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一種Zr?Si?C陶瓷先驅(qū)體的常溫常壓合成方法與流程

文檔序號(hào):12742082閱讀:來(lái)源:國(guó)知局
技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明為一種Zr?Si?C陶瓷先驅(qū)體的常溫常壓合成方法,包括以下步驟:(1)在惰性氣氛保護(hù)下,將二甲基二茂鋯溶于有機(jī)溶劑中,攪拌并加入有機(jī)鋰化合物、配體化合物,干燥得到活性二茂鋯鋰鹽;(2)在惰性氣體氣氛保護(hù)下,用有機(jī)溶劑溶解活性二茂鋯鋰鹽,攪拌并加入鹵代硅烷單體,發(fā)生聚合反應(yīng),滴加終止劑終止反應(yīng),經(jīng)過(guò)濾、濃縮、純化、干燥,即得到Zr?Si?C陶瓷先驅(qū)體。本發(fā)明方法無(wú)需高溫、低溫、高壓、通電等條件,在常溫常壓下即可進(jìn)行反應(yīng),采用活性高的二甲基二茂鋯、較便宜且較安全的正丁基鋰與鹵硅烷單體反應(yīng),通過(guò)兩步法制備Zr?Si?C陶瓷先驅(qū)體,方法簡(jiǎn)便、科學(xué)合理。采用本方法合成的Zr?Si?C陶瓷先驅(qū)體多種多樣,可用于制備種類繁多的Zr?Si?C陶瓷。

技術(shù)研發(fā)人員:茍燕子;張千策;王亦菲;王浩;簡(jiǎn)科;王軍;邵長(zhǎng)偉
受保護(hù)的技術(shù)使用者:中國(guó)人民解放軍國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué)
文檔號(hào)碼:201610686044
技術(shù)研發(fā)日:2016.08.18
技術(shù)公布日:2017.01.25

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