技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種利用溫場(chǎng)可調(diào)的晶體生長(zhǎng)裝置制備溴化鑭鈰晶體的方法，采用一種可調(diào)節(jié)尺寸，容易更換的保溫材料層，且只需要一段式加熱，無(wú)需晶轉(zhuǎn)和平臺(tái)上升下降系統(tǒng)。通過(guò)調(diào)節(jié)保溫材料層的尺寸，使?fàn)t子溫場(chǎng)適合于溴化鑭鈰晶體生長(zhǎng)。本發(fā)明采用無(wú)運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)完全靜態(tài)的方法進(jìn)行晶體生長(zhǎng)?？朔艘酝釄逑陆捣▽?duì)下降系統(tǒng)精密度要求高，爐子之間差異較大不好批量復(fù)制，占用空間大等缺點(diǎn)。溴化鑭鈰晶體易實(shí)現(xiàn)程序化生長(zhǎng)，對(duì)溴化鑭鈰晶體生長(zhǎng)面控制極為有利，生長(zhǎng)環(huán)境穩(wěn)定，可有效避免晶體缺陷。晶體生長(zhǎng)裝置的制作簡(jiǎn)單，方便維護(hù)清理。

技術(shù)研發(fā)人員：魏建德;方聲浩;張志誠(chéng);葉寧;吳少凡;龍西法
受保護(hù)的技術(shù)使用者：廈門(mén)中爍光電科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.09
技術(shù)公布日：2017.09.01