1.一種半導體級硅單晶爐底部加熱器，包括發(fā)熱體、支撐柱、連接螺栓、支撐柱絕熱子、墊片組成，其特征在于：
發(fā)熱體為環(huán)形板狀結構，環(huán)形板狀的內環(huán)和外緣包絡線為凸起的加強筋，發(fā)熱體的兩個支撐點對稱設在環(huán)形板狀結構的直徑上的安裝孔，將環(huán)形板狀結構分割成對稱的半環(huán)，兩個半環(huán)中均設有與半徑重疊的應力緩沖槽，應力緩沖槽包括由內環(huán)指向外緣的應力緩沖槽和由外緣指向內環(huán)的應力緩沖槽，它們均勻分布且相間設置，其中由內環(huán)指向外緣的應力緩沖槽末端設有應力圓孔：
與支撐點對應的支撐柱為空心圓柱結構，兩端分別設有內螺紋，一端通過螺栓和墊片與發(fā)熱體的安裝孔連接，另一端通過螺栓和墊片與電極對接；
支撐柱內孔中部設有收緊止口，支撐柱絕熱子分別裝配于支撐柱內孔中且位于兩端內螺紋之間，支撐柱絕熱子由內部收緊止口咬合固定。
2.根據權利要求1所述的半導體級硅單晶爐底部加熱器，其特征在于：設在應力緩沖槽末端的應力圓孔與外環(huán)邊緣之間設有均勻分布的吊裝孔。
3.根據權利要求1所述的半導體級硅單晶爐底部加熱器，其特征在于：所述發(fā)熱體的環(huán)形板狀結構對稱的半環(huán)外緣分別含有兩個管線避讓缺口，它們對稱分布在環(huán)形板狀結構對應的半環(huán)上。
4.根據權利要求1所述的半導體級硅單晶爐底部加熱器，其特征在于：所述支撐柱的外壁上設有一段正四邊形或正六邊形的結構。
5.根據權利要求1-4之一所述的半導體級硅單晶爐底部加熱器，其特征在于：所述的發(fā)熱體、支撐柱、連接螺栓均采用高強度等靜壓石墨制作；所屬的支撐柱絕熱子采用固化碳氈；所述墊片的材料為石墨紙。
6.根據權利要求5所述的半導體級硅單晶爐底部加熱器，其特征在于：所述的石墨、固化碳氈和石墨紙均須經高溫純化處理，其中石墨和石墨紙純度要求為5 ppm，固化碳氈純度要求為20 ppm。
7.根據權利要求5所述的半導體級硅單晶爐底部加熱器，其特征在于：所述發(fā)熱體的工作電源為直流，直流電源的陽極和陰極分別通過支撐柱傳遞給發(fā)熱體。