本實(shí)用新型涉及一種電離氨清洗裝置。

背景技術(shù)：

在太陽(yáng)能電池生產(chǎn)過(guò)程中，為了減少晶體硅片的表面反射,提高電池的轉(zhuǎn)換效率,需要沉積一層氮化硅減反射膜?，F(xiàn)在工業(yè)生產(chǎn)中常采用PECVD設(shè)備制備減反射膜。PECVD即等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積。它的技術(shù)原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電使樣品升溫到預(yù)定的溫度，然后通入適量的反應(yīng)氣體硅烷和氨氣，氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在樣品表面形成固態(tài)薄膜即氮化硅薄膜。一般情況下，使用這種等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積的方法沉積的薄膜厚度在80nm左右。這樣厚度的薄膜具有光學(xué)的功能性。利用薄膜干涉原理，可以使光的反射大為減少，電池的短路電流和輸出就有很大增加，效率也有相當(dāng)?shù)奶岣摺?/p>

晶體硅片在鍍膜之前表面的清潔度直接影響成品晶體硅電池表面的外觀質(zhì)量，如常見(jiàn)的白斑等外觀問(wèn)題。傳統(tǒng)的鍍膜生產(chǎn)過(guò)程中，直接將刻蝕清洗后的硅片直接進(jìn)行鍍膜，沒(méi)有鍍膜前的預(yù)清洗，經(jīng)常會(huì)有外觀不良片產(chǎn)生，提高了生產(chǎn)成本。本實(shí)用新型提供的一種電離氨清洗技術(shù)可以將晶體硅片表面在沉積氮化硅薄膜之前進(jìn)行電離氨清洗，提高硅片表面的清潔度，從而很大程度上解決因晶體硅片表面沾污引起的成品電池外觀質(zhì)量問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、使用方便、能有效提高硅片表面清潔度，很大程度上解決因晶體硅片表面沾污引起的成品電池外觀質(zhì)量問(wèn)題的電離氨清洗裝置。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型所采取的技術(shù)方案是：提供一種電離氨清洗裝置，包括密封腔室、氨氣供給裝置以及用于對(duì)鍍膜前硅片進(jìn)行電離氨清洗的清洗裝置，所述清洗裝置并排設(shè)置在所述密封腔室內(nèi)，所述氨氣供給裝置通過(guò)管道與所述清洗裝置連通。

本實(shí)用新型由于采用以上技術(shù)方案，其達(dá)到的技術(shù)效果為：本實(shí)用新型提供的電離氨清洗裝置的用于對(duì)鍍膜前硅片進(jìn)行清洗的清洗裝置設(shè)置在密封腔室內(nèi)，氨氣供給裝置為清洗裝置提供氨氣，由清洗裝置對(duì)鍍膜前硅片進(jìn)行清洗，有效實(shí)現(xiàn)了在晶體硅片表面沉積氮化硅薄膜之前的電離氨清洗，提高了硅片表面的清潔度，進(jìn)而提高了電池片成品良率，具有很高的實(shí)用性。

較優(yōu)地，在上述技術(shù)方案中，所述清洗裝置均包括頂部開(kāi)口的密封腔體以及微波源，所述密封腔體底部設(shè)置有用于供給氨氣的通孔，所述通孔通過(guò)管道與所述氨氣供給裝置連通，所述微波源設(shè)置在所述密封腔體內(nèi)臨近底部的位置，用于裝載硅片的載具設(shè)置在所述密封腔體頂部開(kāi)口的位置。

采用上述進(jìn)一步方案的有益效果是：能夠有效的同時(shí)對(duì)多片硅片進(jìn)行清洗，有效提高的清洗的效率。

較優(yōu)地，在上述技術(shù)方案中，所述通孔設(shè)置在所述密封腔體底部的中心位置，所述微波源設(shè)置在所述通孔的正上方。

采用上述進(jìn)一步方案的有益效果是：能夠有效的對(duì)通入的氨氣進(jìn)行電離，提高清洗效果。

較優(yōu)地，在上述技術(shù)方案中，所述通孔的直徑為5mm。

采用上述進(jìn)一步方案的有益效果是：能夠最大效率的對(duì)通入的氨氣進(jìn)行電離，來(lái)提高清洗效果以及氨氣的利用率。

較優(yōu)地，在上述技術(shù)方案中，所述載具在驅(qū)動(dòng)裝置的帶動(dòng)下橫向運(yùn)動(dòng)。

采用上述進(jìn)一步方案的有益效果是：能夠自行的對(duì)硅片進(jìn)行不間斷的清洗工作。

較優(yōu)地，在上述技術(shù)方案中，所述通孔與所述氨氣供給裝置連通的管道上設(shè)置有用于控制氨氣供給速率的控制裝置。

采用上述進(jìn)一步方案的有益效果是：能夠有效的控制氨氣的通入效率，獲得更好的清洗效果以及氨氣利用率。

附圖說(shuō)明

下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明：

圖1是本實(shí)用新型提供的電離氨清洗裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是圖1中清洗裝置的截面圖。

具體實(shí)施方式

如圖1和圖2所示，本實(shí)用新型提供的電離氨清洗裝置，包括密封腔室110、氨氣供給裝置（圖中未標(biāo)出）以及用于對(duì)鍍膜前硅片130進(jìn)行電離氨清洗的清洗裝置120，清洗裝置120并排設(shè)置在密封腔室110內(nèi)，氨氣供給裝置通過(guò)管道與清洗裝置120連通。

較優(yōu)地，在上述技術(shù)方案中，清洗裝置120均包括頂部開(kāi)口的密封腔體121以及微波源122 ，密封腔體121底部設(shè)置有用于供給氨氣的通孔123，通孔123通過(guò)管道與氨氣供給裝置連通，微波源122設(shè)置在密封腔體121內(nèi)臨近底部的位置，用于裝載硅片130的載具124設(shè)置在密封腔體121頂部開(kāi)口的位置。能夠有效的同時(shí)對(duì)多片硅片130進(jìn)行清洗，有效提高的清洗的效率。

作為一種可實(shí)施方式，通孔123設(shè)置在密封腔體121底部的中心位置，微波源122設(shè)置在通孔123的正上方。能夠有效的對(duì)通入的氨氣進(jìn)行電離，提高清洗效果。

作為一種可實(shí)施方式，通孔123的直徑為5mm。能夠最大效率的對(duì)通入的氨氣進(jìn)行電離，來(lái)提高清洗效果以及氨氣的利用率。

作為一種可實(shí)施方式，載具124在驅(qū)動(dòng)裝置的帶動(dòng)下橫向運(yùn)動(dòng)。能夠自行的對(duì)硅片130進(jìn)行不間斷的清洗工作。

作為一種可實(shí)施方式，通孔123與氨氣供給裝置連通的管道上設(shè)置有用于控制氨氣供給速率的控制裝置（圖中未標(biāo)出）。能夠有效的控制氨氣的通入效率，獲得更好的清洗效果以及氨氣利用率。

進(jìn)一步，密封腔室110內(nèi)還設(shè)置有若干個(gè)用于對(duì)硅片進(jìn)行鍍膜的鍍膜裝置200，若干個(gè)鍍膜裝置200和清洗裝置120的結(jié)構(gòu)相近，只是在密封腔體的兩側(cè)的外側(cè)壁上設(shè)置有用于通入硅烷的通氣孔，若干個(gè)鍍膜裝置200和清洗裝置120上表面在同一水平面內(nèi)，整個(gè)裝置有若干載具124，若干載具124彼此相連，由左至右依次穿過(guò)清洗裝置120和鍍膜裝置200，實(shí)現(xiàn)對(duì)硅片的清洗和鍍膜工作。

本方案針對(duì)刻蝕后鍍膜前的硅片進(jìn)行清洗操作，在硅片進(jìn)入電離氨清洗區(qū)域后，氨氣供給裝置開(kāi)始提供氨氣，有控制裝置調(diào)節(jié)氨氣的通入速率，氨氣在微波源發(fā)射的微波的作用下進(jìn)行電離，形成等離子體，等離子體沉積在硅片表面，與刻蝕后鍍膜前的硅片相互作用，達(dá)到清潔刻蝕后鍍膜前的硅片表面的作用。進(jìn)一步，為了獲取更好的清洗效果，氨氣的通入速率為500-800sccm，微波源的功率為900-1200w，清洗的時(shí)間為1-2min。

本實(shí)用新型由于采用以上技術(shù)方案，其達(dá)到的技術(shù)效果為：本實(shí)用新型提供的電離氨清洗裝置的用于對(duì)鍍膜前硅片進(jìn)行清洗的清洗裝置設(shè)置在密封腔室內(nèi)，氨氣供給裝置為清洗裝置提供氨氣，由清洗裝置對(duì)鍍膜前硅片進(jìn)行清洗，有效實(shí)現(xiàn)了在晶體硅片表面沉積氮化硅薄膜之前的電離氨清洗，提高了硅片表面的清潔度，進(jìn)而提高了電池片成品良率，具有很高的實(shí)用性。

上述實(shí)施方式旨在舉例說(shuō)明本實(shí)用新型可為本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員實(shí)現(xiàn)或使用，對(duì)上述實(shí)施方式進(jìn)行修改對(duì)本領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見(jiàn)的，故本實(shí)用新型包括但不限于上述實(shí)施方式，任何符合本權(quán)利要求書(shū)或說(shuō)明書(shū)描述，符合與本文所公開(kāi)的原理和新穎性、創(chuàng)造性特點(diǎn)的方法、工藝、產(chǎn)品，均落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。