1.一種單晶銅鎳合金的制備方法，其特征在于，在單晶銅箔上鍍鎳然后進(jìn)行退火獲得單晶銅鎳合金，所述單晶銅箔為Cu(111)單晶銅箔。
2.一種多層單晶石墨烯的制備方法，其特征在于，選用單晶銅鎳合金作為襯底，在其表面生長(zhǎng)出高質(zhì)量多層單晶石墨烯。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，超大尺寸多層單晶石墨烯層數(shù)為2～10層，堆垛方式為AB堆垛。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述在單晶銅箔上鍍鎳的方法包括電化學(xué)沉積鍍膜、真空蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜、真空離子鍍膜；優(yōu)選的是，以銅箔和所鍍鎳的總厚度為100％計(jì)所鍍鎳的厚度為1％～20％；退火后，以銅和鎳的總重量為100％計(jì)鎳占比為1wt％～20wt％；優(yōu)選的是，銅箔的厚度為10－100μm，鎳的厚度為0.1－20μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：
(一)、將所述鍍鎳單晶銅箔平置于耐高溫襯底上，放入化學(xué)氣相沉積設(shè)備中，通入惰性氣體及H2，然后開始升溫，所述的惰性氣體為N2或Ar；
(二)、溫度升至800～1100℃時(shí)，保持溫度恒定，進(jìn)行退火過(guò)程，退火結(jié)束后即得到所述單晶銅鎳合金。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：
(一)、將鍍鎳單晶銅箔平置于耐高溫襯底上，放入化學(xué)氣相沉積設(shè)備中，通入惰性氣體及H2，然后開始升溫，所述的惰性氣體為N2或Ar；
(二)、溫度升至800～1100℃時(shí)，保持溫度恒定，進(jìn)行退火過(guò)程；
(三)、退火結(jié)束后，調(diào)整溫度為800～1100℃，開始通入CH4和惰性氣體的混合氣體，混合氣體流量為0.2～50sccm(CH4占整個(gè)混合氣體的體積含量為200～20000ppm)，同時(shí)調(diào)節(jié)H2的流量為0.2～50sccm，生長(zhǎng)時(shí)間為10min～20h；
(四)、生長(zhǎng)結(jié)束后，冷卻至室溫，即得到超大尺寸多層單晶石墨烯；
優(yōu)選的是，所述方法包括如下步驟：
(一)、將鍍鎳單晶銅箔放在耐高溫襯底上，放入化學(xué)氣相沉積設(shè)備中，通入惰性氣體，流量為300sccm以上，通入H2氣體，H2流量為2～500sccm，然后開始升溫，升溫過(guò)程持續(xù)50～70min，所述的惰性氣體為N2或Ar；
(二)、溫度升至800～1100℃時(shí)，惰性氣體及H2流量保持不變，進(jìn)行退火過(guò)程，退火持續(xù)時(shí)間30min～10h；
(三)、退火結(jié)束后，調(diào)整溫度為800～1100℃，開始通入CH4和惰性氣體的混合氣體，混合氣體流量為0.2～50sccm(CH4占整個(gè)混合氣體的體積含量為200～20000ppm)，同時(shí)調(diào)節(jié)H2流量為0.2～50sccm，惰性氣體流量保持不變，生長(zhǎng)時(shí)間為10min～20h；
(四)、生長(zhǎng)結(jié)束后，關(guān)閉加熱電源，停止通入CH4氣體，以惰性氣體和H2為保護(hù)氣體，自然冷卻至室溫，在銅箔表面生長(zhǎng)出高質(zhì)量超大尺寸多層單晶石墨烯。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，制備出的單晶銅鎳合金取向與單晶銅箔取向一致，為(111)方向，用來(lái)生長(zhǎng)晶體結(jié)構(gòu)具有三重對(duì)稱性的超大尺寸單晶二維材料；優(yōu)選的是，所述二維材料為石墨烯或BN(氮化硼)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1－7任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，制備出的單晶銅鎳合金徑向尺寸為1～5cm。
9.根據(jù)權(quán)利要求2－6任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，超大尺寸多層單晶石墨烯由小尺寸石墨烯疇區(qū)融合而成，石墨烯疇區(qū)取向與單晶銅鎳合金取向一致，融合后形成無(wú)晶界的高質(zhì)量超大尺寸多層石墨烯單晶；優(yōu)選的是，制備的石墨烯單晶尺寸與銅鎳合金單晶尺寸一致，徑向尺寸為1～5cm。
10.一種超大尺寸多層單晶石墨烯，其特征在于，所述超大尺寸多層單晶石墨烯是由權(quán)利要求2-9任一項(xiàng)所述的方法所制備，所述超大尺寸多層單晶石墨烯的徑向尺寸為1～5cm；優(yōu)選的是，超大尺寸多層單晶石墨烯層數(shù)為2～10層，堆垛方式為AB堆垛。