1.一種高效光熱轉(zhuǎn)換多晶硅板及其制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)首先提供一坩堝，在坩堝的表面從內(nèi)到外依次設(shè)置第一涂層、第二涂層和第三涂層，第一涂層為硼化硅涂層、第二涂層為氮化硅涂層，第三涂層為碳化硅涂層，在碳化硅涂層上涂敷晶態(tài)硅粉涂層；
(2)在上述涂敷后的坩堝內(nèi)側(cè)的底部鋪設(shè)一定厚度的隔離層，并在隔離層上鋪設(shè)一層碎硅料，然后放入多晶硅原料；
(3)將裝有多晶硅原料的坩堝放置于置于帶有電子束發(fā)生裝置的熔化爐，采用波長為1.2-1.8μm激光在80-90A、0.6-20ms、1Hz條件下輻照處理20-25min，然后控制所述坩堝內(nèi)部自下而上形成遞增的溫度梯度，保持6-10h，得到硅熔液，以60-80℃/h的速度階梯式冷卻得到硅錠，粉碎至60目，進(jìn)行酸洗，清洗后烘干，得到第一處理料然后加熱使所述多晶硅料熔化進(jìn)入長晶階段；
(4)進(jìn)入長晶階段后調(diào)節(jié)控溫?zé)犭娕嫉臏囟群蛡?cè)部隔熱籠向上移動(dòng)的速率，使熱量向下輻射而使熔硅在豎直向上的溫度梯度下自下向上生長，同時(shí)通入摻有水蒸汽和氫氣的氬氣，在1450-1500℃下保持1-1.5h，定向凝固；
(5)待所述熔硅結(jié)晶完后經(jīng)退火和冷卻形成高效光熱轉(zhuǎn)換多晶硅板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高效光熱轉(zhuǎn)換多晶硅板及其制備方法，其特征在于，所述的步驟(1)中的氮化硅涂層的厚度為50-70um，純度大于99.9％。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高效光熱轉(zhuǎn)換多晶硅板及其制備方法，其特征在于，所述的步驟(1)中的晶態(tài)硅粉涂層的厚度為40-50um。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高效光熱轉(zhuǎn)換多晶硅板及其制備方法，其特征在于，所述的步驟(1)中的晶態(tài)硅粉涂層的原材料為晶態(tài)硅粉，該晶態(tài)硅粉的平均粒徑為10-15um，純度大于99.9％。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高效光熱轉(zhuǎn)換多晶硅板及其制備方法，其特征在于，所述的步驟(2)中所述的隔離層采用純度大于99.9％的致密塊狀材料均勻鋪設(shè)形成，且該隔離層的厚度為15-25mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高效光熱轉(zhuǎn)換多晶硅板及其制備方法，其特征在于，所述的致密塊狀材料為硅塊、或碳化硅、或氮化硅、或氮化鋁、或石英材料。