技術(shù)特征：

1.一種低溫?zé)Y(jié)高介電常數(shù)電容器介質(zhì)材料，化學(xué)式為Bi₂(Mg_1-xCu_x)_2/3Nb_4/3O₇，其中x＝0.05～0.2。

該電容器介質(zhì)材料的制備方法，具有如下步驟：

(1)將原料Bi₂O₃、Nb₂O₅、CuO、MgO按Bi₂(Mg_1-xCu_x)_2/3Nb_4/3O₇，其中x＝0.05～0.2的化學(xué)式稱量配料；

(2)將步驟(1)配制的粉料放入球磨罐中，加入氧化鋯球和去離子水，球磨4小時(shí)；再將球磨后的原料置于紅外干燥箱中烘干，烘干后過40目篩，獲得顆粒均勻的粉料；

(3)將步驟(2)顆粒均勻的粉料于750℃下煅燒4小時(shí)，合成主晶相；

(4)在步驟(3)合成主晶相后的粉料中外加質(zhì)量百分比為0.75％的聚乙烯醇，放入球磨罐中，加入氧化鋯球和去離子水，球磨12小時(shí)，烘干后過80目篩，再用粉末壓片機(jī)以4MPa的壓力成型為坯體；

(5)將步驟(4)成型后的坯體于850～950℃燒結(jié)，保溫4小時(shí)，制成高介電常數(shù)溫度穩(wěn)定型陶瓷電容器介質(zhì)材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低溫?zé)Y(jié)高介電常數(shù)電容器介質(zhì)材料，其特征在于，所述步驟(2)或步驟(4)的烘干溫度為100℃。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低溫?zé)Y(jié)高介電常數(shù)電容器介質(zhì)材料，其特征在于，所述步驟(2)或步驟(4)的陶瓷粉體與氧化鋯球、去離子水的質(zhì)量比為1∶1∶2。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低溫?zé)Y(jié)高介電常數(shù)電容器介質(zhì)材料，其特征在于，所述步驟(4)的坯體為Φ10mm×1mm的圓片。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低溫?zé)Y(jié)高介電常數(shù)電容器介質(zhì)材料，其特征在于，所述步驟(5)的燒結(jié)溫度為925℃，保溫時(shí)間為4h。