1.一種制備石墨烯納米帶的方法，包括如下步驟：將干燥的線性微納單晶進(jìn)行熱處理，得到所述石墨烯納米帶。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述熱處理包括：將所述干燥的線性微納單晶置于基底上，在惰性條件中加熱。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于：所述加熱步驟中，加熱的終溫為300-1000℃或800℃；保溫時(shí)間為3-120min或8min。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的方法，其特征在于：所述惰性條件為氬氣或氮?dú)鈿夥眨?/p>
惰性氣體的流速為50-300sccm或100sccm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一所述的方法，其特征在于：所述干燥的線性微納單晶由含羧基官能團(tuán)的多環(huán)芳香有機(jī)分子、均苯四甲酸、1,4,5,8-萘四甲酸或3,4,9,10-苝四甲酸制得；
或，所述干燥的線性微納單晶由以含羧基官能團(tuán)的多環(huán)芳香有機(jī)分子、均苯四甲酸、1,4,5,8-萘四甲酸或3,4,9,10-苝四甲酸為溶質(zhì)，以水、乙醇和甲醇中的至少一種為溶劑組成的溶液制得。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于：所述干燥的線性微納單晶按照如下方法(1)或(2)制得：
所述方法(1)包括：于溶液中進(jìn)行單晶的生長(zhǎng)，生長(zhǎng)完畢降溫至室溫，得到含有線性微納單晶的液態(tài)體系，再將所述含有線性微納單晶的液態(tài)體系置于基底上，烘干；
所述方法(2)包括：將基底置于溶液中進(jìn)行單晶的生長(zhǎng)，生長(zhǎng)完畢降溫至室溫，烘干。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于：所述方法(1)和方法(2)中，所述溶液的濃度為2-50g.ml-1或10g.ml-1或6μg.ml-1或13μg.ml-1；
所述單晶的生長(zhǎng)步驟中，溫度為35-50℃或40℃；時(shí)間為1-48h或5h或10h或5-10h。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一所述的方法，其特征在于：所述方法還包括使所述石墨烯納米帶有序排列的步驟，也即將所述線性微納單晶進(jìn)行有序排列的步驟。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于：將所述線性微納單晶進(jìn)行有序排列的步驟為步驟a、步驟b或步驟c：
所述步驟a在所述方法(1)中將含有線性微納單晶的液態(tài)體系置于基底上步驟之后，所述烘干步驟之前；
所述步驟a為使所述含有線性微納單晶的液態(tài)體系在所述基底上朝同一方向流動(dòng)；
所述步驟b在在所述方法(1)中將含有線性微納單晶的液態(tài)體系置于基底上步驟之前；
所述步驟b為對(duì)所述基底進(jìn)行表面處理或在所述基底表面設(shè)置有序凹槽；
所述步驟c在所述方法(2)中單晶的生長(zhǎng)步驟之前；
所述步驟c為對(duì)所述基底進(jìn)行表面處理或在所述基底表面設(shè)置有序凹槽。
10.權(quán)利要求1-9任一所述方法制備得到的石墨烯納米帶；
所述石墨烯納米帶的寬度具體為20-300nm。