1.一種SiC陶瓷基復(fù)合材料構(gòu)件，所述SiC陶瓷基復(fù)合材料構(gòu)件包括多塊被連接件，所述被連接件兩兩之間通過位于連接接頭處的連接層連接成一體，所述被連接件的材料為SiC陶瓷基復(fù)合材料；其特征在于，所述連接層由混合漿料經(jīng)氣相滲硅燒結(jié)而成，所述混合漿料包括炭黑、α-SiC陶瓷粉和分散劑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiC陶瓷基復(fù)合材料構(gòu)件，其特征在于，所述連接層的組分包括Si和SiC，其中，SiC為連續(xù)相，Si為游離相，游離相分布于連接層表面的連續(xù)相中；所述SiC由α-SiC和β-SiC組成，所述α-SiC為α-SiC陶瓷粉，所述β-SiC為炭黑經(jīng)氣相滲硅燒結(jié)而成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的SiC陶瓷基復(fù)合材料構(gòu)件，其特征在于，所述Si由未參與反應(yīng)的氣相硅凝結(jié)在連接層內(nèi)部而成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3任一項(xiàng)所述的SiC陶瓷基復(fù)合材料構(gòu)件，其特征在于，所述分散劑為聚乙烯吡咯烷酮和四甲基氫氧化銨。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～3任一項(xiàng)所述的SiC陶瓷基復(fù)合材料構(gòu)件，其特征在于，所述SiC陶瓷基復(fù)合材料包括C/SiC陶瓷基復(fù)合材料或SiC/SiC陶瓷基復(fù)合材料。
6.一種如權(quán)利要求1～5任一項(xiàng)所述的SiC陶瓷基復(fù)合材料構(gòu)件的制備方法，包括以下步驟：
（1）混合漿料的配制：將混合固相、分散劑和水混合后球磨，得到混合漿料，所述混合固相由炭黑和α-SiC陶瓷粉組成；所述混合漿料的固含量為55%～75%；
（2）預(yù)連接：將步驟（1）所得的混合漿料進(jìn)行真空除氣后，涂刷在多個(gè)被連接件預(yù)制件的連接面上，兩兩連接成一體，得到預(yù)連接構(gòu)件；
（3）氣相滲硅燒結(jié)：將步驟（2）所得的預(yù)連接構(gòu)件進(jìn)行氣相滲硅燒結(jié)，得到SiC陶瓷基復(fù)合材料構(gòu)件。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的SiC陶瓷基復(fù)合材料構(gòu)件的制備方法，其特征在于，所述步驟（1）中，所述混合固相中，所述分散劑為聚乙烯吡咯烷酮和四甲基氫氧化銨，所述炭黑占混合固相的質(zhì)量百分含量為5%～20%，所述α-SiC陶瓷粉占混合固相的質(zhì)量百分含量為80%～95%，所述聚乙烯吡咯烷酮的質(zhì)量為炭黑的2%～7%，所述四甲基氫氧化銨的質(zhì)量為SiC陶瓷粉的0.4%～1.0%。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的SiC陶瓷基復(fù)合材料構(gòu)件的制備方法，其特征在于，所述步驟（2）中，所述被連接件預(yù)制件的材質(zhì)包括C/C素坯、C/C復(fù)合材料、C/SiC陶瓷基復(fù)合材料或SiC/SiC陶瓷基復(fù)合材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的SiC陶瓷基復(fù)合材料構(gòu)件的制備方法，其特征在于，所述C/SiC陶瓷基復(fù)合材料或SiC/SiC陶瓷基復(fù)合材料中，SiC陶瓷包括氣相滲硅燒結(jié)工藝引入的SiC陶瓷。
10.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的SiC陶瓷基材料復(fù)合構(gòu)件的制備方法，其特征在于，所述步驟（3）中，所述氣相滲硅燒結(jié)的溫度為1500℃～1700℃，時(shí)間為1h～2.5h。