入端口與所述中心線形成角度。
[0051]所述處理腔室可另外包括多個(gè)注入端口，所述多個(gè)注入端口相對(duì)于所述中心線定向于一角度處，其中每一注入端口向所述處理腔室中的聚集點(diǎn)導(dǎo)引氣流。
[0052]所述處理腔室可另外包括至少一注入端口，所述注入端口導(dǎo)引氣流朝向所述處理腔室的排放端口。
[0053]所述處理腔室可另外包括每個(gè)注入路徑獨(dú)立地連接于所述一個(gè)或更多個(gè)注入入口的至少一個(gè)。
[0054]所述處理腔室可另外包括流量控制排放器，所述流量控制排放器流體連接于所述處理區(qū)域，所述流量控制排放器包括一個(gè)或更多個(gè)流量控制結(jié)構(gòu)。
[0055]所述處理腔室可另外包括所述流量控制排放器，所述流量控制排放器包括可置換的流量控制插件，所述流量控制插件具有變化的橫剖面，限定了所述流量控制排放器的一個(gè)或更多個(gè)流量參數(shù)。
[0056]所述處理腔室可另外包括所述流量控制排放器，所述流量控制排放器具有變化的橫剖面，所述變化的橫剖面限定了至少兩個(gè)流量區(qū)域，以在一處理腔室中產(chǎn)生流量均勻性。
[0057]所述處理腔室可另外包括所述流量區(qū)域，所述流量區(qū)域減少在所述處理腔室中的氣流不均勻性。
[0058]所述處理腔室可另外包括所述流量控制排放器，所述流量控制排放器具有三個(gè)流量控制結(jié)構(gòu)。
[0059]所述處理腔室可另外包括所述流量控制排放器，所述流量控制排放器產(chǎn)生至少兩個(gè)區(qū)域，所述至少兩個(gè)區(qū)域由所述處理氣體的速度差異所限定。
[0060]所述處理腔室可另外包括所述多個(gè)流量控制結(jié)構(gòu):所述多個(gè)流量控制結(jié)構(gòu)是圍繞所述處理腔室的一中心線為對(duì)稱的。
[0061]在另一實(shí)施方式中，一種處理腔室可包括:腔室主體；基板支撐件，所述基板支撐件設(shè)置于所述腔室主體內(nèi)，用于支撐基板；下圓頂，所述下圓頂設(shè)置于所述基板支撐件之下；上圓頂，所述上圓頂設(shè)置成相對(duì)于所述下圓頂；基座環(huán)，所述基座環(huán)設(shè)置于所述上圓頂與所述下圓頂之間，所述上圓頂、所述基座環(huán)與所述下圓頂大體上限定了所述處理腔室的處理區(qū)域；以及流量控制排放器，所述流量控制排放器流體連接于所述處理區(qū)域，所述流量控制排放器包括一個(gè)或更多個(gè)流量控制結(jié)構(gòu)。
[0062]所述處理腔室可另外包括所述流量控制排放器，所述流量控制排放器具有三個(gè)流量控制結(jié)構(gòu)。
[0063]所述處理腔室可另外包括所述流量控制排放器，所述流量控制排放器具有至少兩個(gè)區(qū)域，所述至少兩個(gè)區(qū)域由所述處理氣體的速度差異所限定。
[0064]所述處理腔室可另外包括所述流量控制排放器，所述流量控制排放器包括可移除的流量控制插件，所述流量控制插件具有所述流量控制結(jié)構(gòu)，其中所述流量控制插件具有至少兩個(gè)流量區(qū)域，所述流量區(qū)域具有不同的氣流參數(shù)。
[0065]盡管以上針對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式，但可在并未背離本發(fā)明的基本范疇的情況下設(shè)計(jì)本發(fā)明的其它及進(jìn)一步的實(shí)施方式。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種處理腔室，包括: 腔室主體； 基板支撐件，所述基板支撐件設(shè)置于所述腔室主體內(nèi)，用于支撐基板，所述基板支撐件大體上限定所述處理腔室的處理區(qū)域；及 寬注入器，所述寬注入器流體連接于所述處理區(qū)域，所述寬注入器為環(huán)狀并且包括: 中心線； 多個(gè)注入入口； 多個(gè)注入路徑，所述多個(gè)注入路徑流體連接于所述多個(gè)注入入口的至少一個(gè)；及 多個(gè)注入端口，所述多個(gè)注入端口流體連接于所述注入路徑的至少一個(gè)。2.如權(quán)利要求1所述的處理腔室，其中所述注入端口的至少一個(gè)與所述中心線形成一角度。3.如權(quán)利要求1所述的處理腔室，其中所述多個(gè)注入端口相對(duì)于所述中心線定向于一角度處，其中每一注入端口向所述處理腔室中的聚集點(diǎn)導(dǎo)引氣流。4.如權(quán)利要求1所述的處理腔室，其中所述注入端口的至少一個(gè)導(dǎo)引氣流朝向所述處理腔室的排放端口。5.如權(quán)利要求4所述的處理腔室，其中所述注入路徑的每一個(gè)獨(dú)立地連接于所述一個(gè)或更多個(gè)注入入口的至少一個(gè)。6.如權(quán)利要求1所述的處理腔室，進(jìn)一步包括流量控制排放器，所述流量控制排放器流體連接于所述處理區(qū)域，所述流量控制排放器包括一個(gè)或更多個(gè)流量控制結(jié)構(gòu)。7.如權(quán)利要求6所述的處理腔室，其中所述流量控制排放器包括可置換的流量控制插件，所述流量控制插件具有變化的橫剖面，限定了所述流量控制排放器的一個(gè)或更多個(gè)流量參數(shù)。8.如權(quán)利要求6所述的處理腔室，其中所述流量控制排放器具有變化的橫剖面，所述變化的橫剖面限定了至少兩個(gè)流量區(qū)域，以在處理腔室中產(chǎn)生流量均勻性，以及其中所述流量區(qū)域減少在所述腔室中的氣流不均勻性。9.如權(quán)利要求6所述的處理腔室，其中所述流量控制排放器產(chǎn)生至少兩個(gè)區(qū)域，所述至少兩個(gè)區(qū)域由所述處理氣體的速度差異所限定。10.一種處理腔室，包括: 腔室主體； 基板支撐件，所述基板支撐件設(shè)置于所述腔室主體內(nèi)，用于支撐基板； 下圓頂，所述下圓頂設(shè)置于所述基板支撐件之下； 上圓頂，所述上圓頂設(shè)置成相對(duì)于所述下圓頂； 基座環(huán)，所述基座環(huán)設(shè)置于所述上圓頂與所述下圓頂之間，所述上圓頂、所述基座環(huán)與所述下圓頂大體上限定了所述處理腔室的處理區(qū)域；及 流量控制排放器，所述流量控制排放器流體連接于所述處理區(qū)域，所述流量控制排放器包括一個(gè)或更多個(gè)流量控制結(jié)構(gòu)。11.如權(quán)利要求10所述的處理腔室，其中所述流量控制排放器具有三個(gè)流量控制結(jié)構(gòu)。12.如權(quán)利要求10所述的處理腔室，其中所述流量控制排放器具有至少兩個(gè)區(qū)域，所述至少兩個(gè)區(qū)域由所述處理氣體的速度差異所限定。13.如權(quán)利要求10所述的處理腔室，其中所述流量控制排放器包括可移除的流量控制插件，所述流量控制插件具有所述流量控制結(jié)構(gòu)，其中所述流量控制插件具有至少兩個(gè)流量區(qū)域，所述流量區(qū)域具有不同的氣流參數(shù)。14.如權(quán)利要求13所述的處理腔室，其中所述流量控制插件具有變化的橫剖面，所述變化的橫剖面產(chǎn)生所述至少兩個(gè)流量區(qū)域，以在處理腔室中產(chǎn)生流量均勻性，以及其中所述流量區(qū)域減少在所述腔室中的氣流不均勻性。15.一種處理腔室，包括: 腔室主體； 基板支撐件，所述基板支撐件設(shè)置于所述腔室主體內(nèi)，用于支撐基板，所述基板支撐件大體上限定所述處理腔室內(nèi)的處理區(qū)域；及 寬注入器，所述寬注入器流體連接于所述處理區(qū)域，所述寬注入器為環(huán)狀并且包括: 多個(gè)注入入口； 多個(gè)注入路徑，所述多個(gè)注入路徑流體連接于所述一個(gè)或更多個(gè)注入入口的至少一個(gè)；及 多個(gè)注入端口，所述多個(gè)注入端口流體連接于所述注入路徑的至少一個(gè)，其中所述多個(gè)注入端口定向于一角度處、不平行于所述腔室主體的中心線；及 流量控制排放器，所述流量控制排放器流體連接于所述處理區(qū)域，所述流量控制排放器包括多個(gè)流量控制結(jié)構(gòu)，其中所述多個(gè)流量控制結(jié)構(gòu)限定至少兩個(gè)流量區(qū)域，以將不同的流量參數(shù)給予處理氣體，且其中至少注入端口導(dǎo)引氣流朝向所述流量控制排放器。
【專利摘要】本文所述的實(shí)施方式大體上是關(guān)于處理腔室中的流量控制。所述處理腔室可包括流量控制排放器與寬注入器的組合。當(dāng)多種處理氣體進(jìn)入和離開(kāi)所述腔室時(shí)，所述流量控制排放器與所述寬注入器可提供所述多種氣體的受控流量，以及控制已經(jīng)存在于所述腔室中的所述多種氣體。因此，整體的沉積分布可維持得更均勻。
【IPC分類】C23C16/455
【公開(kāi)號(hào)】CN105164309
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201480024551
【發(fā)明人】劉樹(shù)坤, 穆罕默德·圖格魯利·薩米爾
【申請(qǐng)人】應(yīng)用材料公司
【公開(kāi)日】2015年12月16日
【申請(qǐng)日】2014年4月11日
【公告號(hào)】US20140326185, WO2014179014A1