1.一種衛(wèi)生陶器，其具備釉藥層、在該釉藥層上設(shè)置的中間層和在該中間層上設(shè)置的光催化劑層，其特征在于，
所述光催化劑層分別含有95質(zhì)量％～75質(zhì)量％的氧化鈦及5～25質(zhì)量％的氧化鋯，
所述中間層分別含有98質(zhì)量％～85質(zhì)量％的二氧化硅及含有氧化鈦和氧化鋯兩者的情況下，其合計為2質(zhì)量％～15質(zhì)量％的氧化鈦及/或氧化鋯。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的衛(wèi)生陶器，其特征在于，所述中間層含有二氧化硅和氧化鈦，二氧化硅含量為90～98質(zhì)量％，且氧化鈦含量為2～10質(zhì)量％。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的衛(wèi)生陶器，其特征在于，所述二氧化硅含量為90～95質(zhì)量％，且所述氧化鈦含量為5～10質(zhì)量％。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的衛(wèi)生陶器，其特征在于，所述中間層含有二氧化硅和氧化鋯，二氧化硅的含量為90～98質(zhì)量％，且氧化鋯含量為2～10質(zhì)量％。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的衛(wèi)生陶器，其特征在于，所述二氧化硅的含量為90～95質(zhì)量％，且所述氧化鋯含量為5～10質(zhì)量％。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任意一項所述的衛(wèi)生陶器，其特征在于，所述光催化劑層的氧化鈦含量為90～80質(zhì)量％，且氧化鋯含量為10質(zhì)量％～20質(zhì)量％。
7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任意一項所述的衛(wèi)生陶器，其特征在于，所述中間層具有50～150nm的膜厚。
8.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任意一項所述的衛(wèi)生陶器，其特征在于，所述光催化劑層具有50～150nm的膜厚。
9.一種衛(wèi)生陶器的制造方法，為權(quán)利要求1～8中任意一項所述的衛(wèi)生陶器的制造方法，其特征在于，包含：
在衛(wèi)生陶器的釉藥層上涂布混合硅醇或其水解產(chǎn)物及鈦醇及/或鋯醇的涂覆液，
進而涂布含有其氧化鈦的前軀體及氧化鋯的前軀體的涂覆液，
其后，在750～850℃的溫度下燒成的工序。