本實(shí)用新型涉及坩堝領(lǐng)域，特別是涉及一種新型結(jié)構(gòu)多晶鑄錠爐用的坩堝。

背景技術(shù)：

不可再生能源的不斷枯竭使可再生能源受到廣泛的關(guān)注，尤以太陽能特別受到關(guān)注，太陽能的利用成為了可再生資源利用的主力軍。太陽能電池產(chǎn)業(yè)硅錠或硅片的生產(chǎn)越來越受到重視。

當(dāng)前的多晶鑄錠技術(shù)多采用定向凝固生長的方法，為了獲得低缺陷的硅錠，多采用沿著生長方向整齊排列的柱狀晶結(jié)構(gòu)，在鑄錠生長的初期為了減少缺陷的分布，使用減小晶粒大小增加晶界的長度的方式，應(yīng)力釋放進(jìn)入晶界而降低缺陷的產(chǎn)生，達(dá)到后期提高制成后的電池效率。

控制晶體初始形核的速度、大小和晶粒方向是實(shí)現(xiàn)提高多晶硅錠質(zhì)量的前提和基礎(chǔ)。目前生產(chǎn)所用的坩堝晶核形成慢，大小不均勻，導(dǎo)致多晶硅錠的生產(chǎn)速度慢，形貌差，而且多晶硅錠在冷卻時(shí)容易發(fā)生開裂和被雜質(zhì)污染的現(xiàn)象。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于上述狀況，有必要提供一種新型結(jié)構(gòu)多晶鑄錠爐用的坩堝，以提高多晶硅錠的生產(chǎn)速度和質(zhì)量。

一種新型結(jié)構(gòu)多晶鑄錠爐用的坩堝，包括方形的坩堝本體及坩堝本體內(nèi)的多個(gè)豎直的隔板，所述隔板將坩堝本體分隔成多個(gè)區(qū)間，所述隔板與所述坩堝本體可拆卸地連接，所述坩堝本體的內(nèi)表面及所述隔板的表面均依次凃敷有氧化硅層、氮化硅層、多晶硅顆粒層，所述多晶硅顆粒層上設(shè)置多個(gè)凹陷。

本實(shí)用新型提出的一種多晶鑄錠爐用的坩堝，通過設(shè)置隔板將坩堝分隔成多個(gè)結(jié)晶區(qū)間，提高多晶硅錠的生產(chǎn)速度，坩堝本體的內(nèi)壁和隔板的壁面通過多晶硅顆粒層和凹陷形成凹凸起伏的形貌，引導(dǎo)多晶硅在坩堝本體及隔板的壁面上生長大小均勻的小晶粒，保證多晶硅均勻快速地生長，且該隔板與坩堝本 體上凃敷氧化硅、氮化硅涂層，以防止二氧化硅和熔融硅發(fā)生反應(yīng)，進(jìn)而避免多晶硅錠污染和開裂。

上述新型結(jié)構(gòu)多晶鑄錠爐用的坩堝，其中，所述隔板上設(shè)有滑塊，所述坩堝本體的內(nèi)壁設(shè)有與所述滑塊相匹配的滑道。

上述新型結(jié)構(gòu)多晶鑄錠爐用的坩堝，其中，所述隔板設(shè)置4個(gè)，且均從所述坩堝本體的中心延伸至所述坩堝本體的側(cè)壁。

上述新型結(jié)構(gòu)多晶鑄錠爐用的坩堝，其中，所述凹陷呈矩陣排列。

上述新型結(jié)構(gòu)多晶鑄錠爐用的坩堝，其中，所述氮化硅層的厚度為所述氧化硅層厚度的兩倍。

上述新型結(jié)構(gòu)多晶鑄錠爐用的坩堝，其中，所述坩堝本體及所述隔板均為石英材質(zhì)。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提出的新型結(jié)構(gòu)多晶鑄錠爐用的坩堝結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為圖1中保護(hù)涂層的截面示意圖。

主要元件符號說明

具體實(shí)施方式

為了便于理解本實(shí)用新型，下面將參照相關(guān)附圖對本實(shí)用新型進(jìn)行更全面的描述。附圖中給出了本實(shí)用新型實(shí)施例。但是，本實(shí)用新型可以以許多不同的形式來實(shí)現(xiàn)，并不限于本文所描述的實(shí)施例。相反地，提供該實(shí)施例的目的是使對本實(shí)用新型的公開內(nèi)容更加透徹全面。

需要說明的是，當(dāng)元件被稱為“固設(shè)于”另一個(gè)元件，它可以直接在另一個(gè)元件上或者也可以存在居中的元件。當(dāng)一個(gè)元件被認(rèn)為是“連接”另一個(gè)元件，它可 以是直接連接到另一個(gè)元件或者可能同時(shí)存在居中元件。本文所使用的術(shù)語“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及類似的表述只是為了說明的目的。

除非另有定義，本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語與屬于本實(shí)用新型的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在本實(shí)用新型的說明書中所使用的術(shù)語只是為了描述具體的實(shí)施例的目的，不是旨在于限制本實(shí)用新型。本文所使用的術(shù)語“及/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)的所列項(xiàng)目的任意的和所有的組合。

請參閱圖1，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種新型結(jié)構(gòu)多晶鑄錠爐用的坩堝，包括方形的坩堝本體1及坩堝本體1內(nèi)的多個(gè)豎直的隔板2。本實(shí)施例中所述隔板2設(shè)置4個(gè)，且沿著共同的軸從坩堝本體1的中心延伸至坩堝本體1的側(cè)壁上，從而將坩堝本體1分成4個(gè)結(jié)晶區(qū)間，所述4個(gè)隔板一體成型。將坩堝本體1分成多個(gè)結(jié)晶區(qū)間，晶體成核速度快，提高了多晶硅錠生產(chǎn)速度。所述隔板2與所述坩堝本體1相連的一側(cè)邊上設(shè)有滑塊，所述坩堝本體1的內(nèi)壁設(shè)有與所述滑塊相匹配的滑道，通過滑塊與滑道的配合，隔板2與坩堝本體1可拆卸地連接，方便將隔板2拆卸下來進(jìn)行清洗。所述坩堝本體1及所述隔板2均采用石英材質(zhì)制成。

為了防止二氧化硅和熔融硅發(fā)生反應(yīng)，進(jìn)而避免硅錠污染和開裂，所述坩堝本體1的內(nèi)表面及所述隔板2的表面凃敷保護(hù)涂層。

請參閱圖2，為保護(hù)涂層的截面示意圖，所述保護(hù)涂層為依次凃敷在坩堝本體1的內(nèi)表面及隔板2的表面的氧化硅層3、氮化硅層4和多晶硅顆粒層5。所述氮化硅層4的厚度為所述氧化硅層3厚度的兩倍。所述多晶硅顆粒層5為致密結(jié)構(gòu)，其表面設(shè)置多個(gè)的凹陷6，所述凹陷6呈矩陣排列。坩堝本體1的內(nèi)壁和隔板2的壁面通過多晶硅顆粒層5和凹陷6形成凹凸起伏的形貌，引導(dǎo)多晶硅在坩堝本體1及隔板2的壁面上生長大小均勻小晶粒，保證多晶硅均勻快速地生長。

以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本實(shí)用新型的實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對本實(shí)用新型專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若 干變形和改進(jìn)，這些都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。因此，本實(shí)用新型專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。