本實用新型涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域；具體涉及一種半導(dǎo)體沉積設(shè)備。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體技術(shù)是指半導(dǎo)體加工的各種技術(shù)，包括晶圓的生長技術(shù)、薄膜沉積、光刻、刻蝕、摻雜和工藝整合等技術(shù)。沉積技術(shù)是半導(dǎo)體制程工藝中的一個非常重要的技術(shù)。其中，化學(xué)氣相沉積(CVD)是半導(dǎo)體工業(yè)中應(yīng)用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術(shù)，其可用于沉積大范圍的絕緣材料、大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料。從理論上來說，化學(xué)氣相沉積法時將兩種或兩種以上的氣態(tài)原材料導(dǎo)入到一個反應(yīng)室內(nèi)，然后他們相互之間發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成一種新的材料，沉積到晶片表面上?；瘜W(xué)氣相沉積包括常壓化學(xué)氣相沉積、等離子體輔助化學(xué)沉積、激光輔助化學(xué)沉積、金屬有機(jī)化合物沉積等。

衡量沉積薄膜的質(zhì)量的一個重要參數(shù)是平整度(U％)。通常在一個沉積腔內(nèi)可同時放置若干個晶片，反應(yīng)時，為了得到均勻的薄膜，通常在每個晶片正上方都有一個噴氣頭，噴氣頭下表面設(shè)置有若干個小孔，能夠?qū)χ鶆驀姙⒎磻?yīng)氣體。然而噴氣頭與晶片之間的間距對薄膜的質(zhì)量也有很大影響，若各個晶片與其上方的噴氣頭之間的間距不一，各個晶片上得到的薄膜就會質(zhì)量不一。因此保證各個噴氣頭與晶片之間的間距一致非常重要。

現(xiàn)有技術(shù)中，通常在反應(yīng)前，在沉積腔加熱底盤上放置各個晶片的相應(yīng)位置放置若干個錫紙揉成的小球，然后降下腔蓋，使噴氣頭緊壓在錫紙球上，再升起容器蓋，測量各個被壓成餅狀的錫紙球的厚度，并根據(jù)此厚度來調(diào)節(jié)噴氣頭的位置。這種方法通常需要重復(fù)多次才能調(diào)整好間距，不僅繁瑣，精確度也不高，經(jīng)常會導(dǎo)致嚴(yán)重的人為錯誤。

因此，提供一種便于調(diào)節(jié)間距的半導(dǎo)體沉積結(jié)構(gòu)實屬必要。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型目的在于：為了解決上述背景技術(shù)中的現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，提供一種便于調(diào)節(jié)噴氣頭與晶片之間間距的沉積設(shè)備。

本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：半導(dǎo)體沉積設(shè)備，包括沉積腔蓋，所述沉積腔蓋底部設(shè)有若干噴氣組件，所述噴氣組件包括噴氣頭及自鎖氣缸，所述噴氣頭呈圓盤狀，其下表面均勻分布若干出氣孔，其上表面設(shè)有連通至出氣孔的進(jìn)氣孔，所述進(jìn)氣孔通過進(jìn)氣管連通至供氣裝置；所述自鎖氣缸通過供氣管連通至空壓機(jī)，其缸體連接至沉積腔蓋，其活塞桿的端部連接至噴氣頭的上表面；

還包括傳感器、電磁閥與信號處理器，所述傳感器為壓力傳感器/距離傳感器，所述噴氣頭下表面圓心處設(shè)有凹槽，所述傳感器設(shè)于所述凹槽內(nèi)，所述傳感器的輸出端連接至信號處理器的輸入端，所述電磁閥設(shè)于供氣管上以控制其導(dǎo)通/關(guān)閉，所述信號處理器的輸出端連接至電磁閥。

優(yōu)選地：所述傳感器為壓力傳感器，其感應(yīng)頭與噴氣頭的下表面齊平。

優(yōu)選地：所述傳感器為距離傳感器，其感應(yīng)頭與噴氣頭的下表面齊平。

優(yōu)選地：還包括電控柜，所述空壓機(jī)及信號處理器均設(shè)置在所述電控柜內(nèi)。

優(yōu)選地：所述自鎖氣缸的中軸線與沉積腔蓋下表面所在平面及噴氣頭上表面所在平面垂直。

優(yōu)選地：所述自鎖氣缸的活塞桿連接至噴氣頭上表面的圓心處。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型具有以下有益效果：

本實用新型通過氣缸驅(qū)動噴氣頭向下移動，當(dāng)壓力傳感器接觸校準(zhǔn)平板后，壓力信號傳輸至信號處理器，進(jìn)而控制電磁閥關(guān)閉，停止氣缸供氣，氣缸自動鎖止，一次性實現(xiàn)噴氣頭與晶片之間間距調(diào)節(jié)，自動化程度高，操作方便，避免人為失誤。

附圖說明

下面結(jié)合附圖和實施例對本實用新型進(jìn)一步說明。

圖1是本實用新型第一種優(yōu)選實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是圖1實施例中噴氣組件結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是圖1實施例的電氣原理框圖；

圖4是本實用新型第二種優(yōu)選實施方式的電氣原理框圖。

具體實施方式

現(xiàn)在結(jié)合附圖對本實用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。這些附圖均為簡化的示意圖，僅以示意方式說明本實用新型的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本實用新型有關(guān)的構(gòu)成。

實施例一：

如圖1、圖2及圖3所示，半導(dǎo)體沉積設(shè)備，包括沉積腔蓋1，所述沉積腔蓋1底部設(shè)有若干噴氣組件2，所述噴氣組件2包括噴氣頭21及自鎖氣缸22，所述噴氣頭21呈圓盤狀，其下表面均勻分布若干出氣孔，其上表面設(shè)有連通至出氣孔的進(jìn)氣孔，所述進(jìn)氣孔通過進(jìn)氣管3連通至供氣裝置；所述自鎖氣缸22通過供氣管4連通至空壓機(jī)5，其缸體連接至沉積腔蓋1，其活塞桿的端部連接至噴氣頭21的上表面；

還包括傳感器6、電磁閥7與信號處理器8，所述傳感器6為壓力傳感器，所述噴氣頭21下表面圓心處設(shè)有凹槽211，所述傳感器6設(shè)于所述凹槽211內(nèi)，其感應(yīng)頭與噴氣頭21的下表面齊平。所述傳感器6的輸出端連接至信號處理器8的輸入端，所述電磁閥7設(shè)于供氣管4上以控制其導(dǎo)通/關(guān)閉，所述信號處理器8的輸出端連接至電磁閥7。

調(diào)節(jié)間距時，將同規(guī)格的校準(zhǔn)平板放置在沉積腔對應(yīng)放置晶片的位置，蓋上沉積腔蓋1后，空壓機(jī)5工作為自鎖氣缸22供氣，自鎖氣缸22驅(qū)動噴氣頭21向下運動并接近校準(zhǔn)平板，當(dāng)噴氣頭21接觸到校準(zhǔn)平板時，壓力傳感器同時感應(yīng)到壓力，將壓力信號傳輸?shù)叫盘柼幚砥?，信號處理器8接收信號后隨之向電磁閥7發(fā)出控制信號將其關(guān)閉，使得空壓機(jī)5停止對自鎖氣缸22供氣，自鎖氣缸22自動鎖定，完成間距調(diào)節(jié)。打開沉積腔蓋1后，取出校準(zhǔn)平板，放入晶片，蓋上腔蓋，即可進(jìn)行沉積作業(yè)。自動化的完成間距調(diào)節(jié)作業(yè)。

優(yōu)選地：還包括電控柜9，所述空壓機(jī)5及信號處理器8均設(shè)置在所述電控柜9內(nèi)。

優(yōu)選地：所述自鎖氣缸22的中軸線與沉積腔蓋1下表面所在平面及噴氣頭21上表面所在平面垂直。

優(yōu)選地：所述自鎖氣缸22的活塞桿連接至噴氣頭21上表面的圓心處。

實施例二：

如圖1、圖2及圖4所示，

所述傳感器6為距離傳感器，其感應(yīng)頭與噴氣頭21的下表面齊平。其余同實施例一。

調(diào)節(jié)間距時，直接將晶片放入沉積腔對應(yīng)位置，蓋上沉積腔蓋1后，空壓機(jī)5工作為自鎖氣缸22供氣，自鎖氣缸22驅(qū)動噴氣頭21向下運動并接近晶片，當(dāng)噴氣頭21到達(dá)預(yù)設(shè)間距位置時，距離傳感器將信號傳輸?shù)叫盘柼幚砥?，信號處理器8接收信號后隨之向電磁閥7發(fā)出控制信號將其關(guān)閉，使得空壓機(jī)5停止對自鎖氣缸22供氣，自鎖氣缸22自動鎖定，完成間距調(diào)節(jié)。此時可直接進(jìn)行沉積作業(yè)，免去打開沉積腔蓋1，取出校準(zhǔn)平板的步驟。自動化的完成間距調(diào)節(jié)作業(yè)，相較于傳統(tǒng)方法及實施例一，都有不小的進(jìn)步。

以上述依據(jù)本實用新型的理想實施例為啟示，通過上述的說明內(nèi)容，相關(guān)工作人員完全可以在不偏離本項實用新型技術(shù)思想的范圍內(nèi)，進(jìn)行多樣的變更以及修改。本項實用新型的技術(shù)性范圍并不局限于說明書上的內(nèi)容，必須要根據(jù)權(quán)利要求范圍來確定其技術(shù)性范圍。