本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種MOCVD真空烤盤爐。

背景技術(shù)：

MOCVD(Metal-organic Chemical Vapor Deposition)即金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積，是制備化合物半導(dǎo)體薄膜的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。MOCVD設(shè)備是研發(fā)世界先進(jìn)水平的S、C、X、K和Q等波段的氮化鎵大功率電子器件和高壓大功率固體開(kāi)關(guān)器件、高端激光器件及效率可達(dá)40％以上的太陽(yáng)電池等光電子器件不可或缺的。它利用較易揮發(fā)的有機(jī)物作為較難揮發(fā)的金屬原子的源反應(yīng)物，通過(guò)載氣攜帶到反應(yīng)器內(nèi)，在適當(dāng)?shù)臍鈮?、溫度等條件發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，在加熱的襯底基片上外延生長(zhǎng)出薄膜；而現(xiàn)有的真空烤盤爐加熱不夠均勻，另外真空烤盤爐內(nèi)部的密封性也比較差，另外整體的安全性也比較差。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的就在于為了解決上述問(wèn)題而提供一種MOCVD真空烤盤爐，解決了現(xiàn)有的真空烤盤爐加熱不夠均勻，另外真空烤盤爐內(nèi)部的密封性也比較差，另外整體的安全性也比較差的問(wèn)題。

為了解決上述問(wèn)題，本實(shí)用新型提供了一種技術(shù)方案：一種MOCVD真空烤盤爐，包括烤盤爐殼體、真空系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng)、氣源系統(tǒng)和上蓋，所述真空系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng)和氣源系統(tǒng)分別與烤盤爐殼體內(nèi)部相連接，所述上蓋固定連接在烤盤爐殼體頂部，其創(chuàng)新點(diǎn)在于：還包括輔助加熱器一、側(cè)蓋體、輔助加熱器二、基盤、加熱裝置、隔熱座、隔熱層、旋轉(zhuǎn)座、外錐面、內(nèi)錐面、連接軸、防護(hù)層和電機(jī)；所述輔助加熱器一位于烤盤爐殼體內(nèi)部頂部，所述輔助加熱器一固定連接在上蓋底面上；所述輔助加熱器二固定連接在烤盤爐殼體內(nèi)部側(cè)壁上；所述側(cè)蓋體設(shè)在烤盤爐殼體側(cè)面；所述隔熱層固定連接在烤盤爐殼體下側(cè)內(nèi)部頂面上，所述隔熱層底面中央固定連接有電機(jī)；所述電機(jī)上側(cè)輸出軸與旋轉(zhuǎn)座下側(cè)中央固定連接；所述旋轉(zhuǎn)座活動(dòng)連接在烤盤爐殼體內(nèi)部下側(cè)中央，所述旋轉(zhuǎn)座頂部固定連接有連接軸，所述旋轉(zhuǎn)座下側(cè)外部設(shè)有外錐面；所述外錐面與內(nèi)錐面相連接；所述內(nèi)錐面設(shè)在烤盤爐殼體下側(cè)內(nèi)部頂面中央；所述基盤位于烤盤爐殼體內(nèi)部下側(cè)，所述基盤底部中央固定連接在連接軸頂部；所述加熱裝置位于基盤下側(cè)，所述加熱裝置底部固定連接在隔熱座上面；所述隔熱座固定連接在烤盤爐殼體內(nèi)部底面上；所述防護(hù)層設(shè)在烤盤爐殼體外部表面上。

作為優(yōu)選，所述加熱裝置具體包括電熱絲一、電極柱一、電熱絲二、電極柱二和殼體；所述殼體內(nèi)部呈扇形設(shè)有電熱絲一和電熱絲二；所述電熱絲一兩端分別固定連接有電極柱一；所述電熱絲二兩端分別固定連接有電極柱二；所述電極柱一和電極柱二均固定連接在殼體側(cè)面。

作為優(yōu)選，所述電機(jī)為直流減速電機(jī)。

作為優(yōu)選，所述防護(hù)層由隔熱防火材料制成。

本實(shí)用新型的有益效果：本實(shí)用新型具有結(jié)構(gòu)合理簡(jiǎn)單、生產(chǎn)成本低、安裝方便，功能齊全，本實(shí)用新型中設(shè)置的輔助加熱器一和輔助加熱器二，能夠有效的對(duì)基盤上面的空間進(jìn)行加熱，另外電熱絲一和電熱絲二呈扇形排列，使得整體的加熱更加均勻，另外設(shè)置的外錐面和內(nèi)錐面，能夠有效的增加旋轉(zhuǎn)座與烤盤爐殼體的接觸面積，從而使空氣很難進(jìn)入到烤盤爐殼體內(nèi)部，保證了真空烤盤爐內(nèi)部的密封性，另外設(shè)置的防護(hù)層，能夠有效的保證本烤盤爐的安全性，以及操作人員的安全性。

附圖說(shuō)明

為了易于說(shuō)明，本實(shí)用新型由下述的具體實(shí)施及附圖作以詳細(xì)描述。

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為加熱裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

1-烤盤爐殼體；2-真空系統(tǒng)；3-冷卻系統(tǒng)；4-氣源系統(tǒng)；5-上蓋；6-輔助加熱器一；7-側(cè)蓋體；8-輔助加熱器二；9-基盤；10-加熱裝置；11-隔熱座；12-隔熱層；13-旋轉(zhuǎn)座；14-外錐面；15-內(nèi)錐面；16-連接軸；17-防護(hù)層；18-電機(jī)；101-電熱絲一；102-電極柱一；103-電熱絲二；104-電極柱二；105-殼體。

具體實(shí)施方式

如圖1所示，本具體實(shí)施方式采用以下技術(shù)方案：一種MOCVD真空烤盤爐，包括烤盤爐殼體1、真空系統(tǒng)2、冷卻系統(tǒng)3、氣源系統(tǒng)4和上蓋5，所述真空系統(tǒng)2、冷卻系統(tǒng)3和氣源系統(tǒng)4分別與烤盤爐殼體1內(nèi)部相連接，所述上蓋5固定連接在烤盤爐殼體1頂部，還包括輔助加熱器一6、側(cè)蓋體7、輔助加熱器二8、基盤9、加熱裝置10、隔熱座11、隔熱層12、旋轉(zhuǎn)座13、外錐面14、內(nèi)錐面15、連接軸16、防護(hù)層17和電機(jī)18；所述輔助加熱器一6位于烤盤爐殼體1內(nèi)部頂部，所述輔助加熱器一6固定連接在上蓋5底面上；所述輔助加熱器二8固定連接在烤盤爐殼體1內(nèi)部側(cè)壁上；所述側(cè)蓋體7設(shè)在烤盤爐殼體1側(cè)面；所述隔熱層12固定連接在烤盤爐殼體1下側(cè)內(nèi)部頂面上，所述隔熱層12底面中央固定連接有電機(jī)18；所述電機(jī)18上側(cè)輸出軸與旋轉(zhuǎn)座13下側(cè)中央固定連接；所述旋轉(zhuǎn)座13活動(dòng)連接在烤盤爐殼體1內(nèi)部下側(cè)中央，所述旋轉(zhuǎn)座13頂部固定連接有連接軸16，所述旋轉(zhuǎn)座13下側(cè)外部設(shè)有外錐面14；所述外錐面14與內(nèi)錐面15相連接；所述內(nèi)錐面15設(shè)在烤盤爐殼體1下側(cè)內(nèi)部頂面中央；所述基盤9位于烤盤爐殼體1內(nèi)部下側(cè)，所述基盤9底部中央固定連接在連接軸16頂部；所述加熱裝置10位于基盤9下側(cè)，所述加熱裝置10底部固定連接在隔熱座11上面；所述隔熱座11固定連接在烤盤爐殼體1內(nèi)部底面上；所述防護(hù)層17設(shè)在烤盤爐殼體1外部表面上。

如圖2所示，所述加熱裝置10具體包括電熱絲一101、電極柱一102、電熱絲二103、電極柱二104和殼體105；所述殼體105內(nèi)部呈扇形設(shè)有電熱絲一101和電熱絲二103；所述電熱絲一101兩端分別固定連接有電極柱一102；所述電熱絲二103兩端分別固定連接有電極柱二104；所述電極柱一102和電極柱二104均固定連接在殼體105側(cè)面。

其中，所述電機(jī)18為直流減速電機(jī)；所述防護(hù)層17由隔熱防火材料制成。

本實(shí)用新型的使用狀態(tài)為：本實(shí)用新型具有結(jié)構(gòu)合理簡(jiǎn)單、生產(chǎn)成本低、安裝方便，功能齊全，本實(shí)用新型中設(shè)置的輔助加熱器一6和輔助加熱器二8，能夠有效的對(duì)基盤9上面的空間進(jìn)行加熱，另外電熱絲一101和電熱絲二103呈扇形排列，使得整體的加熱更加均勻，另外設(shè)置的外錐面14和內(nèi)錐面15，能夠有效的增加旋轉(zhuǎn)座13與烤盤爐殼體1的接觸面積，從而使空氣很難進(jìn)入到烤盤爐殼體1內(nèi)部，保證了真空烤盤爐內(nèi)部的密封性，另外設(shè)置的防護(hù)層17，能夠有效的保證本烤盤爐的安全性，以及操作人員的安全性。

以上顯示和描述了本實(shí)用新型的基本原理和主要特征和本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)，本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本實(shí)用新型不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說(shuō)明書中描述的只是說(shuō)明本實(shí)用新型的原理，在不脫離本實(shí)用新型精神和范圍的前提下，本實(shí)用新型還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本實(shí)用新型范圍內(nèi)，本實(shí)用新型要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。