技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種<100>晶向小晶粒鑄造多晶硅的制備方法，包括如下步驟：1)將<100>晶向的碎單晶硅片平鋪在反應(yīng)器底部，形成籽晶層；繼續(xù)將硅原料與摻雜元素置于籽晶層上；2)加熱反應(yīng)器使籽晶層上的硅原料與摻雜元素完全熔化，而籽晶層不被完全熔化；3)熱交換從反應(yīng)器底部開始，使<100>晶向的碎單晶硅片作為籽晶，誘導(dǎo)晶體生長，通過定向凝固形成多晶硅。該方法不但得到了低位錯密度的小晶粒鑄造多晶硅，而且鑄錠的晶粒取向統(tǒng)一為<100>晶向，解決了高效鑄造多晶硅無法使用堿腐蝕制絨的技術(shù)難題。

技術(shù)研發(fā)人員：楊德仁;祝洪良;余學(xué)功
受保護(hù)的技術(shù)使用者：浙江大學(xué)
文檔號碼：201710120924
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.02
技術(shù)公布日：2017.05.17