技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型公開了一種半導(dǎo)體沉積設(shè)備，包括沉積腔蓋，所述沉積腔蓋底部設(shè)有若干噴氣組件，所述噴氣組件包括噴氣頭及自鎖氣缸，所述自鎖氣缸缸體連接至沉積腔蓋，其活塞桿的端部連接至噴氣頭的上表面；還包括傳感器、電磁閥與信號處理器，所述傳感器為壓力傳感器/距離傳感器，所述噴氣頭下表面圓心處設(shè)有凹槽，所述傳感器設(shè)于所述凹槽內(nèi)，所述傳感器的輸出端連接至信號處理器的輸入端，所述電磁閥設(shè)于供氣管上以控制其導(dǎo)通/關(guān)閉，所述信號處理器的輸出端連接至電磁閥。本實(shí)用新型一次性實(shí)現(xiàn)噴氣頭與晶片之間間距調(diào)節(jié)，自動化程度高，操作方便，避免人為失誤。

技術(shù)研發(fā)人員：余宏
受保護(hù)的技術(shù)使用者：貴州師范學(xué)院
文檔號碼：201720394574
技術(shù)研發(fā)日：2017.04.16
技術(shù)公布日：2017.11.03