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一種蒸鍍制備鈣鈦礦薄膜的方法及其在鈣鈦礦光伏器件中的應(yīng)用

文檔序號(hào):40634297發(fā)布日期:2025-01-10 18:40閱讀:來(lái)源:國(guó)知局

技術(shù)特征:

1.一種蒸鍍制備鈣鈦礦薄膜的方法,其特征在于,包括以下步驟:

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,s1中,所述pbi2的蒸鍍速率為所述誘導(dǎo)劑的蒸鍍速率為

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,s1中,所述無(wú)機(jī)鹽還包含pbcl2、csi、csbr、pbbr2中的一種或多種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,s2中,所述有機(jī)鹽還包含甲胺鹽酸鹽;所述有機(jī)鹽的蒸鍍速率為

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,s2中,所述退火處理的溫度為140-170℃,時(shí)間為10-20min。

6.一種鈣鈦礦薄膜,其特征在于,由權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述制備方法制備得到。

7.一種鈣鈦礦光伏電池,其特征在于,包含權(quán)利要求6所述的鈣鈦礦薄膜。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的鈣鈦礦光伏電池,其特征在于,包括依次疊層設(shè)置的透明導(dǎo)電基底層、空穴傳輸層、鈣鈦礦層、電子傳輸層、空穴阻擋層以及電極層;其中,

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的鈣鈦礦光伏電池,其特征在于,所述空穴傳輸層的厚度為2-50nm;所述鈣鈦礦層的厚度為500-800nm;所述電子傳輸層的厚度為5-20nm;所述空穴阻擋層的厚度為5-15nm;所述電極層的厚度為50-200nm。

10.一種權(quán)利要求7-9任一項(xiàng)所述的鈣鈦礦光伏電池的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:


技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種蒸鍍制備鈣鈦礦薄膜的方法及其在鈣鈦礦光伏器件中的應(yīng)用,所述方法包括以下步驟:S1、將襯底置于蒸鍍腔體內(nèi),共蒸鍍無(wú)機(jī)鹽及誘導(dǎo)劑,所述無(wú)機(jī)鹽包含碘化鉛,所述誘導(dǎo)劑選自碘化亞銅、碘甲烷、氫碘酸中的一種或多種;S2、再蒸鍍有機(jī)鹽,進(jìn)行退火處理,在襯底表面形成所述鈣鈦礦薄膜;所述有機(jī)鹽包含F(xiàn)AI。本發(fā)明通過(guò)在順序蒸鍍過(guò)程中引入誘導(dǎo)劑增加碘化鉛與FAI的強(qiáng)耦合作用,促進(jìn)二者的反應(yīng),獲得低缺陷、高結(jié)晶質(zhì)量的鈣鈦礦薄膜。本發(fā)明還提供了一種全蒸鍍制備鈣鈦礦光伏器件的方法,有利于實(shí)現(xiàn)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的工業(yè)化生產(chǎn),且制備的鈣鈦礦光伏器件具有高轉(zhuǎn)換效率及良好的穩(wěn)定性。

技術(shù)研發(fā)人員:王照奎,王凱禮
受保護(hù)的技術(shù)使用者:蘇州大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/1/9
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