技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型涉及一種防止石墨坩堝氧化和SiC蒸汽逸出的裝置，包括：坩堝、頂保溫層、側(cè)保溫層、底保溫層、感應(yīng)線圈、主加熱器和碳化硼涂料板；所述的坩堝側(cè)、底和頂三圍包覆有側(cè)保溫層、底保溫層和頂保溫層，所述的頂保溫層上端設(shè)置有凹槽；所述的主加熱器設(shè)置在側(cè)保溫層和底保溫層與坩堝之間位置；所述的碳化硼涂料板垂直固定設(shè)置在坩堝頂部上表面；所述的坩堝內(nèi)部包括原料區(qū)和籽晶區(qū)。本實(shí)用新型的有益效果是：防止氧氣腐蝕坩堝進(jìn)而污染SiC單晶，同時(shí)減少了SiC蒸汽通過孔隙的逸出量。保證單晶質(zhì)量的同時(shí)提高原料利用率。

技術(shù)研發(fā)人員：楊昆;楊宇銘;高宇;鄭清超
受保護(hù)的技術(shù)使用者：河北同光晶體有限公司
文檔號(hào)碼：201621345351
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.09
技術(shù)公布日：2017.06.13