一種晶體片倒角裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明晶體片生產(chǎn)加工領(lǐng)域，特別指一種晶體片倒角裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]晶體片在加工中有一道倒角工序，由于晶體片比較薄脆，而且一般難以有相應(yīng)的裝置對其進行夾持并磨削，而且倒角有尺寸要求，徒手夾持用砂輪磨削的話，難以加工。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種結(jié)構(gòu)簡單，操作方便快捷，加工精度高，生產(chǎn)效率高的晶體片倒角裝置。
[0004]本發(fā)明采取的技術(shù)方案如下:一種晶體片倒角裝置，包括工作臺、晶片固定組件及磨削組件，其中，上述工作臺為L型支撐結(jié)構(gòu)，工作臺由橫向支撐塊及豎向支撐塊連接而成；上述晶片固定組件設(shè)置在橫向支撐塊上，晶片固定組件上放置待加工的晶片，并推動晶片橫向運動至豎向支撐塊處；上述磨削組件設(shè)置在豎向支撐塊上，磨削組件驅(qū)動砂輪沿豎向支撐塊進行豎向運動，以便將砂輪推至待加工的晶片處，對晶片進行磨削倒角。
[0005]優(yōu)選地，所述的晶片固定組件包括第一固定座、第一導(dǎo)軌、第一導(dǎo)槽、滑塊、連接塊、晶片吸盤、連桿、推塊、推桿及氣缸。
[0006]優(yōu)選地，所述的第一導(dǎo)軌固定設(shè)置在工作臺的橫向支撐塊上，并沿橫向支撐塊延伸；上述第一導(dǎo)槽嵌在第一導(dǎo)軌內(nèi)，并沿第一導(dǎo)軌自由運動；第一導(dǎo)槽的上端固定在滑塊上，并帶動滑塊橫向運動；滑塊上固定有晶片吸盤，晶片吸盤上放置待加工的晶體片，滑塊運動帶動晶片吸盤運動，以便將晶體片推送至砂輪的下部。
[0007]優(yōu)選地，所述的滑塊的下部固定有連接塊，連接塊的左端固定有連桿，連桿的左端固定在推塊上，推塊的左端固定在推桿上，推桿推動推塊橫向運動。
[0008]優(yōu)選地，所述的推桿設(shè)置在氣缸內(nèi)，氣缸驅(qū)動推桿橫向運動，以便依此推動推塊、連桿、連接塊及滑塊橫向運動；上述氣缸的左端固定在第一固定座上，第一固定座固定在工作臺的橫向支撐塊上。
[0009]優(yōu)選地，所述的磨削組件包括第二導(dǎo)軌、第二導(dǎo)槽、活動座、絲桿絲桿座、第二固定座、固定板、電機及砂輪。
[0010]優(yōu)選地，所述的第二導(dǎo)軌固定設(shè)置在上述工作臺的豎向支撐塊上，并沿豎向支撐塊延伸；第二導(dǎo)槽嵌在第二導(dǎo)軌內(nèi)，并沿第二導(dǎo)軌自由運動，第二導(dǎo)槽的外端固定在活動座上，活動座的上端插設(shè)有絲桿，并與絲桿螺紋連接；絲桿的上端插在絲桿座中，絲桿座驅(qū)動絲桿旋轉(zhuǎn)，以便帶動活動座沿第二導(dǎo)軌豎向運動；上述絲桿座固定在第二固定座上，第二固定座固定在工作臺的豎向支撐塊上。
[0011]優(yōu)選地，所述的活動座的左側(cè)向外延伸形成支撐平臺，該支撐平臺上可拆卸地固定有固定板，固定板上固定有電機，電機的電機軸向下延伸穿過活動座，電機軸的下端固定有砂輪，電機隨活動座豎向運動，以便使砂輪移動至待加工的晶體片附近，電機驅(qū)動砂輪旋轉(zhuǎn)，以便打磨晶體片周緣，進行倒角。
[0012]優(yōu)選地，所述的晶體吸盤包括吸盤體、吸孔、導(dǎo)氣槽及環(huán)形吸槽，其中，上述吸盤體為圓柱體結(jié)構(gòu)，吸孔設(shè)置在吸盤體上，并貫穿吸盤體；環(huán)形槽包括至少二個，各環(huán)形槽間隔設(shè)置在吸盤體的頂面，并向下凹陷，形成晶體吸附面，以便吸附晶體；上述導(dǎo)氣槽設(shè)置在吸盤體的頂面，導(dǎo)氣槽連接吸孔及環(huán)形吸槽，吸孔連接外設(shè)的真空發(fā)生器及氣泵，以便使吸附面上形成負壓，吸住待加工的晶體片。
[0013]優(yōu)選地，所述的導(dǎo)氣槽由相互垂直的兩個長條狀槽體交叉形成為十字形槽體，導(dǎo)氣槽的交叉點與吸孔重疊，使吸孔與導(dǎo)氣槽連通；兩個長條狀槽體向兩側(cè)延伸至外側(cè)的環(huán)形槽體內(nèi)，以便使各環(huán)形槽體與吸孔連通；吸孔的兩端分別延伸至吸盤體的頂面及底面，吸孔的底端設(shè)有接氣管，接氣管的上端與吸孔連接，下端連接有氣管，氣管連接在外設(shè)的真空發(fā)生器及氣泵。
[0014]本發(fā)明的有益效果在于:
本發(fā)明是在實際生產(chǎn)過程中，總結(jié)創(chuàng)新得出，通過設(shè)計一種包括工作臺、晶片固定組件及磨削組件的晶體片倒角裝置，工作臺為L型支撐結(jié)構(gòu)，由橫向支撐塊及豎向支撐塊連接而成，橫向支撐塊上設(shè)置有晶體固定組件，磨削組件設(shè)置在豎向支撐塊上，晶體固定組件的第一導(dǎo)軌固定在橫向支撐座上，第一導(dǎo)軌上嵌有第一導(dǎo)槽，第一導(dǎo)槽固定在滑塊上部，滑塊的底部固定有連接塊，連接塊通過連桿連接在推塊上，推塊則連接固定在氣缸的推桿上，氣缸驅(qū)動推桿橫向運動，從而推動滑塊沿第一導(dǎo)軌橫向運動，滑塊上設(shè)置有晶片吸盤，晶片吸盤上吸附有待加工的晶體片，滑塊運動，以便將晶體片推至磨削組件的下方；磨削組件的第二導(dǎo)軌固定在工作臺的豎向支撐塊上，第二導(dǎo)軌上嵌有第二導(dǎo)槽，第二導(dǎo)槽沿第二導(dǎo)軌豎向自由運動，第二導(dǎo)槽固定在活動座上，活動座的上部插設(shè)有絲桿，并與絲桿螺紋連接，絲桿的上部插入在絲桿座內(nèi)，絲桿座驅(qū)動絲桿旋轉(zhuǎn)，以便帶動活動座沿第二導(dǎo)軌豎向運動，活動座上固定有電機，電機轉(zhuǎn)軸設(shè)置在電機下部，電機轉(zhuǎn)軸上設(shè)置砂輪，活動座帶動砂輪移動至待加工晶體片處，電機驅(qū)動砂輪旋轉(zhuǎn)，以便打磨晶體片周緣，形成倒角。
【附圖說明】
[0015]圖1為本發(fā)明的立體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016]圖2為本發(fā)明的主視圖。
[0017]圖3為圖2的俯視圖。
[0018]圖4為圖1中晶體吸盤的立體結(jié)構(gòu)示意圖之一。
[0019]圖5為圖1中晶體吸盤的立體結(jié)構(gòu)示意圖之二。
【具體實施方式】
[0020]下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步描述:
如圖1至圖5所示，本發(fā)明采取的技術(shù)方案如下:一種晶體片倒角裝置，包括工作臺1、晶片固定組件及磨削組件，其中，上述工作臺I為L型支撐結(jié)構(gòu)，工作臺I由橫向支撐塊及豎向支撐塊連接而成；上述晶片固定組件設(shè)置在橫向支撐塊上，晶片固定組件上放置待加工的晶片，并推動晶片橫向運動至豎向支撐塊處；上述磨削組件設(shè)置在豎向支撐塊上，磨削組件驅(qū)動砂輪20沿豎向支撐塊進行豎向運動，以便將砂輪20推至待加工的晶片處，對晶片進行磨削倒角。
[0021]晶片固定組件包括第一固定座11、第一導(dǎo)軌2、第一導(dǎo)槽3、滑塊4、連接塊5、晶片吸盤6、連桿7、推塊8、推桿9及氣缸10。
[0022]第一導(dǎo)軌2固定設(shè)置在工作臺I的橫向支撐塊上，并沿橫向支撐塊延伸；上述第一導(dǎo)槽3嵌在第一導(dǎo)軌2內(nèi)，并沿第一導(dǎo)軌自由運動；第一導(dǎo)槽3的上端固定在滑塊4上，并帶動滑塊4橫向運動；滑塊4上固定有晶片吸盤6，晶片吸盤6上放置待加工的晶體片，滑塊4運動帶動晶片吸盤6運動，以便將晶體片推送至砂輪20的下部。
[0023]滑塊4的下部固定有連接塊5，連接塊5的左端固定有連桿7，連桿7的左端固定在推塊8上，推塊8的左端固定在推桿9上，推桿9推動推塊8橫向運動。
[0024]推桿9設(shè)置在氣缸10內(nèi)，氣缸10驅(qū)動推桿9橫向運動，以便依此推動推塊8、連桿7、連接塊5及滑塊4橫向運動；上述氣缸10的左端固定在第一固定座11上，第一固定座11固定在工作臺I的橫向支撐塊上。
[0025]磨削組件包括第二導(dǎo)軌12、第二導(dǎo)槽13、活動座14、絲桿15絲桿座16、第二固定座17、固定板18、電機19及砂輪20。
[0026]第二導(dǎo)軌12固定設(shè)置在上述工作臺I的豎向支撐塊上，并沿豎向支撐塊延伸；第二導(dǎo)槽13嵌在第二導(dǎo)軌12內(nèi)，并沿第二導(dǎo)軌12自由運動，第二導(dǎo)槽13的外端固定在活動座14上，活動座14的上端插設(shè)有絲桿15，并與絲桿15螺紋連接；絲桿15的上端插在絲桿座16中，絲桿座16驅(qū)動絲桿15旋轉(zhuǎn)，以便帶動活動座14沿第二導(dǎo)軌12豎向運動；上述絲桿座16固定在第二固定座17上，第二固定座17固定在工作臺I的豎向支撐塊上。
[0027]活動座14的左側(cè)向外延伸形成支撐平臺，該支撐平臺上可拆卸地固定有固定板18，固定板18上固定有電機19，電機19的電機軸向下延伸穿過活動座14，電機軸的下端固定有砂輪20，電機19隨活動座14豎向運動，以便使砂輪移動至待加工的晶體片附近，電機19驅(qū)動砂輪20旋轉(zhuǎn)，以便打磨晶體片周緣，進行倒角。
[0028]晶體吸盤6包括吸盤體61、吸孔62、導(dǎo)氣槽63及環(huán)形吸槽64，其中，上述吸盤體61為圓柱體結(jié)構(gòu)，吸孔62設(shè)置在吸盤體61上，并貫穿吸盤體61 ;環(huán)形槽64包括至少二個，各環(huán)形槽64間隔設(shè)置在吸盤體61的頂面，并向下凹陷，形成晶體吸附面，以便吸附晶體；上述導(dǎo)氣槽63