在所述的進(jìn)氣管兩側(cè)各設(shè)置一電刷；所述的電刷設(shè)置在所述的凹槽內(nèi)；所述的電刷的一端抵住進(jìn)氣管的外側(cè)；所述的電刷的另一端抵住凹槽的兩側(cè)；所述的進(jìn)氣管向下依次穿過第一絕緣法蘭、焊接法蘭和雙層水冷腔體；在進(jìn)氣管與所述的第一絕緣法蘭、焊接法蘭和雙層水冷腔體之間設(shè)置一絕緣套。

進(jìn)一步所述的接線法蘭的上方設(shè)置第二絕緣法蘭。

進(jìn)一步在所述的第二絕緣法蘭的上方設(shè)置一進(jìn)氣法蘭。

進(jìn)一步在所述的第二絕緣法蘭與進(jìn)氣法蘭之間設(shè)置第一密封圈。

進(jìn)一步在所述的第二絕緣法蘭的下方，在接線法蘭的上方設(shè)置第二密封圈；在接線法蘭的下方；與第一絕緣法蘭之間設(shè)置第三密封圈。

進(jìn)一步在所述的第一絕緣法蘭的下方；在焊接法蘭上設(shè)置第四密封圈。

進(jìn)一步所述的焊接法蘭上設(shè)置螺紋孔，與雙層水冷腔體進(jìn)行螺紋連接。

進(jìn)一步在所述的屏蔽罩內(nèi)部分別設(shè)置第一絕緣法蘭、接線法蘭、第二絕緣法蘭、進(jìn)氣法蘭；并通過螺栓連接將第一絕緣法蘭、接線法蘭、第二絕緣法蘭、進(jìn)氣法蘭固定在焊接法蘭上。

本發(fā)明專利的技術(shù)效果主要在于，采用上述的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備的射頻信號(hào)引入結(jié)構(gòu)，解決了在射頻信號(hào)引入的過程中，射頻信號(hào)在與法蘭、殼體等部件接觸而造成失效的技術(shù)問題。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的整體示意圖；

圖2是本發(fā)明的全剖示意圖；

圖3是本發(fā)明的局部的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明的接線法蘭的示意圖；

圖5是本發(fā)明的接線法蘭的全剖示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

在結(jié)合實(shí)施例中，在附圖1所示，在本實(shí)施例中公開了一種等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備的射頻信號(hào)引入結(jié)構(gòu)，包括雙層水冷腔體1、同軸電纜接頭2、屏蔽罩3，將屏蔽罩3設(shè)置在雙層水冷腔體1的上方；將同軸電纜接頭2設(shè)置在屏蔽罩3上，這是整體的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備的射頻信號(hào)引入結(jié)構(gòu)的整體圖；

結(jié)合附圖2、附圖3、附圖4、附圖5所示，結(jié)合在屏蔽罩3與雙層水冷腔體1之間設(shè)置一焊接法蘭4；在焊接法蘭4的上方設(shè)置第一絕緣法蘭5；在第一絕緣法蘭5上方設(shè)置一接線法蘭6，在接線法蘭6上中心設(shè)置一中心圓孔61，在中心圓孔61的上方開設(shè)一凹槽62，在中心圓孔61中設(shè)置一進(jìn)氣管11；在進(jìn)氣管11兩側(cè)各設(shè)置一電刷9；電刷9設(shè)置在凹槽62內(nèi)；電刷9的一端抵住進(jìn)氣管11的外側(cè)；電刷9的另一端抵住凹槽62的兩側(cè)；進(jìn)氣管11向下依次穿過第一絕緣法蘭5、焊接法蘭6和雙層水冷腔體1；在進(jìn)氣管11與第一絕緣法蘭5、焊接法蘭6和雙層水冷腔體1之間設(shè)置一絕緣套10。這樣形成了等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備的射頻信號(hào)引入結(jié)構(gòu)的主要的結(jié)構(gòu)，解決了在射頻信號(hào)引入的過程中，射頻信號(hào)在與法蘭、殼體等部件接觸而造成失效的技術(shù)問題。解決了在射頻信號(hào)直接引入等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備的腔室的結(jié)構(gòu)。

結(jié)合附圖3所示，接線法蘭6的上方設(shè)置第二絕緣法蘭7，這樣的結(jié)構(gòu)保證在接線法蘭6和第二絕緣法蘭7之間的絕緣，保證射頻信號(hào)在引入的過程中，密封住接線法蘭6的上的凹槽62以及電刷9等結(jié)構(gòu)。

再結(jié)合附圖3所示，為了進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)射頻信號(hào)引入的結(jié)構(gòu)，在第二絕緣法蘭7的上方設(shè)置一進(jìn)氣法蘭8；利用進(jìn)氣法蘭8上與進(jìn)氣管11相連接，實(shí)現(xiàn)反應(yīng)氣體的通入。

為了保證在等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備的射頻信號(hào)引入結(jié)構(gòu)中的整體實(shí)現(xiàn)，在實(shí)施例中優(yōu)選的設(shè)置，結(jié)合附圖3所示，在第二絕緣法蘭7與進(jìn)氣法蘭8之間設(shè)置第一密封圈81。在第二絕緣法蘭7的下方，在接線法蘭6的上方設(shè)置第二密封圈63；在接線法蘭6的下方；與第一絕緣法蘭5之間設(shè)置第三密封圈64；在第一絕緣法蘭5的下方；在焊接法蘭4上設(shè)置第四密封圈41。

為了實(shí)現(xiàn)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備的射頻信號(hào)引入結(jié)構(gòu)的固定在雙層水冷腔體1，結(jié)合附圖3所示，在焊接法蘭4上設(shè)置螺紋孔42，與雙層水冷腔體1進(jìn)行螺紋連接；在屏蔽罩3內(nèi)部分別設(shè)置第一絕緣法蘭5、接線法蘭6、第二絕緣法蘭7、進(jìn)氣法蘭8；并通過螺栓連接將第一絕緣法蘭5、接線法蘭6、第二絕緣法蘭7、進(jìn)氣法蘭8固定在焊接法蘭4上。

作為本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯然本發(fā)明不限于上述示范性實(shí)施例的細(xì)節(jié)，而且在不背離本發(fā)明的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實(shí)現(xiàn)本發(fā)明，也是本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，無(wú)論從哪一點(diǎn)來看，均應(yīng)將實(shí)施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求而不是上述說明限定，因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本發(fā)明內(nèi)。不應(yīng)將權(quán)利要求中的任何附圖標(biāo)記視為限制所涉及的權(quán)利要求。

此外，應(yīng)當(dāng)理解，雖然本說明書按照實(shí)施方式加以描述，但并非每個(gè)實(shí)施方式僅包含一個(gè)獨(dú)立的技術(shù)方案，說明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)將說明書作為一個(gè)整體，各實(shí)施例中的技術(shù)方案也可以經(jīng)適當(dāng)組合，形成本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的其他實(shí)施方式。