技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及光電化學(xué)電池領(lǐng)域，具體為一種金屬氧化物多孔單晶陣列薄膜的制備方法。以SiO2納米球等作為模板，通過分散、離心等手段將其成膜在基體上，利用水(溶劑)熱、電化學(xué)沉積以及化學(xué)(物理)氣相沉積等方法在沉有造孔模板薄膜的基體上生長金屬氧化物單晶陣列薄膜，最后通過化學(xué)溶解或高溫?zé)Y(jié)等方法去除模板獲得金屬氧化物多孔單晶陣列薄膜。本發(fā)明在沉有造孔模板薄膜的基體上生長金屬氧化物單晶陣列薄膜，去除模板后得到金屬氧化物多孔單晶陣列薄膜的方法，金屬氧化物多孔單晶陣列薄膜是光化學(xué)電池中光電極材料的理想電極結(jié)構(gòu)，兼具大的比表面積(提供更多反應(yīng)活性位以及吸光材料擔(dān)載量)和高的載流子遷移特性。

技術(shù)研發(fā)人員：劉崗;甄超;吳亭亭;成會明
受保護的技術(shù)使用者：中國科學(xué)院金屬研究所
文檔號碼：201510349012
技術(shù)研發(fā)日：2015.06.19
技術(shù)公布日：2017.01.04