技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種多晶體硅制作工藝，包括一下步驟：（1）抽空，將硅料置于爐體內(nèi)，抽空至0.06mbar，保持5～10min并在室溫條件下進(jìn)行漏率測試；（2）熔料，在720～780min內(nèi)緩慢地將爐體內(nèi)溫度加熱至高溫，提高硅料熔化和排雜效率；（3）結(jié)晶，通過調(diào)整多晶爐頂部加熱器和爐體底部加熱器功率變化幅度來控制結(jié)晶速度，使得硅錠排雜效果更好，表面更平整，減小裂紋比例，從而提高硅錠的品質(zhì)。本發(fā)明的優(yōu)點在于：排雜質(zhì)效率高、多晶體硅品質(zhì)好。

技術(shù)研發(fā)人員：朱海翔;龐昭;梁杰;劉迎春;高玖林
受保護(hù)的技術(shù)使用者：四川欣藍(lán)光電科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.05.03
技術(shù)公布日：2017.09.05