本實用新型涉及化工反應設備技術領域，尤其是一種化學氣相沉積陶瓷保護膜反應裝置。

背景技術：

化學氣相沉積是一種制備材料的氣相生長方法，它是把一種或幾種含有構成薄膜元素的化合物、單質氣體通入放置有基材的反應室，借助空間氣相化學反應在基體表面上沉積固態(tài)薄膜的工藝技術，化學氣相沉積陶瓷保護膜是化學反應產生沉積的原理，這是機理性的東西,CVD法是在高溫條件下分解含有C元素的原料氣體,生成碳原子,甲基原子團等活性粒子,并在合適的工藝條件下,在基底材料上沉積出保護層的方法，由于甲基原子團具有金剛石結構,而其懸掛鍵又被大量的氫原子所飽和,因此陶瓷膜表面就保持了穩(wěn)定的sp3雜化結構,即金剛石的四面體結構，若其上沉積新的碳原子,就可能與其鍵合形成sp3雜化鍵,從而形成金剛石晶體,如此循環(huán)反復即可得到陶瓷保護膜，現有的技術中，陶瓷保護膜制作工序繁瑣，無法控制反應氣體的密度。

技術實現要素：

本實用新型的目的是為了解決現有技術中無法控制反應氣體的密度的缺點，而提出的一種化學氣相沉積陶瓷保護膜反應裝置。

為了實現上述目的，本實用新型采用了如下技術方案：

設計一種化學氣相沉積陶瓷保護膜反應裝置，包括CH₄儲存罐、H₂儲存罐、蒸發(fā)器、CVD反應室和真空抽氣泵,所述CH₄儲存罐和所述H₂儲存罐上均連接有支管，所述支管上均安裝有閥門，所述支管上且位于所述閥門的上方均設有流量計，所述支管另一端均連接有主管道，所述主管道上設有壓力表和氣體檢測儀，所述檢測儀底部通過軟管分別與所述流量計連接，所述主管道另一端連接有所述蒸發(fā)器，所述述蒸發(fā)器上通過設有的出氣管道連接有所述CVD反應室，所述CVD反應室兩側均設有高溫爐，所述CVD反應室底端通過抽氣管道連接有真空抽氣泵，所述抽氣管道上設有所述壓力表。

作為本實用新型的一種優(yōu)選技術方案，所述蒸發(fā)器內壁涂有酚醛樹脂漆。

作為本實用新型的一種優(yōu)選技術方案，所述高溫爐內部安裝有耐高溫溫度感應器，且所述耐高溫溫度感應器與所述高溫爐外壁上的顯示器電性連接。

作為本實用新型的一種優(yōu)選技術方案，所述抽氣管道上設有所述壓力表。

作為本實用新型的一種優(yōu)選技術方案，所述出氣管道上設有單向閥。

本實用新型提出的一種化學氣相沉積陶瓷保護膜反應裝置，有益效果在于：在中溫或高溫下，通過氣態(tài)的初始化合物之間的氣相化學反應而形成固體物質沉積在基體上，使沉積更加穩(wěn)定，不易受到外部環(huán)境影響；通過真空條件下進行沉積，涂層的化學成分隨氣相組成的改變而變化，從而提高獲得沉積物效率，通過流量計控制反應氣體流量，從而更好的控制涂層的密度，通過調節(jié)反應室內的真空壓力從而有效控制涂層純度。

附圖說明

圖1是本實用新型的結構示意圖；

圖2是本實用新型的檢測儀示意圖；

圖3是本實用新型的CVD反應室結構示意圖。

圖中：1、CH₄儲存罐；2、H₂儲存罐；3、蒸發(fā)器；4、CVD反應室；5、真空抽氣泵；6、支管；7、閥門；8、流量計；9、壓力表；10、單向閥；11、高溫爐；12、抽氣管道；13、主管道；14、出氣管道；15、氣體檢測儀；16、溫度感應器；17、顯示器。

具體實施方式

下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。

參照圖1-3，一種化學氣相沉積陶瓷保護膜反應裝置，包括CH₄儲存罐1、H₂儲存罐2、蒸發(fā)器3、CVD反應室4和真空抽氣泵5,CH₄儲存罐1和H₂儲存罐2上均連接有支管6，支管6上均安裝有閥門7，支管6上且位于閥門7的上方均設有流量計8，支管6另一端均連接有主管道13，主管道13上設有壓力表9和氣體檢測儀15，檢測儀15底部通過軟管分別與流量計8連接，主管道13另一端連接有蒸發(fā)器3，述蒸發(fā)器3上通過設有的出氣管道14連接有CVD反應室4，CVD反應室4兩側均設有高溫爐11，CVD反應室4底端通過抽氣管道12連接有真空抽氣泵5，抽氣管道12上設有壓力表9。

蒸發(fā)器3內壁涂有酚醛樹脂漆，防止蒸發(fā)器被反應氣體腐蝕，高溫爐11內部安裝有耐高溫溫度感應器16，且耐高溫溫度感應器16與高溫爐11外壁上的顯示器17電性連接，可直接提供高溫爐產生的溫度，便于根據需求提高或者降低溫度，抽氣管道12上設有壓力表9，便于觀察CVD反應室4內的壓力，出氣管道14上設有單向閥10，防止氣體倒流。

具體的，本實用新型使用時，將陶瓷放入CVD反應室4內的沉積臺面上，打開真空抽氣泵5，調節(jié)抽氣管道12上設有壓力表9壓力表，對CVD反應室4進行真空抽取，通過顯示屏17觀察高溫爐11提供的熱量溫度，然后分別打開支管6上的閥門7，CH₄和H₂通過支管6依次通過流量器8流向氣體檢測儀15，此時通過氣體檢測儀15設定CH₄和H₂的密度，當CH₄的密度高時，流量器8就會通過內部設有的閥門7減小CH₄的流量；當CH₄的密度低時，流量器8就會通過內部設有的閥門7加大CH₄的流量；當氣體通過壓力表9的時候，壓力表9上顯示混合氣體的壓力；當壓力過大時，將支管6上的閥門7調小；當壓力過小時，將支管6上的閥門7調大，然后打開主管道13底部的閥門7，混合氣體通過閥門7流向蒸發(fā)器3內，然后蒸發(fā)處的甲基通過出氣管道14流向CVD反應室4對陶瓷表面進行沉積。

以上所述，僅為本實用新型較佳的具體實施方式，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本實用新型揭露的技術范圍內，根據本實用新型的技術方案及其實用新型構思加以等同替換或改變，都應涵蓋在本實用新型的保護范圍之內。