技術(shù)特征：

1.一種嵌段共聚物，包含由下式4表示的嵌段：

[式4]

在式4中，R是氫或烷基，X是單鍵、氧原子、硫原子、-S(＝O)₂-、羰基、亞烷基、亞烯基、亞炔基、-C(＝O)-X₁-或-X₁-C(＝O)-，其中X₁是氧原子、硫原子、-S(＝O)₂-、亞烷基、亞烯基或亞炔基，并且Y是包含與具有至少3個成鏈原子的直鏈連接的芳族結(jié)構(gòu)的一價取代基或者包含與具有8個或更多個成鏈原子的鏈連接的脂環(huán)族結(jié)構(gòu)的一價取代基。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的嵌段共聚物，其中所述R是氫或具有1至4個碳原子的烷基。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的嵌段共聚物，其中所述X是單鍵、氧原子、-C(＝O)-O-或-O-C(＝O)-。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的嵌段共聚物，其中所述X是-C(＝O)-O-。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的嵌段共聚物，其中與所述芳族結(jié)構(gòu)或所述脂環(huán)族結(jié)構(gòu)連接的所述鏈包含8至20個成鏈原子。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的嵌段共聚物，其中所述成鏈原子是碳、氧或氮。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的嵌段共聚物，其中所述鏈為烴鏈。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的嵌段共聚物，其中所述鏈直接與所述芳族結(jié)構(gòu)或所述脂環(huán)族結(jié)構(gòu)連接，或者所述鏈通過連接基團與所述芳族結(jié)構(gòu)或所述脂環(huán)族結(jié)構(gòu)連接。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的嵌段共聚物，其中所述連接基團是氧原子、硫原子、-NR₃-、-S(＝O)₂-、亞烷基、亞烯基或亞炔基，其中R₃是氫、烷基、烯基、炔基、烷氧基或芳基。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的嵌段共聚物，其中所述芳族結(jié)構(gòu)包含6至12個碳原子，而所述脂環(huán)族結(jié)構(gòu)包含3至12個碳原子。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的嵌段共聚物，其中所述Y由下式2表示：

[式2]

-P-Q-Z

在式2中，P是亞芳基或環(huán)亞烷基，Q是單鍵、氧原子或-NR₃-，其中R₃是氫、烷基、烯基、炔基、烷氧基或芳基，并且Z在其中P是亞芳基的情況下為具有3個或更多個成鏈原子的鏈，或者在其中P是環(huán)亞烷基的情況下為具有8個或更多個成鏈原子的鏈。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的嵌段共聚物，其中當(dāng)進行X射線衍射分析時，所述嵌段共聚物在0.5nm^-1至10nm^-1的q值范圍內(nèi)顯示出半高全寬在0.2nm^-1至1.5nm^-1范圍內(nèi)的峰。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的嵌段共聚物，其中所述鏈的成鏈原子的數(shù)目(n)相對于呈自組裝狀態(tài)的所述嵌段之間的距離(D，單位：nm)之比(n/D)為2.5nm^-1至5nm^-1。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的嵌段共聚物，其中由式4表示的所述嵌段的體積分?jǐn)?shù)在0.4至0.8的范圍內(nèi)。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的嵌段共聚物，還包含第二嵌段，由式4表示的所述嵌段與所述第二嵌段的表面能之差的絕對值在2.5mN/m至7mN/m的范圍內(nèi)。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的嵌段共聚物，其中由式4表示的所述嵌段具有比所述第二嵌段更高的表面能。

17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的嵌段共聚物，其中由式4表示的所述嵌段的表面能在20mN/m至35mN/m的范圍內(nèi)。

18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的嵌段共聚物，還包含第二嵌段，由式4表示的所述嵌段與所述第二嵌段的密度之差的絕對值為0.3g/cm³或更大。

19.一種聚合物層，其包含根據(jù)權(quán)利要求1所述的嵌段共聚物的自組裝產(chǎn)物。

20.一種用于形成聚合物層的方法，包括形成所述聚合物層，所述聚合物層包含根據(jù)權(quán)利要求1所述的嵌段共聚物的自組裝產(chǎn)物。

21.一種圖案形成方法，包括從層合體上選擇性地移除嵌段共聚物的由式4表示的嵌段或不同于由式4表示的嵌段的嵌段，所述層合體包含基底和聚合物層，所述聚合物層形成在所述基底上并且含有根據(jù)權(quán)利要求1所述的嵌段共聚物的自組裝產(chǎn)物。