與相對 于ITO的電位差Λ V之間的關(guān)系的圖。圖I(B)為示出Ni-35質(zhì)量％ Cu-x質(zhì)量％ Cr (X = 0?11)合金的Cr含量與相對于ITO的電位差Λ V之間的關(guān)系的圖。
[0055] 圖2⑷為示出Ni-x質(zhì)量％ Cu-3質(zhì)量％ Cr (X = 10?60)合金的Cu含量與相對 于Cu的電位差Λ V之間的關(guān)系的圖。圖2(B)為示出Ni-35質(zhì)量％ Cu-x質(zhì)量％ Cr(x = 0?11)合金的Cr含量與相對于Cu的電位差Λ V之間的關(guān)系的圖。
[0056] 圖3 (A)為示出Ni-x質(zhì)量％ Cu-3質(zhì)量％ Cr (X = 10?60)合金的Cu含量與蝕刻 速率差之間的關(guān)系的圖。圖3(B)為示出Ni-35質(zhì)量％ Cu-x質(zhì)量％ Cr (X = 0?11)合金 的Cr含量與蝕刻速率差之間的關(guān)系的圖。
[0057] 圖4⑷為示出Ni-x質(zhì)量％ Cu-3質(zhì)量％ Cr (X = 10?60)合金的Cu含量與剝離 率（ΙΤ0 :20nm，NiCuCr :50nm)之間的關(guān)系的圖。圖4(B)為示出Ni-35質(zhì)量％ Cu-x質(zhì)量％ Cr (X = 0?11)合金的Cr含量與剝離率（ΙΤ0 :20nm, NiCuCr :50nm)之間的關(guān)系的圖。
[0058] 圖5⑷為示出Ni-x質(zhì)量％ Cu-3質(zhì)量％ Cr (X = 10?60)合金的Cu含量與剝離 率（11'0:2〇11111，附(：11〇:20〇11111)之間的關(guān)系的圖。圖5(8)為示出附-35質(zhì)量％(：111質(zhì)量％ Cr (X = 0?11)合金的Cr含量與剝離率（ΙΤ0 :20nm, NiCuCr :200nm)之間的關(guān)系的圖。
[0059] 圖6⑷為示出Ni-x質(zhì)量％ Cu-3質(zhì)量％ Cr (X = 10?60)合金的Cu含量與剝離 率（11'0:15〇11111，附(：11〇:5〇11111)之間的關(guān)系的圖。圖6(8)為示出附-35質(zhì)量％(：111質(zhì)量％ Cr (X = 0?11)合金的Cr含量與剝離率（ΙΤ0 :150nm, NiCuCr :50nm)之間的關(guān)系的圖。
[0060] 圖7(A)為示出Ni-x質(zhì)量％ Cu-3質(zhì)量％ Cr (X = 10?60)合金的Cu含量與剝 離率（ΙΤ0 :150nm，NiCuCr :200nm)之間的關(guān)系的圖。圖7(B)為示出Ni-35質(zhì)量％ Cu-x質(zhì) 量％ Cr (X = 0?11)合金的Cr含量與剝離率（ΙΤ0 :150nm，NiCuCr :200nm)之間的關(guān)系的 圖。
[0061] 圖8⑷為示出Ni-x質(zhì)量％ Cu-3質(zhì)量％ Cr (X = 10?60)合金的Cu含量與最大 透磁率μ之間的關(guān)系的圖。圖8(B)為示出Ni-35質(zhì)量％ <：111質(zhì)量％ Cr(x = 0?11)合 金的Cr含量與最大透磁率μ之間的關(guān)系的圖。
[0062] 圖9⑷為示出Ni-x質(zhì)量％ Cu-3質(zhì)量％ Ti (X = 10?60)合金的Cu含量與相對 于ITO的電位差Λ V之間的關(guān)系的圖。圖9(B)為示出Ni-35質(zhì)量％ Cu-x質(zhì)量％ Ti (X = 0?7)合金的Ti含量與相對于ITO的電位差Λ V之間的關(guān)系的圖。
[0063] 圖10⑷為示出Ni-x質(zhì)量％ Cu-3質(zhì)量％ Ti (X = 10?60)合金的Cu含量與相 對于Cu的電位差Λ V之間的關(guān)系的圖。圖10(B)為示出Ni-35質(zhì)量％ Cu-x質(zhì)量％ Ti (X =0?7)合金的Ti含量與相對于Cu的電位差Λ V之間的關(guān)系的圖。
[0064] 圖11⑷為示出Ni-x質(zhì)量％ Cu-3質(zhì)量％ Ti (X = 10?60)合金的Cu含量與蝕 刻速率差之間的關(guān)系的圖。圖11 (B)為示出Ni-35質(zhì)量％ Cu-x質(zhì)量％ Ti (X = 0?7)合 金的Ti含量與蝕刻速率差之間的關(guān)系的圖。
[0065] 圖12 (A)為示出Ni-x質(zhì)量％ Cu-3質(zhì)量％ Ti (x = 10?60)合金的Cu含量與剝 離率（ΙΤ0 :20nm，NiCuTi :50nm)之間的關(guān)系的圖。圖12(B)為示出Ni-35質(zhì)量％ Cu-X質(zhì) 量％ Ti (X = 0?7)合金的Ti含量與剝離率（ΙΤ0 :20nm，NiCuTi :50nm)之間的關(guān)系的圖。
[0066] 圖13 (A)為示出Ni-x質(zhì)量％ Cu-3質(zhì)量％ Ti (X = 10?60)合金的Cu含量與剝 離率（ΙΤ0 :20nm，NiCuTi :200nm)之間的關(guān)系的圖。圖13(B)為示出Ni-35質(zhì)量％ Cu-X質(zhì) 量％ Ti (X = 0?7)合金的Ti含量與剝離率（ΙΤ0 :20nm，NiCuTi :200nm)之間的關(guān)系的圖。
[0067] 圖14⑷為示出Ni-x質(zhì)量％ Cu-3質(zhì)量％ Ti (X = 10?60)合金的Cu含量與剝 離率（ΙΤ0 :150nm，NiCuTi :50nm)之間的關(guān)系的圖。圖14(B)為示出Ni-35質(zhì)量％ Cu-x質(zhì) 量％ Ti (X = 0?7)合金的Ti含量與剝離率（ΙΤ0 :150nm，NiCuTi :50nm)之間的關(guān)系的圖。
[0068] 圖15⑷為示出Ni-x質(zhì)量％ Cu-3質(zhì)量％ Ti (X = 10?60)合金的Cu含量與剝 離率（ΙΤ0 :150nm，NiCuTi :200nm)之間的關(guān)系的圖。圖15(B)為示出Ni-35質(zhì)量％ Cu-X質(zhì) 量％ Ti(x = 0?7)合金的Ti含量與剝離率（ΙΤ0 :150nm，NiCuTi :200nm)之間的關(guān)系的 圖。
[0069] 圖16 (A)為示出Ni-x質(zhì)量％ Cu-3質(zhì)量％ Ti (X = 10?60)合金的Cu含量與最 大透磁率μ之間的關(guān)系的圖。圖16 (B)為示出Ni-35質(zhì)量％ Cu-x質(zhì)量％ Ti (x = 0?7) 合金的Ti含量與最大透磁率μ之間的關(guān)系的圖。
【具體實施方式】
[0070] 以下對本發(fā)明的一個實施方案進行詳細說明。
[0071] [I. Cu電極保護膜用Ni-Cu合金靶⑴：NiCuCr合金]
[0072] [I. 1.成分]
[0073] 本發(fā)明第一實施方案涉及的Cu電極保護膜用Ni-Cu合金靶材含有以下元素，并且 余量由Ni及不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成。添加元素的種類及添加量的限定理由如下所述。
[0074] (1) 15. 0 質(zhì)量 Cu 彡 55. 0 質(zhì)量 ％
[0075] NiCu合金中的Cu含量會影響該合金與Cu電極或ITO之間的標準電位的差（電位 差）、或者影響該合金與Cu電極之間的蝕刻速率差。另外，Cu含量還會影響NiCu合金的透 磁率。
[0076] -般來說，Cu含量越少，與周圍部件之間的電位差越大，并且耐電解腐蝕性降低。 另外，與Cu電極相比蝕刻速率變慢，電極的可信度降低。如果保護膜的蝕刻速率過慢時，濕 式蝕刻后的保護膜/電極/保護膜的斷面成為凹狀。而且，Cu含量越少，保護膜的電阻越 大，電極的可信度降低。另外，Cu含量越少，最大透磁率μπι增加。
[0077] 因此，Cu含量需要在15. 0質(zhì)量％以上。Cu含量更優(yōu)選在25. 0質(zhì)量％以上，進一 步優(yōu)選在30. 0質(zhì)量％以上。
[0078] 另一方面，Cu含量過剩的話，反而與周圍部件的電位差變大。另外，與Cu電極相 比蝕刻速率過快，電極的可信度降低。如果保護膜的蝕刻速率過快，則濕式蝕刻后的保護膜 /電極/保護膜的斷面成為凸狀。而且，Cu含量過剩的話，由于析出金屬間化合物，因而加 工性降低。
[0079] 因此，Cu含量需要在55. 0質(zhì)量％以下。Cu含量更優(yōu)選在45. 0質(zhì)量％以下，進一 步優(yōu)選在40. 0質(zhì)量％以下，更進一步優(yōu)選在35. 0質(zhì)量％以下。
[0080] (2)0. 5 質(zhì)量 ％ 彡 Cr 彡 10. 0 質(zhì)量 ％
[0081] 含有相對較多量的Cu的NiCu合金與周圍部件（特別是Cu電極）之間的電位差 變大，而且，與Cu電極相比蝕刻速率加快。Cr具有使所述NiCu合金與周圍部件之間的電位 差變小、并且使NiCu合金的蝕刻速率降低（接近于Cu電極）的作用。另外，Cr還具有提 高與透明電極（ITO)的貼附性的作用。
[0082] 一般來說，Cr含量越少，與周圍部件之間的電位差變大，耐電解腐蝕性降低。另外， 與Cu電極相比蝕刻速率過快，電極的可信度降低。而且，Cr含量越少，與透明電極的貼附 性降低。
[0083] 因此，Cr含量需要在0.5質(zhì)量％以上。Cr含量更優(yōu)選在1.0質(zhì)量％以上，進一步 優(yōu)選在3.0質(zhì)量％以上。
[0084] 另一方面，Cr含量過剩的話，反而與周圍部件的電位差變大。另外，與Cu電極相 比蝕刻速率過快，電極的可信度降低。
[0085] 因此，Cr含量需要在10. 0質(zhì)量％以下。Cr含量更優(yōu)選在7. 0質(zhì)量％以下，進一步 優(yōu)選在5.0質(zhì)量％以下。
[0086] [1. 2.用途]
[0087] 本發(fā)明第一實施方案涉及的靶材可以用于形成保護膜，該保護膜用于保護Cu電 極。
[0088] 此處，"Cu電極"是指這樣的電極：其由純Cu或者具有與純Cu相等的電阻（具體 來說，約2?3 μ Ω cm)的Cu合金構(gòu)成。
[0089] 另外，本實施方案涉及的靶材也可以用于Cu電極保護膜以外的用途。作為其它的 用途，具體來說有電極膜、反射膜等。
[0090] Cu電極保護膜一般形成在Cu電極的兩面。例如，在液晶面板的情況下，使用具有 預(yù)定組成的靶材，在形成有透明電極的基板表面依次形成Cu電極保護膜、Cu電極、以及Cu 電極保護膜。接著，采用濕式蝕刻法，以預(yù)定的形狀將Cu電極保護膜/Cu電極/Cu電極保 護膜形成圖案。
[0091] 另一方面，根據(jù)用途，有時也在Cu電極的單面上形成保護膜。例如，在TFT的情況 下，使用具有預(yù)定組成的靶材，在形成有透明電極的基板表面依次形成Cu電極保護膜和Cu 電極。接著，采用濕式蝕刻法，以預(yù)定的形狀將Cu電極保護膜/Cu電極形成圖案。