技術(shù)總結(jié)
本實用新型公開了一種有效防止揮發(fā)物干擾的提拉法單晶生長爐用測溫裝置，所述的測溫裝置設(shè)置于晶體生長爐爐腔之上的爐體蓋上，所述的測溫裝置之測溫儀通過安裝孔密封設(shè)置于爐體蓋中，測溫儀之測溫探頭朝向熔湯，所述爐體蓋底部對應(yīng)于測溫儀測溫探頭設(shè)置清理裝置，所述清理裝置一側(cè)設(shè)置開口并通過氣管連通氣源；所述測溫儀與清理裝置之間設(shè)置石英窗口。本實用新型把測溫裝置設(shè)置在晶體生長爐的爐體蓋上，對晶體生長爐內(nèi)部的熱場進行非接觸式測溫，實現(xiàn)溫度的閉環(huán)控制；在設(shè)置有測溫儀的石英窗口前端設(shè)置清理裝置，避免了測溫儀被揮發(fā)物附著形成的隔層干擾導致的測溫誤差問題，達到及時掌握和控制晶體的生長情況，提高晶體生長質(zhì)量。

技術(shù)研發(fā)人員：李照存
受保護的技術(shù)使用者：昆明沃特爾機電設(shè)備有限公司
文檔號碼：201621426206
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.23
技術(shù)公布日：2017.07.11