Cu-Ti合金與ITO之間的電位差Λ V。圖9中，虛線表示的是現(xiàn) 有技術(shù)中用作Al系配線材料保護(hù)膜的Mo-IONb與ITO之間的電位差Λ V (0. 16V)。
[0210] 圖10中示出了 Ni-Cu-Ti合金與Cu之間的電位差Λ V。圖10中，虛線表示的是 Mo-IONb與現(xiàn)有技術(shù)中用作Al系配線材料的Al-3Nd之間的電位差Λ V(0. 62V)。
[0211] 另外，圖9和圖10中也一并示出了 Ni-Cu-Cr-Ti合金的結(jié)果。
[0212] 由圖9可知：
[0213] (1)作為保護(hù)膜/電極/透明電極的組合，使用Ni-Cu-Ti合金/Cu/ITO的組合時(shí)， 與現(xiàn)有的組合（M〇-10Nb/Al-3Nd/IT0)相比，相對于ITO的電位差Λ V變小。
[0214] (2)為了使相對于ITO的電位差Λ V成為實(shí)用上沒有問題的值（0. 35V)以下，Cu 含量的下限可以為15質(zhì)量％。Cu含量的下限更優(yōu)選為20質(zhì)量％或者23質(zhì)量％。
[0215] (3)為了使相對于ITO的電位差Λ V與現(xiàn)有的組合相等或小于現(xiàn)有的組合，Cu含 量的下限優(yōu)選為23. 5質(zhì)量％、24質(zhì)量％、或者25質(zhì)量％。另外，Cu含量的上限優(yōu)選為50 質(zhì)量％、45質(zhì)量％、或者42質(zhì)量％。
[0216] (4)不管Ti的含量是多少，相對于ITO的電位差Λ V均顯示良好的值。
[0217] (5)為了使相對于ITO的電位差Λ V與現(xiàn)有的組合相等或小于現(xiàn)有的組合，Ti含 量的下限優(yōu)選為0. 2質(zhì)量％、0. 3質(zhì)量％、或者0. 5質(zhì)量％。另外,Ti含量的上限優(yōu)選為5. 5 質(zhì)量％、5質(zhì)量％、或者4. 5質(zhì)量％。
[0218] (6)與Ni-35Cu-3Ti合金相比，Ni-35Cu-l. 5Cr-l. 5Ti合金的相對于ITO的電位差 Λ V較小。
[0219] 由圖10可知：
[0220] (1)作為保護(hù)膜/電極/透明電極的組合，使用Ni-Cu-Ti合金/Cu/ITO的組合時(shí)， 與現(xiàn)有的組合（M〇-10Nb/Al-3Nd/IT0)相比，相對于Cu的電位差Λ V變小。
[0221] (2)為了使相對于Cu的電位差Λ V成為實(shí)用上沒有問題的值（LOV)以下，Cu含 量的下限可以為15質(zhì)量％。Cu含量的下限更優(yōu)選為20質(zhì)量％。
[0222] (3)為了使相對于Cu的電位差Λ V與現(xiàn)有的組合相等或小于現(xiàn)有的組合，Cu含量 的下限優(yōu)選為23. 5質(zhì)量％或者24質(zhì)量％。另外，Cu含量的上限優(yōu)選為46質(zhì)量％、45質(zhì) 量％、或者40質(zhì)量％。
[0223] (4)不管Ti的含量是多少，相對于Cu的電位差Λ V均顯示良好的值。
[0224] (5)為了使相對于Cu的電位差Λ V與現(xiàn)有的組合相等或小于現(xiàn)有的組合，Ti含量 的下限優(yōu)選為〇. 2質(zhì)量％、0. 5質(zhì)量％、或者1質(zhì)量％。另外，Ti含量的上限優(yōu)選為5. 5質(zhì) 量％、5質(zhì)量％、或者4. 5質(zhì)量％。
[0225] (6) Ni-35Cu-l. 5Cr-l. 5Ti 合金的相對于 Cu 的電位差Λ V 與 Ni-35Cu-3Ti 合金基 本相同。
[0226] [3. 2.蝕刻速率差]
[0227] 圖11中示出了 Ni-Cu-Ti合金與Cu之間的蝕刻速率差。圖11中，虛線表示的是 Cu的蝕刻速率的1/2的值（0. 6nm/秒）。另外，圖11中還一并示出了 Ni-Cu-Cr-Ti合金的 結(jié)果。
[0228] 由圖11可知：
[0229] (1)作為保護(hù)膜/電極/透明電極的組合，使用Ni-Cu-Ti合金/Cu/ITO的組合時(shí)， 其蝕刻速率差小于現(xiàn)有的組合（M〇-10Nb/Al-3Nd/IT0)的值（I. 2nm/秒）。
[0230] (2)為了使蝕刻速率差成為實(shí)用上沒有問題的值（I. 2nm/秒）以下，Cu含量的下 限可以為15質(zhì)量％。Cu含量的下限更優(yōu)選為20質(zhì)量％。另外，Cu含量的上限可以為55 質(zhì)量％。Cu含量的上限更優(yōu)選為50質(zhì)量％或者45質(zhì)量％。
[0231] (3)為了使蝕刻速率差小于或等于Cu/2, Cu含量的下限優(yōu)選為24質(zhì)量％或者25 質(zhì)量％以上。另外，Cu含量的上限優(yōu)選為40質(zhì)量％或者38質(zhì)量％。
[0232] (4)不管Ti的含量是多少，均顯示良好的蝕刻速率差。
[0233] (5)為了使蝕刻速率差小于或等于Cu/2, Ti含量的下限優(yōu)選為1. 5質(zhì)量％或者2 質(zhì)量％。另外，Ti含量的上限優(yōu)選為5質(zhì)量％或者4. 5質(zhì)量％。
[0234] (6) Ni-Cu-Cr-Ti合金的蝕刻速率差小于Ni-Cu-Ti合金。
[0235] [3. 3.剝離率]
[0236] 圖12至圖15示出了在厚度為20nm或150nm的ITO膜上形成的厚度為50nm或 200nm的Ni-Cu-Ti合金膜的剝離率。另外，圖12至圖15中還一并示出了 Ni-Cu-Cr-Ti合 金的結(jié)果。
[0237] 由圖12至圖15可知：
[0238] (I)Ni-Cu-Ti合金膜的剝離率依賴于膜厚，Ni-Cu-Ti合金膜的膜厚越厚，剝離率 增大。
[0239] (2)在Ni-Cu-Ti合金膜的膜厚為50nm的情況下，為了使剝離率為10%以下，Cu含 量的下限可以為15質(zhì)量％。Cu含量的下限更優(yōu)選為20質(zhì)量％、23質(zhì)量％、24質(zhì)量％或者 25質(zhì)量％。另外，Cu含量的上限優(yōu)選為47質(zhì)量％、45質(zhì)量％或者40質(zhì)量％。
[0240] (3)在Ni-Cu-Ti合金膜的膜厚為50nm的情況下，為了使剝離率為10%以下，Ti含 量的下限優(yōu)選為I. 〇質(zhì)量％、1. 5質(zhì)量％、2質(zhì)量％或者3質(zhì)量％。
[0241] (4)如果向Ni-Cu-Ti合金中添加 Cr,剝離率與Ni-Cu-Ti合金相同或小于 Ni-Cu-Ti 合金。
[0242] [3. 4.最大透磁率]
[0243] 圖16中示出了 Ni-Cu-Ti合金的最大透磁率。另外，圖16中還一并示出了 Ni-Cu-Cr-Ti合金的結(jié)果。
[0244] 由圖16可知：
[0245] (1)為了使最大透磁率μ在100以下，Cu含量的下限優(yōu)選為24質(zhì)量％。
[0246] (2)為了使最大透磁率μ在20以下，Cu含量的下限優(yōu)選為24. 5質(zhì)量％或者25 質(zhì)量％。另外，Cu含量的上限優(yōu)選為47質(zhì)量％、45質(zhì)量％或者40質(zhì)量％。
[0247] (3)即使使Ti含量在0?11質(zhì)量％中變化，最大透磁率μ也幾乎沒有變化。
[0248] (實(shí)施例3)
[0249] [1.試樣的制備]
[0250] 使用實(shí)施例1或2所制備的靶材，制備觸摸面板用疊層膜。即，采用濺射法，在基 板表面依次（從下至上）形成阻隔層、電極層和覆蓋層。作為基板，使用ITO/底層膜/PET 基板、或者ITO/底層膜/玻璃基板（均為市售品）。阻隔層和覆蓋層中分別使用了含有預(yù) 定量的Cu或Ti的NiCu合金，電極層中使用了 Cu (5Ν)。
[0251] 作為比較，制備了這樣的疊層膜：其中，阻隔層和覆蓋層中分別使用了 Mo-IONb合 金，電極層中使用了 Al-3Nd。
[0252] 表1中示出了觸摸面板用疊層膜的成膜條件。
[0253] 表 1
[0254]
[0255] [2.試驗(yàn)方法]
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種面板用Cu電極保護(hù)膜用Ni-Cu合金材，其如下構(gòu)成： 30. 0 質(zhì)量％< Cu < 55. 0 質(zhì)量％、 0. 5質(zhì)量％彡（0、11)彡10.0質(zhì)量％，其中，0>0、11>0， 余量為Ni及不可避免的雜質(zhì)。
2. 權(quán)利要求1所述的面板用Cu電極保護(hù)膜用Ni-Cu合金靶材，其中 30. 0質(zhì)量Cu < 40. 0質(zhì)量％、以及 1.0質(zhì)量％彡（0、11)彡5.0質(zhì)量％，其中，0>0、11>0。
3. -種面板用Cu電極保護(hù)膜用Ni-Cu合金祀材，其如下構(gòu)成： 30. 0 質(zhì)量％< Cu < 55. 0 質(zhì)量％、 0? 5質(zhì)量Cr彡10. 0質(zhì)量％， 余量為Ni及不可避免的雜質(zhì)。
4. 權(quán)利要求3所述的面板用Cu電極保護(hù)膜用Ni-Cu合金靶材，其中 30. 0質(zhì)量Cu < 40. 0質(zhì)量％、以及 1. 0質(zhì)量Cr彡5. 0質(zhì)量％。
5. -種面板用Cu電極保護(hù)膜用Ni-Cu合金祀材，其如下構(gòu)成： 30. 0 質(zhì)量％< Cu < 55. 0 質(zhì)量％、 0? 5 質(zhì)量Ti < 10. 0 質(zhì)量％， 余量為Ni及不可避免的雜質(zhì)。
6. 權(quán)利要求5所述的面板用Cu電極保護(hù)膜用Ni-Cu合金靶材，其中 30. 0質(zhì)量Cu < 40. 0質(zhì)量％、以及 1. 0 質(zhì)量Ti < 5. 0 質(zhì)量％。
【專利摘要】本發(fā)明的目的在于提供一種Cu電極保護(hù)膜用Ni-Cu合金靶材、以及使用該靶材制造的疊層膜，其中所述靶材能夠用作Cu電極的保護(hù)膜，能夠抑制由Cu電極的電解腐蝕或原子擴(kuò)散所導(dǎo)致的電特性劣化，并且能夠通過濕式蝕刻法更高精度地形成圖案；能夠形成與透明電極的貼附性良好的保護(hù)膜，而且能夠有效地進(jìn)行濺射。本發(fā)明涉及一種Cu電極保護(hù)膜用Ni-Cu合金靶材以及使用該靶材制造的疊層膜，所述靶材含有15.0質(zhì)量％≤Cu≤55.0質(zhì)量％、以及0.5質(zhì)量％≤(Cr、Ti)≤10.0質(zhì)量％，余量為Ni及不可避免的雜質(zhì)。
【IPC分類】C22C19-05, C22C9-06, C22C19-03
【公開號】CN104611615
【申請?zhí)枴緾N201410850977
【發(fā)明人】大森浩志, 坂口一哉, 勝見昌高
【申請人】大同特殊鋼株式會(huì)社
【公開日】2015年5月13日
【申請日】2011年8月30日