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一種鋱摻雜NASICON型鈉離子導(dǎo)體材料及其制備方法

文檔序號:40595184發(fā)布日期:2025-01-07 20:35閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種鋱摻雜nasicon型鈉離子導(dǎo)體材料,其特征在于:該鋱摻雜nasicon型鈉離子導(dǎo)體材料的化學(xué)計量式為na3+xzr2-xtbxsi2po12,其中,0<x≤0.3。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋱摻雜nasicon型鈉離子導(dǎo)體材料,其特征在于:該鋱摻雜nasicon型鈉離子導(dǎo)體材料的總離子電導(dǎo)率為3.07×10-4s/cm~1.02×10-3s/cm。

3.一種制備如權(quán)利要求1或2所述鋱摻雜nasicon型鈉離子導(dǎo)體材料的方法,其特征在于:包括制備步驟如下:

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其特征在于:步驟1)中,na2co3粉體的高溫焙燒條件為:焙燒溫度900℃,焙燒時間5~9h;zro2粉體的高溫焙燒條件為:焙燒溫度900℃,焙燒時間8~12h;所述sio2、nh4h2po4和tb2o3的干燥條件為:在120℃下干燥12~24小時。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其特征在于:步驟3)中,所述研磨助劑為無水乙醇,球磨條件為:以1200r/min的速率進(jìn)行球磨0.5~1小時。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其特征在于:步驟5)中,所述聚乙烯醇溶液的加入量為前驅(qū)體粉體的20%,所述聚乙烯醇溶液的質(zhì)量濃度為5%。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其特征在于:步驟6)中,所述排膠處理的方法為:先以1℃/min的條件加熱至500℃,并在500℃下保溫2小時進(jìn)行排膠處理。


技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明屬于鈉離子固體電解質(zhì)制造領(lǐng)域,具體涉及一種鋱摻雜NASICON型鈉離子導(dǎo)體材料及其制備方法。該鋱摻雜NASICON型鈉離子導(dǎo)體材料的化學(xué)計量式為Na<subgt;3+x</subgt;Zr<subgt;2?x</subgt;Tb<subgt;x</subgt;Si<subgt;2</subgt;PO<subgt;12</subgt;,其中,0<x≤0.3,其總離子電導(dǎo)率為3.07×10<supgt;?4</supgt;S/cm~1.02×10<supgt;?3</supgt;S/cm。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明通過適量地用鋱離子取代NASICON結(jié)構(gòu)中的骨架離子(如Zr<supgt;4+</supgt;),增加了可遷移鈉離子的濃度,從而提高離子電導(dǎo)率。本發(fā)明鋱離子的摻雜有效地增大鈉離子傳輸通道的尺寸,降低傳輸能量勢壘,進(jìn)而提高離子電導(dǎo)率。本發(fā)明通過鋱離子摻雜的Na<subgt;3.2</subgt;Zr<subgt;1.8</subgt;Tb<subgt;0.2</subgt;Si<subgt;2</subgt;PO<subgt;12</subgt;電解質(zhì)在室溫下的離子電導(dǎo)率達(dá)到了1.02×10<supgt;?3</supgt;?S/cm。本發(fā)明選用的原料為經(jīng)濟(jì)實惠的氧化物,這些原料不僅易于采購,而且價格低廉,有助于減少生產(chǎn)成本。

技術(shù)研發(fā)人員:楊甜甜,黃海雄,樊江濤,米苡碩
受保護(hù)的技術(shù)使用者:沈陽工業(yè)大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/1/6
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