本實(shí)用新型涉及化學(xué)氣相沉積設(shè)備領(lǐng)域，具體涉及一種薄膜沉積均勻，良品率高的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積裝置。

背景技術(shù)：

金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積是制備混合半導(dǎo)體器件、金屬、及金屬氧化物薄膜材料的一種技術(shù)。金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)通常以III族金屬有機(jī)源和V族氫化物源作為反應(yīng)氣體，用氫氣、氮?dú)饣驓鍤庾鳛檩d氣，以熱分解反應(yīng)方式在基片上進(jìn)行氣相外延生長，從而生長各種III-V族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料，如氮化鎵GaN、砷化鎵GaAs、磷化銦InP等。

現(xiàn)有技術(shù)中的MOCVD裝置一般包括：反應(yīng)腔、位于反應(yīng)腔頂部的氣體噴淋組件，和與氣體噴淋組件相對(duì)設(shè)置的基座。氣體噴淋組件包括兩個(gè)進(jìn)氣管路和氣體分配單元，兩個(gè)進(jìn)氣管路分別將III族金屬有機(jī)源和V族氫化物源傳輸至氣體分配單元，氣體分配單元具有排氣面，排氣面上具有排氣孔，用于排出III族金屬有機(jī)源和V族氫化物源?；糜谥魏图訜嵋r底，由氣體噴淋組件排出的III族金屬有機(jī)源和V族氫化物源到達(dá)所述基片后發(fā)生反應(yīng)，生成III-V族化合物半導(dǎo)體?，F(xiàn)有技術(shù)中，因反應(yīng)過程中通入的反應(yīng)氣體和惰性過熱氣體的流速過高，在與工件接觸時(shí)容易對(duì)支架上的工件造成氣性擾動(dòng)，從而對(duì)薄膜的沉積造成不良影響，造成沉積得到的薄膜的厚度和性質(zhì)不均，降低了產(chǎn)品的良率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為解決上述問題，本實(shí)用新型提供了一種薄膜沉積均勻，良品率高的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積裝置。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采取的技術(shù)方案為：

一種金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積裝置，包括具有反應(yīng)腔的反應(yīng)室，所述反應(yīng)室的側(cè)壁設(shè)有第一氣態(tài)反應(yīng)劑進(jìn)氣管和第二氣態(tài)反應(yīng)劑進(jìn)氣管，所述反應(yīng)腔中設(shè)有用于托放工件的圓盤支架，其中，所述圓盤支架的上表面設(shè)有用于固定工件的安放槽和貫通所述圓盤支架的通孔，所述安放槽的槽底設(shè)有磁片，所述反應(yīng)腔中在位于所述圓盤支架的上方設(shè)有圓盤狀的電極，所述反應(yīng)室的下表面室壁上嵌設(shè)有環(huán)形導(dǎo)熱體，所述環(huán)形導(dǎo)熱體的上部散熱面位于所述反應(yīng)腔中，所述反應(yīng)室的下表面室壁在對(duì)應(yīng)于所述環(huán)形導(dǎo)熱體的下部導(dǎo)熱面連接有電熱器，所述反應(yīng)腔連通有氣熱機(jī)構(gòu)，所述反應(yīng)室的下表面設(shè)有若干排氣通道，所述排氣通道連接有真空泵。

上述的一種金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積裝置，所述氣熱機(jī)構(gòu)包括一體成型于所述反應(yīng)室的下表面室壁并垂直于所述反應(yīng)室的下表面室壁的氣熱管，所述氣熱管的下端設(shè)有熱氣倉，所述熱氣倉連接一裝有惰性氣體的氣瓶。

上述的一種金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積裝置，所述圓盤支架的中心部位設(shè)有垂直向下延伸的分導(dǎo)管，所述分導(dǎo)管貫通所述圓盤支架的中心部位，所述分導(dǎo)管的管徑小于所述氣熱管的管徑，將所述氣熱管的管內(nèi)空間分隔為中心供氣通道和環(huán)形供氣通道。

上述的一種金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積裝置，所述圓盤支架的下表面和所述反應(yīng)腔的下腔壁之間設(shè)有與所述環(huán)形供氣通道連通的平流通道。

本實(shí)用新型具有以下有益效果：本實(shí)用新型通過在圓盤支架的上表面設(shè)置用于固定工件的安放槽，并在安放槽的槽底設(shè)置磁片，使得工件可穩(wěn)定地固定在圓盤支架上，圓盤支架上布置的通孔使得惰性氣體和反應(yīng)氣體得到了緩釋，降低了反應(yīng)腔內(nèi)氣流的擾動(dòng)，在沉積時(shí)工件固定牢靠，薄膜沉積均勻，良品率高。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)圖；

圖2為本實(shí)用新型所述圓盤支架在安放槽處的局部示意圖。

圖中：1-反應(yīng)室、2-反應(yīng)腔、3-圓盤支架、4-電極、5-氣熱管、6-排氣通道、7-電熱器、8-第一氣態(tài)反應(yīng)劑進(jìn)氣管、9-工件、11-環(huán)形導(dǎo)熱體、31-安放槽、32-磁片、33-通孔、34-中心供氣通道、51-熱氣倉、52-氣瓶、53-分導(dǎo)管、54-環(huán)形供氣通道、61-真空泵、81-第二氣態(tài)反應(yīng)劑進(jìn)氣管。

具體實(shí)施方式

為了使本實(shí)用新型的目的及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。

如圖1和圖2所示，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積裝置，包括具有反應(yīng)腔2的反應(yīng)室1，反應(yīng)室1的側(cè)壁設(shè)有第一氣態(tài)反應(yīng)劑進(jìn)氣管8和第二氣態(tài)反應(yīng)劑進(jìn)氣管81。反應(yīng)腔2中設(shè)有用于托放工件9的圓盤支架3。其中，作為本實(shí)用新型的一種改進(jìn)，圓盤支架3的上表面設(shè)有用于固定工件9的安放槽31和貫通圓盤支架3的通孔33。安放槽31的槽底設(shè)有磁片32，反應(yīng)腔2中在位于圓盤支架3的上方設(shè)有圓盤狀的電極4，反應(yīng)室1的下表面室壁上嵌設(shè)有環(huán)形導(dǎo)熱體11。環(huán)形導(dǎo)熱體11的上部散熱面位于反應(yīng)腔2中，反應(yīng)室1的下表面室壁在對(duì)應(yīng)于環(huán)形導(dǎo)熱體11的下部導(dǎo)熱面連接有電熱器7。反應(yīng)腔2連通有氣熱機(jī)構(gòu)，氣熱機(jī)構(gòu)輔助進(jìn)行熱供應(yīng)。反應(yīng)室1的下表面設(shè)有若干排氣通道6，排氣通道6連接有真空泵61。

具體的，在上述的一種金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積裝置中，氣熱機(jī)構(gòu)包括一體成型于反應(yīng)室1的下表面室壁并垂直于反應(yīng)室1的下表面室壁的氣熱管5，氣熱管5的下端設(shè)有熱氣倉51，熱氣倉51連接一裝有惰性氣體的氣瓶52。圓盤支架3的中心部位設(shè)有垂直向下延伸的分導(dǎo)管53，分導(dǎo)管53貫通圓盤支架3的中心部位，分導(dǎo)管53的管徑小于氣熱管5的管徑，分導(dǎo)管53將氣熱管5的管內(nèi)空間分隔為中心供氣通道34和環(huán)形供氣通道54。圓盤支架3的下表面和反應(yīng)腔2的下腔壁之間設(shè)有與環(huán)形供氣通道54連通的平流通道(圖中未示出)。

綜上所述，本實(shí)用新型通過在圓盤支架的上表面設(shè)置用于固定工件的安放槽，并在安放槽的槽底設(shè)置磁片，使得工件可穩(wěn)定地固定在圓盤支架上，圓盤支架上布置的通孔使得惰性氣體和反應(yīng)氣體得到了緩釋，降低了反應(yīng)腔內(nèi)氣流的擾動(dòng)，在沉積時(shí)工件固定牢靠，薄膜沉積均勻，良品率高。

以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。