1.一種蒸鍍制備鈣鈦礦薄膜的方法,其特征在于,包括以下步驟:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,s1中,所述pbi2的蒸鍍速率為所述誘導(dǎo)劑的蒸鍍速率為
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,s1中,所述無(wú)機(jī)鹽還包含pbcl2、csi、csbr、pbbr2中的一種或多種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,s2中,所述有機(jī)鹽還包含甲胺鹽酸鹽;所述有機(jī)鹽的蒸鍍速率為
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,s2中,所述退火處理的溫度為140-170℃,時(shí)間為10-20min。
6.一種鈣鈦礦薄膜,其特征在于,由權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述制備方法制備得到。
7.一種鈣鈦礦光伏電池,其特征在于,包含權(quán)利要求6所述的鈣鈦礦薄膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的鈣鈦礦光伏電池,其特征在于,包括依次疊層設(shè)置的透明導(dǎo)電基底層、空穴傳輸層、鈣鈦礦層、電子傳輸層、空穴阻擋層以及電極層;其中,
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的鈣鈦礦光伏電池,其特征在于,所述空穴傳輸層的厚度為2-50nm;所述鈣鈦礦層的厚度為500-800nm;所述電子傳輸層的厚度為5-20nm;所述空穴阻擋層的厚度為5-15nm;所述電極層的厚度為50-200nm。
10.一種權(quán)利要求7-9任一項(xiàng)所述的鈣鈦礦光伏電池的制備方法,其特征在于,包括以下步驟: