1.一種摻氮中空碳納米材料的制備方法，其特征在于以ZnO納米材料作為自犧牲模板，以TATB作為唯一碳源和氮源，利用化學(xué)氣相沉積法制備，具體包括如下步驟：
取TATB平鋪于瓷舟底部，接著將平鋪于瓷舟底部的TATB和ZnO納米材料置于管式爐內(nèi)，使兩者保持一定距離，在惰性或還原性氣氛保護(hù)下，加熱TATB使其經(jīng)過升華、熱解、碳化反應(yīng)后得到摻氮中空碳納米材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的摻氮中空碳納米材料的制備方法，其特征在于摻氮中空碳納米材料的形貌由ZnO納米材料模板決定。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的摻氮中空碳納米材料的制備方法，其特征在于：所述TATB和ZnO納米材料模板的質(zhì)量比>10。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的摻氮中空碳納米材料的制備方法，其特征在于：所述ZnO納米材料負(fù)載于基底上，或者以粉末形態(tài)存在。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的摻氮中空碳納米材料的制備方法，其特征在于：所述基底為泡沫鎳、碳纖維或碳布。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的摻氮中空碳納米材料的制備方法，其特征在于：所述ZnO納米材料模板與TATB保持一定距離指的是ZnO納米材料模板置于TATB正上方不超過5cm，或置于順著保護(hù)氣氣流方向距離TATB下游不超過15cm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的摻氮中空碳納米材料的制備方法，其特征在于：所述加熱TATB指升溫速率<10℃/min，反應(yīng)溫度>500℃，達(dá)到反應(yīng)溫度后保持反應(yīng)溫度時(shí)間1h。
8.權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的摻氮中空碳納米材料的制備方法制備得到的摻氮中空碳納米材料。