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鈮酸鉀鈉/聚偏二氟乙烯高介電薄膜的制備方法與流程

文檔序號(hào):12201101閱讀:來源:國知局
技術(shù)總結(jié)
鈮酸鉀鈉/聚偏二氟乙烯高介電薄膜的制備方法,涉及一種高介電薄膜的制備方法。本發(fā)明是要解決現(xiàn)有介電材料介電常數(shù)低、脆性大、加工溫度高且與集成電路加工技術(shù)不相容的問題。方法:一、稱量;二、將鈮酸鉀鈉陶瓷粉末加入到N,N?二甲基乙酰胺中超聲;三、加入聚偏二氟乙烯粉末,攪拌得到聚偏二氟乙烯溶液;四、將聚偏二氟乙烯溶液靜置,用自動(dòng)涂膜器將聚偏二氟乙烯溶液均勻的刮在潔凈的玻璃板上,將玻璃板放入真空干燥箱;五、將抽完真空膜的玻璃板放入烘箱中,加熱;六、放入蒸餾水中浸泡,將膜揭下,依次用蒸餾水、丙酮和無水乙醇清洗,烘干,即得高介電薄膜。該高介電薄膜在頻率為10Hz時(shí),介電常數(shù)高達(dá)250。本發(fā)明用于制備高介電薄膜。

技術(shù)研發(fā)人員:楊文龍;林家齊;陳高汝;遲慶國;劉剛
受保護(hù)的技術(shù)使用者:哈爾濱理工大學(xué)
文檔號(hào)碼:201410663946
技術(shù)研發(fā)日:2014.11.19
技術(shù)公布日:2017.05.31

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