1.一種基于pvt法的碳化硅涂層的生長裝置，其特征在于，包括：密封腔室、感應(yīng)線圈加熱器、保溫氈、石墨桶、石墨坩堝、重量傳感器和旋轉(zhuǎn)載臺；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于pvt法的碳化硅涂層的生長裝置，其特征在于，所述密封腔室內(nèi)設(shè)有壓力傳感器，所述石墨坩堝內(nèi)部或旁側(cè)設(shè)有溫度傳感器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于pvt法的碳化硅涂層的生長裝置，其特征在于，所述旋轉(zhuǎn)載臺設(shè)有驅(qū)動機構(gòu)，所述驅(qū)動機構(gòu)帶動所述旋轉(zhuǎn)載臺以設(shè)定的速度轉(zhuǎn)動和/或升降移動。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于pvt法的碳化硅涂層的生長裝置，其特征在于，所述生長裝置還包括上位機控制單元，所述上位機控制單元分別與溫度傳感器、壓力傳感器、氬氣輸入系統(tǒng)、排氣系統(tǒng)、感應(yīng)線圈加熱器、石墨坩堝底部的重量傳感器、旋轉(zhuǎn)載臺的驅(qū)動機構(gòu)通訊連接；所述上位機控制單元根據(jù)溫度傳感器、壓力傳感器、重量傳感器所采集的實時數(shù)據(jù)控制感應(yīng)線圈加熱器、氬氣輸入系統(tǒng)、排氣系統(tǒng)和旋轉(zhuǎn)載臺的驅(qū)動機構(gòu)的工作參數(shù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于pvt法的碳化硅涂層的生長裝置，其特征在于，所述石墨坩堝底部還有勻速旋轉(zhuǎn)機構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于pvt法的碳化硅涂層的生長裝置，其特征在于，所述感應(yīng)線圈加熱器、保溫氈、石墨桶為同軸設(shè)置，且以旋轉(zhuǎn)載臺的中心和石墨坩堝的中心的連線為中心軸線。
7.一種基于pvt法的碳化硅涂層的生長方法，其特征在于，采用權(quán)利要求1-6任一項所述的生長裝置進行碳化硅涂層的生長，且包括如下步驟：
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的生長方法，其特征在于，s1中，碳化硅粉體粒徑為20目-500目；碳化硅粉體的放入量按照待覆膜工件的碳化硅涂層厚度進行計算得到，并以計算值/(75％-80％)，得到碳化硅粉體原材料的質(zhì)量。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的生長方法，其特征在于，s3中的控制程序c中，提高感應(yīng)線圈加熱器的工作功率為：將感應(yīng)線圈加熱器的工作功率提高至之前的1.01-1.1倍。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的生長方法，其特征在于，s3中的控制程序d中，提高氬氣輸入流速以將密封腔室的壓力升高至之前的1.1-2倍。