。且從少子壽命和電池效率的測(cè)試結(jié)果看，合適的水蒸氣處理不會(huì)對(duì)托盤(pán)表面的硅片產(chǎn)生不利影響，不會(huì)影響少子壽命和電池效率。
[0048]P層工藝反應(yīng)腔里面進(jìn)行水蒸氣處理，可以保證工藝的安全性、穩(wěn)定性，對(duì)設(shè)備本身無(wú)需額外的要求，不需要額外增加一個(gè)真空腔體，減少設(shè)備成本。
[0049]P層工藝反應(yīng)腔里面進(jìn)行水蒸氣處理，為了保證工藝節(jié)拍，P層工藝反應(yīng)腔在完成P層覆膜工藝后，對(duì)P層工藝反應(yīng)腔內(nèi)P層工藝時(shí)間有一定要求。
[0050]請(qǐng)參圖6所示，為第二種托盤(pán)1-P循環(huán)工藝的流程圖，所述流程與第一種托盤(pán)1-P循環(huán)工藝流程大致相同，區(qū)別在于:所述水蒸氣處理工藝在出片腔中完成，如此設(shè)置，也可以有效去除托盤(pán)表面的硼殘留，避免托盤(pán)重新裝載硅片后，在I反應(yīng)腔進(jìn)行工藝時(shí)，引起的交叉污染，影響非晶硅的鈍化效果，從而影響少子壽命及電池效率。從少子壽命和電池效率的測(cè)試結(jié)果看，合理的水蒸氣處理不會(huì)對(duì)硅片表面產(chǎn)生不利影響，不會(huì)影響少子壽命和電池效率。
[0051]在出片腔里面進(jìn)行水蒸氣處理工藝，相對(duì)于在P層工藝反應(yīng)腔里面進(jìn)行水蒸氣處理，可以緩解P反應(yīng)腔進(jìn)行P層工藝時(shí)間的壓力，有助于異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池產(chǎn)能的最大化。
[0052]出片腔里面進(jìn)行水蒸氣處理工藝，需要對(duì)出片腔體的真空度和氣體漏率等有較高的要求。
[0053]出片腔里面進(jìn)行水蒸氣處理工藝，不需要額外增加一個(gè)真空腔體從而避免增加設(shè)備制造成本。
[0054]請(qǐng)參圖7所示，為第三種托盤(pán)1-P循環(huán)工藝的流程圖，所述流程與第一種托盤(pán)1-P循環(huán)工藝流程大致相同，區(qū)別在于:在腔外出片與進(jìn)片傳遞之間增加一個(gè)真空腔體，而水蒸氣處理工藝在所述真空腔體內(nèi)完成，如此設(shè)置，也可以有效去除托盤(pán)表面的硼殘留，避免托盤(pán)重新裝載硅片后，在I層工藝反應(yīng)腔進(jìn)行工藝時(shí)，引起的交叉污染，影響非晶硅的鈍化效果，從而影響少子壽命和電池效率；
[0055]在腔外傳輸時(shí)進(jìn)行水蒸氣處理工藝，可以避開(kāi)水蒸氣與硅片表面的直接接觸；
[0056]在腔外傳輸時(shí)進(jìn)行水蒸氣處理工藝，有助于緩解P層工藝反應(yīng)腔體以及出片腔體的工藝時(shí)間的壓力。
[0057]所述第二種實(shí)施方式的三種流程分別通過(guò)水蒸氣處理工藝在三個(gè)不同位置的優(yōu)化選擇，不會(huì)延長(zhǎng)整個(gè)工藝流程的時(shí)間，可保證工藝節(jié)拍。
[0058]綜上所述，水蒸氣處理工藝可以迅速去除循環(huán)用具例如同一腔體內(nèi)部或者共享托盤(pán)表面的硼殘留，如此可提高后續(xù)硅片表面非晶硅的鈍化效果，減少載流子在硅表面的復(fù)合，提高少子壽命。本發(fā)明使用合理的水蒸氣處理工藝，不會(huì)對(duì)托盤(pán)上的硅片產(chǎn)生負(fù)面的影響，不會(huì)影響少子壽命和異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池效率。
[0059]應(yīng)當(dāng)理解，雖然本說(shuō)明書(shū)按照實(shí)施方式加以描述，但并非每個(gè)實(shí)施方式僅包含一個(gè)獨(dú)立的技術(shù)方案，說(shuō)明書(shū)的這種敘述方式僅僅是為清楚起見(jiàn)，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)將說(shuō)明書(shū)作為一個(gè)整體，各實(shí)施方式中的技術(shù)方案也可以經(jīng)適當(dāng)組合，形成本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的其他實(shí)施方式。
[0060]上文所列出的一系列的詳細(xì)說(shuō)明僅僅是針對(duì)本發(fā)明的可行性實(shí)施方式的具體說(shuō)明，它們并非用以限制本發(fā)明的保護(hù)范圍，凡未脫離本發(fā)明技藝精神所作的等效實(shí)施方式或變更均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池PECVD工藝受硼污染解決方法，所述方法包括異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池PECVD設(shè)備，所述異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池PECVD設(shè)備對(duì)硅片進(jìn)行I層工藝、N層工藝和P層工藝，所述異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池PECVD設(shè)備包括用以在所述P層工藝與后續(xù)I層工藝之間共用的循環(huán)用具，其特征在于:在P層工藝之后增加水蒸氣處理工藝用以在I層工藝之前除去所述循環(huán)用具表面的硼殘留。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池PECVD工藝受硼污染解決方法，其特征在于:所述水蒸氣處理工藝的工藝壓力為0.l_5mbar,工藝時(shí)間為l_300s。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池PECVD工藝受硼污染解決方法，其特征在于:所述異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池PECVD設(shè)備包括單一 PECVD腔體及所述PECVD腔體內(nèi)用以承托硅片的托盤(pán)，所述I層工藝、N層工藝和P層工藝在所述共同的單一 PECVD腔體內(nèi)進(jìn)行，所述循環(huán)用具為所述PECVD腔體，在P層工藝之后進(jìn)行所述水蒸氣處理工藝用以在I層工藝之前除去所述PECVD腔體表面的硼殘留。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池PECVD工藝受硼污染解決方法，其特征在于:所述水蒸氣處理工藝還包括前期的用以去除循環(huán)用具表面硅殘留的NF3清洗工藝及用以去除循環(huán)用具表面在所述NF3清洗工藝后的氟殘留物的H2等離子體處理工藝。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池PECVD工藝受硼污染解決方法，其特征在于:所述方法包括: 步驟一:對(duì)硅片一面進(jìn)行I層工藝； 步驟二:對(duì)硅片另一面進(jìn)行I層工藝； 步驟三:在I層上進(jìn)行N層或P層工藝； 步驟四:在硅片另一面的I層上進(jìn)行異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池所需的P層或N層工藝。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池PECVD工藝受硼污染解決方法，其特征在于:所述方法包括: 步驟一:對(duì)硅片一面進(jìn)行I層工藝； 步驟二:在所述I層上進(jìn)行N層或P層工藝； 步驟三:對(duì)硅片另一面進(jìn)行I層工藝； 步驟四:在所述I層上進(jìn)行異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池所需的P層或N層工藝。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池PECVD工藝受硼污染解決方法，其特征在于:所述異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池PECVD設(shè)備包括P層工藝反應(yīng)腔及用以進(jìn)行I層工藝的反應(yīng)腔，所述P層工藝在獨(dú)立的P層工藝反應(yīng)腔內(nèi)進(jìn)行，所述循環(huán)用具為用以將硅片從P層工藝反應(yīng)腔傳遞到用以進(jìn)行I層工藝的反應(yīng)腔內(nèi)的托盤(pán)，在P層工藝之后進(jìn)行所述水蒸氣處理工藝用以在I層工藝之前除去所述托盤(pán)表面的硼殘留。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池PECVD工藝受硼污染解決方法，其特征在于:所述水蒸氣處理工藝在所述P層工藝反應(yīng)腔內(nèi)進(jìn)行，所述水蒸氣處理工藝用以除去所述硅片及托盤(pán)表面的硼殘留。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池PECVD工藝受硼污染解決方法，其特征在于:所述異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池PECVD設(shè)備包括用以將硅片和托盤(pán)在完成P層工藝之后取出的出片腔，所述水蒸氣處理工藝在所述出片腔內(nèi)進(jìn)行，待水蒸氣處理完成后，再使出片腔破真空，所述水蒸氣處理工藝用以除去所述硅片及托盤(pán)表面的硼殘留。10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池PECVD工藝受硼污染解決方法，其特征在于:所述異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池PECVD設(shè)備包括用以將硅片和托盤(pán)在完成P層工藝之后取出的出片腔及用以將硅片和托盤(pán)送入用以進(jìn)行I層工藝的反應(yīng)腔內(nèi)進(jìn)行I層工藝的進(jìn)片腔，所述出片腔與進(jìn)片腔之間設(shè)有用以進(jìn)行所述水蒸氣處理工藝的真空腔，所述托盤(pán)從出片腔出來(lái)后卸載硅片，然后所述托盤(pán)經(jīng)過(guò)所述真空腔進(jìn)行水蒸氣處理工藝后所述托盤(pán)再裝載硅片從進(jìn)片腔進(jìn)入用以進(jìn)行I層工藝的反應(yīng)腔。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池PECVD工藝受硼污染解決方法，所述方法包括異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池PECVD設(shè)備，所述異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池PECVD設(shè)備對(duì)硅片進(jìn)行I層工藝、N層工藝和P層工藝，所述異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池PECVD設(shè)備包括用以在所述P層工藝與后續(xù)I層工藝之間共用的循環(huán)用具，在P層工藝之后增加水蒸氣處理工藝用以在I層工藝之前除去所述循環(huán)用具表面的硼殘留。如此設(shè)置，可以迅速去除循環(huán)用具例如同一腔體內(nèi)部或者共享托盤(pán)表面的硼殘留，如此可提高后續(xù)硅片表面非晶硅的鈍化效果，減少載流子在硅表面的復(fù)合，提高少子壽命。
【IPC分類】C23C16/44, C23C16/54
【公開(kāi)號(hào)】CN105154852
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410260428
【發(fā)明人】吳科俊, 陳金元, 胡宏逵, 汪訓(xùn)忠, 楊華新
【申請(qǐng)人】上海理想萬(wàn)里暉薄膜設(shè)備有限公司, 理想能源設(shè)備(上海)有限公司
【公開(kāi)日】2015年12月16日
【申請(qǐng)日】2014年6月12日