流程示意圖。
【具體實施方式】
[0034]以下將結(jié)合附圖所示的具體實施例對本發(fā)明進行詳細描述。值得說明的是，下文所記載的實施例并不限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)這些實施例所做出的結(jié)構(gòu)、方法、或功能上的變換均包含在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。
[0035]本發(fā)明一種異質(zhì)結(jié)太陽能電池PECVD工藝受硼污染解決方法包括異質(zhì)結(jié)太陽能電池PECVD設(shè)備，所述異質(zhì)結(jié)太陽能電池PECVD設(shè)備對硅片進行I層工藝、N層工藝和P層工藝，所述異質(zhì)結(jié)太陽能電池PECVD設(shè)備包括用以在所述P層工藝與后續(xù)I層工藝之間共用的循環(huán)用具，具體的，所述循環(huán)用具可以為以下實施例中用以進行I層工藝、N層工藝及P層工藝的單一 PECVD腔體或循環(huán)于各獨立腔體之間用以承托和傳遞硅片的托盤。由于P層工藝后殘留的非晶硅內(nèi)會含有硼，這些硼會從非晶硅中析出，從而影響到后面的I工藝。所以本發(fā)明在P層工藝之后增加水蒸氣處理工藝用以在I層工藝之前除去所述循環(huán)用具表面的硼殘留。水蒸氣去硼的原理為:水蒸氣與硼很容易發(fā)生氧化反應，生成穩(wěn)定的B (OH) 3或者S1-B-O等，從而減小原活性硼對本征層的影響。本發(fā)明所述水蒸氣處理工藝的工藝壓力為0.l-5mbar，工藝時間為l_300s，如此設(shè)置，可較好地除去腔體表面的硼殘留物。
[0036]請參圖1至4所示，為本發(fā)明異質(zhì)結(jié)太陽能電池PECVD工藝受硼污染解決方法第一種實施方式，即異質(zhì)結(jié)太陽能電池PECVD設(shè)備為單一 PECVD腔體，P層工藝的腔體為非獨立腔體，而是與I層工藝和N層工藝的腔體共享。
[0037]在單一 PECVD腔體內(nèi)，要完成硅片兩表面的I/N-1/P工藝，主要的工藝流程包括四種方式:請參圖1所示，第一種方式為1-1-N-P流程，所述流程包括步驟一:對硅片一面進行I層工藝；步驟二:對硅片進行翻面且對硅片另一面進行I層工藝；步驟三:在I層上進行N層工藝；步驟四:再一次對硅片進行翻面且對硅片另一面的I層上進行異質(zhì)結(jié)太陽能電池所需的P層工藝。如此設(shè)置，所述硅片兩面的I層工藝均在N層工藝及P層工藝之前完成，可更好地避免硅片兩面的I層工藝受到P層工藝的硼污染，從而使硅片兩面的I層都具有更好的鈍化效果。另外，本發(fā)明第一種實施方式在N層工藝之后均進行NF3清洗工藝，該工藝可以有效去除腔體表面磷殘留物，防止后續(xù)工藝中磷的交叉污染。實驗表明，磷污染比硼污染對鈍化層影響小很多，可以通過NF3清洗干凈。
[0038]請參圖2所示，第二種方式為1-1-P-N流程，所述流程包括步驟一:對硅片一面進行I層工藝；步驟二:對硅片進行翻面且對硅片另一面進行I層工藝；步驟三:在I層上進行P層工藝；步驟四:再一次對硅片進行翻面且對硅片另一面的I層上進行異質(zhì)結(jié)太陽能電池所需的N層工藝。如此設(shè)置，所述硅片兩面的I層工藝均在N層工藝及P層工藝之前完成，可更好地避免硅片兩面的I層工藝受到P層工藝的硼污染，從而使硅片兩面的I層都具有更好的鈍化效果。另外，所述P層工藝之后進行的水蒸氣處理工藝同樣能夠在I層工藝之前除去因P層工藝而殘留在所述腔體表面的硼。
[0039]請參圖3所示，第三種方式為1-N-1-P流程，所述流程包括步驟一:對硅片一面進行I層工藝；步驟二:在所述I層上進行N層工藝；步驟三:對硅片進行翻面且對硅片另一面進行I層工藝；步驟四:在所述I層上進行異質(zhì)結(jié)太陽能電池所需的P層工藝，如此設(shè)置，在整個流程中僅需要對硅片進行一次翻面，節(jié)省了硅片翻面時間，提高了產(chǎn)能。
[0040]請參圖4所示，第四種方式為1-P-1-N流程，所述流程包括步驟一:對硅片一面進行I層工藝；步驟二:在I層上進行P層工藝；步驟三:對硅片進行翻面且對硅片另一面進行I層工藝；步驟四:在I層上進行異質(zhì)結(jié)太陽能電池所需的N層工藝，如此設(shè)置，在整個流程中也僅需要對硅片進行一次翻面，節(jié)省了硅片的翻面時間，提高了產(chǎn)能。
[0041]以上，對硅片進行翻面可以通過更換托盤而實現(xiàn)，在其他實施方式中也可以為其他方式對硅片進行翻面。
[0042]在P層工藝之后用所述水蒸氣處理工藝清洗所述共用的單一 PECVD腔體時，托盤及硅片已從所述共用PECVD腔體內(nèi)取出，故所述循環(huán)用具為所述共用PECVD腔體。無論哪種工藝流程，在P層工藝之后，都對所述共用的單一 PECVD腔體進行水蒸氣處理工藝，即在真空下用水蒸汽處理一段時間，除去腔體表面的硼殘留物，避免在后續(xù)I層工藝時，引起的交叉污染，改善鈍化層的薄膜質(zhì)量，提高硅片表面的鈍化效果。
[0043]另外，所述第一種實施方式還可以為兩種情況，第一種情況為僅對共用的單一PECVD腔體做水蒸氣處理，第二種情況為除了對共用的單一 PECVD腔體做水蒸氣處理外，還包括前期的NF3清洗工藝，該工藝可以有效去除腔體表面硅殘留物，保證后續(xù)的水蒸氣處理更加充分。
[0044]進一步的，第二種情況中，還可以包括前期的在NF3清洗工藝之后的H2等離子體處理工藝，該工藝可以有效去除腔體表面在NF3清洗后的氟殘留物，保證后續(xù)的水蒸氣處理更加充分。所述H2等離子體處理工藝包括純H2或者H2和其它氣體的混合氣體等。
[0045]綜上，本發(fā)明使單一的PECVD腔體可以做異質(zhì)結(jié)太陽能電池I/P/N三層工藝，無需將腔體獨立分開，如此設(shè)置，不需要設(shè)置多個腔體從而大大降低了設(shè)備制造成本，且解決了硼殘留的交叉污染問題。從實驗中發(fā)現(xiàn)被硼污染的PECVD腔體做I層鈍化，少子壽命只有500-1000us ;而用水蒸氣處理后，同樣的I層工藝條件，少子壽命可達2000-3500us左右，少子壽命提高至少50%以上，鈍化層質(zhì)量改善明顯。
[0046]請參圖5至7所示，為本發(fā)明異質(zhì)結(jié)太陽能電池PECVD工藝受硼污染解決方法第二種實施方式，即P層工藝在獨立的反應腔體內(nèi)完成，但I層工藝與P層工藝共享托盤。如此設(shè)置，不需要更換托盤，能夠節(jié)省更換托盤所需的大量時間，從而增加產(chǎn)能；另一方面，腔體獨立而僅托盤為循環(huán)用具時，由于托盤表面積較小使托盤上的硼殘留量較小，所以對后續(xù)的I層工藝影響不大，可以僅對托盤做水蒸氣處理，如此可減少前期的NF3清洗次數(shù)，減少工藝節(jié)拍，從而進一步提高產(chǎn)能。所述異質(zhì)結(jié)太陽能電池PECVD設(shè)備包括P層工藝反應腔及用以進行I層工藝的反應腔，所述循環(huán)用具為用以將硅片從P層工藝反應腔傳遞到用以進行I層工藝的反應腔內(nèi)的托盤。在本實施方式中，所述用以進行I層工藝的反應腔為獨立的I層工藝反應腔，在其他實施方式中，所述用以進行I層工藝的反應腔還可以在進行I層工藝之后進行N層工藝等。所述異質(zhì)結(jié)太陽能電池PECVD設(shè)備包括用以將硅片和托盤在完成P層工藝之后取出的出片腔及用以將硅片和托盤送入用以進行I層工藝的反應腔內(nèi)進行I層工藝的進片腔，所述第二種實施方式主要的工藝流程包括三種方式，第一種流程為在做1-P工藝流程時，托盤兼硅片在P層工藝反應腔體內(nèi)，做完P(guān)層覆膜工藝以后，緊接著用水蒸氣處理，即可除去托盤表面和硅片表面的硼殘留；第二種流程為在做1-P工藝流程時，托盤兼硅片在出片腔腔體內(nèi)，在真空下用水汽處理一段時間，然后再使出片腔破真空，即可除去托盤表面和硅片表面的硼殘留；第三種流程為在做1-P工藝流程時托盤在腔外出片與進片之間傳遞時，硅片已從托盤取出，用水蒸氣對托盤表面處理一段時間，即可除去托盤表面的硼殘留。
[0047]請參圖5所示，為第一種托盤1-P循環(huán)工藝的流程圖，所述流程為:托盤裝載待覆膜硅片，然后通過進片腔進入I層工藝反應腔進行I層覆膜工藝，I層工藝后托盤與硅片進入獨立的P層工藝反應腔進行P層工藝，然后經(jīng)出片腔出來后托盤卸載完成1-P覆膜的硅片，之后托盤傳遞至進片腔之前裝載新一批待覆膜硅片用以進入進片腔，從而實現(xiàn)托盤的循環(huán)使用。具體的，在獨立的P層工藝反應腔里面增加水蒸氣處理工藝，如此，可以有效去除托盤表面的硼殘留，避免托盤重新裝載硅片后，在I層工藝反應腔進行工藝時，引起的交叉污染，影響非晶硅的鈍化效果，從而影響少子壽命以及電池效率