種區(qū)域處的溫度，從而促進(jìn)材料沉積在基板108的上表面上。燈102可設(shè)置來(lái)加熱基板108至大約攝氏200度至大約攝氏1600度的溫度范圍內(nèi)。雖然未在此詳細(xì)討論，沉積的材料可包括硅、摻雜的硅、鍺、摻雜的鍺、娃鍺(silicon germanium)、摻雜的娃鍺、砷化鎵、氮化鎵、或氮化鎵招。
[0023]供應(yīng)自處理氣體供應(yīng)源134的處理氣體通過(guò)處理氣體入口 136而引入處理氣體區(qū)域120中，處理氣體入口 136形成于基座環(huán)118的側(cè)壁中。處理氣體入口 136配置來(lái)在大體上徑向向內(nèi)的方向中導(dǎo)引處理氣體。在膜形成處理期間，基板支撐件106位于處理位置中，所述處理位置可相鄰于處理氣體入口 136且在大約相同于處理氣體入口 136的高度處，允許處理氣體沿著流動(dòng)路徑138橫越基板108的上表面向上和周圍流動(dòng)。處理氣體通過(guò)氣體出口 142離開(kāi)處理氣體區(qū)域120 (沿著流動(dòng)路徑140)，氣體出口 142位于處理腔室100相對(duì)于處理氣體入口 136的側(cè)部上。通過(guò)氣體出口 142的處理氣體的移除可通過(guò)耦接于氣體出口 142的真空栗144來(lái)促成。
[0024]從凈化氣體源124供應(yīng)的凈化氣體通過(guò)凈化氣體入口 126而引入凈化氣體區(qū)域122中，凈化氣體入口 126形成于基座環(huán)118的側(cè)壁中。凈化氣體入口 126設(shè)置于處理氣體入口 136之下的高度處。若使用圓形屏蔽部167，圓形屏蔽部167可設(shè)置于處理氣體入口 136與凈化氣體入口 126之間。在任一實(shí)例中，凈化氣體入口 126可配置來(lái)在大體上徑向向內(nèi)的方向中導(dǎo)引凈化氣體。若需要的話，凈化氣體入口 126可配置來(lái)在向上的方向中導(dǎo)引凈化氣體。在膜形成處理期間，基板支撐件106位于一位置中，使得凈化氣體沿著流動(dòng)路徑128橫越基板支撐件106的背側(cè)104向下和周圍流動(dòng)。不受任何特定理論限制，相信凈化氣體的流動(dòng)可以防止或?qū)嵸|(zhì)上避免處理氣體流動(dòng)進(jìn)入凈化氣體區(qū)域122，或者減少處理氣體擴(kuò)散進(jìn)入凈化氣體區(qū)域122(亦即，在基板支撐件106之下的區(qū)域)。凈化氣體離開(kāi)凈化氣體區(qū)域122 (沿著流動(dòng)路徑130)并且通過(guò)氣體出口 142而排出處理腔室，氣體出口142位于處理腔室100相對(duì)于凈化氣體入口 126的側(cè)部上。
[0025]流量控制排放器
[0026]雖然一般相信均勻流量是較佳的，更先進(jìn)的沉積處理可能需要較高階的流量場(chǎng)控制。因此，流量控制排放器可提供一個(gè)或更多個(gè)流量場(chǎng)區(qū)域的較高階控制。流量控制排放器可具有偏移的傳導(dǎo)性，偏移的傳導(dǎo)性可導(dǎo)致橫越排放器的流量區(qū)域性。流量區(qū)域性可往上游蔓延某段距離，其中晶片上的沉積會(huì)受到影響。流量控制排放器可并入于其他流量控制機(jī)構(gòu)，諸如區(qū)域注入器，以達(dá)成橫越處理區(qū)域的偏移流量場(chǎng)，諸如參照?qǐng)D1所述的處理氣體區(qū)域120。流量控制排放器可通過(guò)諸如流量控制氣體出口的裝置來(lái)實(shí)現(xiàn)。
[0027]圖2A至圖2G根據(jù)一實(shí)施方式，圖示流量控制氣體出口 200。在一實(shí)施方式中，參照?qǐng)D1所述的氣體出口 142可為流量控制氣體出口 200。流量控制氣體出口可具有孔202，所述孔202形成于氣體出口主體245中。在某些實(shí)施方式中，流量控制氣體出口 200可具有孔202，所述孔202具有多種構(gòu)造，使得進(jìn)入氣體出口 242的氣體可具有不同的速度，所述速度由相對(duì)于所述開(kāi)口的位置來(lái)決定。
[0028]圖2A根據(jù)一實(shí)施方式，為流量控制氣體出口 200。雖然孔202在此圖示為完全由氣體出口主體245圍繞，孔202可形成為多個(gè)元件組合中的開(kāi)口。例如，孔202可為形成于腔室壁部(未圖示)與氣體出口主體245之間的開(kāi)口?？稍O(shè)想出另外的配置，本文不再直接敘述。
[0029]在此實(shí)施方式中，孔202具有多個(gè)流量控制結(jié)構(gòu)形成于其中，本文圖示為第一結(jié)構(gòu)220、第二結(jié)構(gòu)222與第三結(jié)構(gòu)224。在一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施方式中，流量控制結(jié)構(gòu)可多于或少于三個(gè)。第一結(jié)構(gòu)220、第二結(jié)構(gòu)222與第三結(jié)構(gòu)224可各自具有多種形狀，使得當(dāng)存在的氣體255離開(kāi)腔室時(shí)，進(jìn)入的角度與進(jìn)入的空間可用于控制存在的氣體255的方向性與速度。存在的氣體可包括處理氣體、凈化氣體或者其他在處理期間可能存在的氣體。用于第一結(jié)構(gòu)220、第二結(jié)構(gòu)222與第三結(jié)構(gòu)224(或者當(dāng)使用多于或少于三個(gè)結(jié)構(gòu)時(shí)的另外結(jié)構(gòu))的每一者的形狀可不同于彼此，使得每一結(jié)構(gòu)在存在的氣體255中產(chǎn)生可限定的區(qū)域。
[0030]在此實(shí)施方式中，第一結(jié)構(gòu)220與第三結(jié)構(gòu)224小于第二結(jié)構(gòu)222。因此，可預(yù)期，當(dāng)真空栗144操作時(shí)，相較于靠近第一結(jié)構(gòu)220或第三結(jié)構(gòu)224的氣體，靠近第二結(jié)構(gòu)222的氣體會(huì)以較大的體積與較低的速度流動(dòng)。
[0031]圖2B為存在的氣體255的俯視圖，如同相關(guān)于圖2A所述的流量控制氣體出口 200所預(yù)期的。存在的氣體255可從氣體入口 136傳送，如同參照?qǐng)D1所述的。存在的氣體255以特定的流率與特定的流速位于基板208之上，基板208位于基板支撐件206上。存在的氣體255之后被流量控制氣體出口 200接收。根據(jù)第一結(jié)構(gòu)220、第二結(jié)構(gòu)222與第三結(jié)構(gòu)224的形狀，存在的氣體255的流率與流速在靠近這些結(jié)構(gòu)時(shí)改變。因此，第一結(jié)構(gòu)220、第二結(jié)構(gòu)222與第三結(jié)構(gòu)224產(chǎn)生第一區(qū)域260、第二區(qū)域262與第三區(qū)域264。假設(shè)在其他結(jié)構(gòu)上已經(jīng)改變?cè)谔囟▍^(qū)域處的存在的氣體255的流動(dòng)，預(yù)期第二區(qū)域262的流動(dòng)會(huì)慢于第一區(qū)域260與第三區(qū)域264。
[0032]圖2C根據(jù)另一實(shí)施方式，圖示流量控制氣體出口 210。在此實(shí)施方式中，孔202具有三個(gè)流量控制結(jié)構(gòu)形成于氣體出口主體245中，本文圖示為第一結(jié)構(gòu)226、第二結(jié)構(gòu)228與第三結(jié)構(gòu)230。第一結(jié)構(gòu)226與第三結(jié)構(gòu)230大于第二結(jié)構(gòu)228。因此，可預(yù)期，當(dāng)真空栗144操作時(shí)，相較于靠近第一結(jié)構(gòu)226或第三結(jié)構(gòu)230的氣體，靠近第二結(jié)構(gòu)228的氣體會(huì)以較小的體積與較高的速度流動(dòng)。因此，在此實(shí)施方式中，存在的氣體255在中心中會(huì)流動(dòng)得比在邊緣處更快，因?yàn)樘幚須怏w接近流量控制氣體出口。
[0033]圖2D根據(jù)另一實(shí)施方式，圖示流量控制氣體出口 212。在此實(shí)施方式中，孔202具有兩個(gè)流量控制結(jié)構(gòu)形成于氣體出口主體245中，本文圖示為第一結(jié)構(gòu)232與第二結(jié)構(gòu)234。已經(jīng)省略前述實(shí)施方式所示的第三結(jié)構(gòu)，這增加存在的氣體255中產(chǎn)生的區(qū)域的大小，同時(shí)減少總共可限定的區(qū)域的數(shù)量。第一結(jié)構(gòu)232小于第二結(jié)構(gòu)234。因此，可預(yù)期，當(dāng)真空栗144操作時(shí)，相較于靠近第一結(jié)構(gòu)232的氣體，靠近第二結(jié)構(gòu)234的氣體會(huì)以較大的體積與較低的速度流動(dòng)。因此，在此實(shí)施方式中，存在的氣體255在第一邊緣處會(huì)流動(dòng)得比在第二邊緣處更快。
[0034]圖2E根據(jù)另一實(shí)施方式，圖示流量控制氣體出口 214。在此實(shí)施方式中，孔202具有兩個(gè)流量控制結(jié)構(gòu)形成于氣體出口主體245中，本文圖示為第一結(jié)構(gòu)236與第二結(jié)構(gòu)238。已經(jīng)省略前述實(shí)施方式所示的第三結(jié)構(gòu)，這增加存在的氣體255中產(chǎn)生的區(qū)域的大小，同時(shí)減少總共可限定的區(qū)域的數(shù)量。第一結(jié)構(gòu)236大于第二結(jié)構(gòu)238。因此，可預(yù)期，當(dāng)真空栗144操作時(shí)，相較于靠近第一結(jié)構(gòu)236的氣體，靠近第二結(jié)構(gòu)238的氣體會(huì)以較小的體積與較高的速度流動(dòng)。因此，在此實(shí)施方式中，存在的氣體255在第二邊緣處會(huì)流動(dòng)得比在第一邊緣處更快。
[0035]圖2F根據(jù)另一實(shí)施方式，圖示流量控制氣體出口 216。在此實(shí)施方式中，孔202具有三個(gè)流量控制結(jié)構(gòu)形成于氣體出口主體245中，本文圖示為第一結(jié)構(gòu)240、第二結(jié)構(gòu)242與第三結(jié)構(gòu)244。在此所示，第一結(jié)構(gòu)240小于第二結(jié)構(gòu)242，第二結(jié)構(gòu)242小于第三結(jié)