1.一種二維材料范德瓦爾斯外延生長(zhǎng)與修飾系統(tǒng)，其特征在于，該系統(tǒng)包括：
管體，其具有上游開口和下游開口，上游開口處焊接有上游法蘭，下游開口處焊接有下游法蘭，所述管體被支承在管體支架上；
上游封堵盤，用于連接到所述上游法蘭以密封所述管體，所述上游封堵盤上具有多個(gè)源載氣管路接口；
下游封堵盤，用于連接到所述下游法蘭以密封所述管體，所述下游封堵盤上具有抽真空接口和樣品支承桿接口；以及
多溫區(qū)恒溫爐，圍繞以加熱所述管體的一部分，所述多溫區(qū)恒溫爐至少具有沿所述管體的延伸方向設(shè)置的第一溫區(qū)和第二溫區(qū)。
2.如權(quán)利要求1所述的二維材料范德瓦爾斯外延生長(zhǎng)與修飾系統(tǒng)，其特征在于，該系統(tǒng)還包括：
等離子體發(fā)生裝置，設(shè)置在所述多溫區(qū)恒溫爐的下游并且圍繞所述管體的一部分。
3.如權(quán)利要求2所述的二維材料范德瓦爾斯外延生長(zhǎng)與修飾系統(tǒng)，其特征在于，所述等離子體發(fā)生裝置包括圍繞所述管體的線圈和用于固定所述線圈的線圈支架，所述線圈支架包括第一部分和第二部分，在所述第一部分和所述第二部分的彼此相對(duì)的表面上具有彼此對(duì)應(yīng)的多個(gè)凹陷，從而當(dāng)所述第一部分和所述第二部分固定到一起時(shí)，所述線圈被夾持固定在所述凹陷中。
4.如權(quán)利要求2所述的二維材料范德瓦爾斯外延生長(zhǎng)與修飾系統(tǒng)，其特征在于，所述多溫區(qū)恒溫爐和所述等離子體發(fā)生裝置都被支承在導(dǎo)軌上，使得所述多溫區(qū)恒溫爐和所述等離子體發(fā)生裝置能獨(dú)立地沿所述管體的延伸方向滑動(dòng)。
5.如權(quán)利要求1所述的二維材料范德瓦爾斯外延生長(zhǎng)與修飾系統(tǒng)，其特征在于，所述多溫區(qū)恒溫爐包括第一部分和第二部分，所述第二部分通過鉸鏈連接到所述第一部分從而能夠繞所述鉸鏈的軸旋轉(zhuǎn)，所述第一部分和所述第二部分的相對(duì)的表面上具有凹陷以容納所述管體，所述凹陷中設(shè)置有加熱元件以形成所述第一溫區(qū)和所述第二溫區(qū)，所述第一溫區(qū)和所述第二溫區(qū)之間通過隔熱材料分隔開。
6.如權(quán)利要求5所述的二維材料范德瓦爾斯外延生長(zhǎng)與修飾系統(tǒng)，其特征在于，所述第二溫區(qū)具有沿所述管體的延伸方向設(shè)置的多個(gè)子溫區(qū)，每個(gè)子溫區(qū)和所述第一溫區(qū)具有獨(dú)立的加熱元件和溫度控制裝置以實(shí)現(xiàn)獨(dú)立的溫度控制。
7.如權(quán)利要求1所述的二維材料范德瓦爾斯外延生長(zhǎng)與修飾系統(tǒng)，其特征在于，該系統(tǒng)還包括：
多根源載氣管路，其分別被夾持連接到所述多個(gè)源載氣管路接口中并且延伸到所述管體中；以及
樣品支承桿，其被夾持連接到所述樣品支承桿接口中并且延伸到所述管體中。
8.如權(quán)利要求7所述的二維材料范德瓦爾斯外延生長(zhǎng)與修飾系統(tǒng)，其特征在于，所述管體是圓筒形的石英管，所述上游法蘭和所述下游法蘭都是石英法蘭，所述上游封堵盤和所述下游封堵盤都是金屬封堵盤，所述上游封堵盤和所述上游法蘭之間以及所述下游封堵盤和所述下游法蘭之間還設(shè)置有O型圈以實(shí)現(xiàn)二者之間的密封連接，所述源載氣管路是石英管，所述樣品支承桿是石英管或石英桿。
9.如權(quán)利要求1所述的二維材料范德瓦爾斯外延生長(zhǎng)與修飾系統(tǒng)，其特征在于，該系統(tǒng)還包括：
用于支承所述上游封堵盤的上游封堵盤支架；以及
用于支承所述下游封堵盤的下游封堵盤支架。
10.如權(quán)利要求1所述的二維材料范德瓦爾斯外延生長(zhǎng)與修飾系統(tǒng)，其特征在于，所述上游封堵盤支架和所述下游封堵盤支架每個(gè)都安裝在導(dǎo)軌上以能夠沿所述管體的延伸方向滑動(dòng)。