本申請意義上的電子器件被認(rèn)為是指所謂的有機(jī)電子器件，其包含有機(jī)半導(dǎo)體材料作為功能材料。特別地，它們被認(rèn)為是指OLED。

在例如US 4539507、US 5151629、EP 0676461和WO 98/27136中對其中將有機(jī)化合物用作功能材料的OLED的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了描述。一般來講，術(shù)語OLED被認(rèn)為是指這樣的電子器件，其包含一個(gè)或多個(gè)含有機(jī)化合物的層并且在施加電壓時(shí)發(fā)光。

具有傳輸空穴功能的層(傳輸空穴的層)例如空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層和發(fā)光層對電子器件的性能數(shù)據(jù)具有巨大影響。

現(xiàn)有技術(shù)中已知在上述層中使用三芳基胺作為具有空穴傳輸性能的材料。這些可以為單芳基胺，如在例如JP 1995/053955、WO 2006/123667和JP 2010/222268中所述的，和二胺或其它多胺，如在例如US 7504163或US 2005/0184657中所述的。作為用于OLED的具有空穴傳輸性質(zhì)的材料的三芳基胺化合物的已知實(shí)例尤其是三-對聯(lián)苯胺、N,N'-二-1-萘基-N,N'-二苯基-1,1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺(NPB)和4,4',4”-三-(3-甲基苯基-苯基氨基)-三苯基胺(MTDATA)。

在現(xiàn)有技術(shù)中，例如根據(jù)WO 2012/150001已知在OLED中使用吖啶衍生物。然而，在這一公布的說明書中未提出螺二吖啶衍生物。

此外，現(xiàn)有技術(shù)如JP 2002-265938公開了螺二吖啶化合物在OLED中的使用。在這一公布的說明書中所述的化合物要么在螺二吖啶骨架的苯環(huán)上不含取代基，要么在螺二吖啶骨架的氮原子上包含苯基基團(tuán)。

描述螺二吖啶化合物在OLED中的使用的另一個(gè)公布的說明書是KR 2011-0120075。在這一公布的說明書中所述的化合物在螺二吖啶骨架的苯環(huán)上不含取代基。

盡管在上述文獻(xiàn)中公開的化合物非常適用于電子器件中，但對于用于該用途的新型化合物有著不斷的需求。特別地，對于導(dǎo)致電子器件的性能數(shù)據(jù)的改進(jìn)，特別是導(dǎo)致壽命、效率和工作電壓的改進(jìn)的化合物存在需求。特別地對于在電子器件的空穴傳輸層中的使用，正在不斷探索具有相應(yīng)性質(zhì)的新型材料。

在對用于該用途的新型材料的研究過程中，現(xiàn)已經(jīng)令人驚訝地發(fā)現(xiàn)，如下的螺二吖啶化合物非常適用于OLED中，所述螺二吖啶化合物符合下面限定的式(I)且特征在于，特別地，其在氮原子中的至少一個(gè)上具有擴(kuò)展的芳族或雜芳族體系并在螺二吖啶骨架的苯環(huán)中的至少一個(gè)上具有芳族或雜芳族環(huán)系。其特別適用于空穴傳輸層中。

發(fā)現(xiàn)的化合物具有選自如下的一種或多種性質(zhì)：非常好的空穴傳導(dǎo)性質(zhì)、非常好的電子阻擋性質(zhì)、高氧化穩(wěn)定性、良好的溶解性以及高的溫度穩(wěn)定性。在用于OLED中時(shí)，其導(dǎo)致OLED的選自如下的一種或多種有利性質(zhì)：長的壽命、高的量子效率和低的工作電壓。

本發(fā)明涉及一種式(I)的化合物

其中以下適用于出現(xiàn)的符號和標(biāo)記：

A是C或Si；

Y在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地為N或P；

X在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地為CR¹或N；

Ar¹、Ar²在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地為具有6～40個(gè)芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系，所述環(huán)系可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代，或具有5～40個(gè)芳族環(huán)原子的雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代；

Ar³、Ar⁴、Ar⁵、Ar⁶在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地為具有6～40個(gè)芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系，所述環(huán)系可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代，或具有5～40個(gè)芳族環(huán)原子的雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代；

R¹、R²在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地選自H，D，F(xiàn)，C(＝O)R³，CF₃，OCF₃，CN，Si(R³)₃，N(R³)₂，P(＝O)(R³)₂，OR³，S(＝O)R³，S(＝O)₂R³，具有1～20個(gè)C原子的直鏈烷基或烷氧基基團(tuán)，具有3～20個(gè)C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基或烷氧基基團(tuán)，具有2～20個(gè)C原子的烯基或炔基基團(tuán)，具有6～40個(gè)芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系和具有5～40個(gè)芳族環(huán)原子的雜芳族環(huán)系，其中兩個(gè)或更多個(gè)基團(tuán)R¹或R²可彼此連接并可形成環(huán)；其中所述烷基、烷氧基、烯基和炔基基團(tuán)以及所述芳族環(huán)系和雜芳族環(huán)系可各自被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R³取代；且其中在所述烷基、烷氧基、烯基和炔基基團(tuán)中的一個(gè)或多個(gè)CH₂基團(tuán)可被-R³C＝CR³-、-C≡C-、Si(R³)₂、C＝O、C＝NR³、-C(＝O)O-、-C(＝O)NR³-、NR³、P(＝O)(R³)、-O-、-S-、SO或SO₂代替；

R³在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地選自H，D，F(xiàn)，C(＝O)R⁴，CF₃，OCF₃，CN，Si(R⁴)₃，N(R⁴)₂，P(＝O)(R⁴)₂，OR⁴，S(＝O)R⁴，S(＝O)₂R⁴，具有1～20個(gè)C原子的直鏈烷基或烷氧基基團(tuán)，具有3～20個(gè)C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基或烷氧基基團(tuán)，具有2～20個(gè)C原子的烯基或炔基基團(tuán)，具有6～40個(gè)芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系和具有5～40個(gè)芳族環(huán)原子的雜芳族環(huán)系；其中兩個(gè)或更多個(gè)基團(tuán)R³可彼此連接并可形成環(huán)；其中所述烷基、烷氧基、烯基和炔基基團(tuán)以及所述芳族環(huán)系和雜芳族環(huán)系可各自被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R⁴取代；且其中在所述烷基、烷氧基、烯基和炔基基團(tuán)中的一個(gè)或多個(gè)CH₂基團(tuán)可被-R⁴C＝CR⁴-、-C≡C-、Si(R⁴)₂、C＝O、C＝NR⁴、-C(＝O)O-、-C(＝O)NR⁴-、NR⁴、P(＝O)(R⁴)、-O-、-S-、SO或SO₂代替；

R⁴在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地選自H，D，F(xiàn)，CN，具有1～20個(gè)C原子的烷基基團(tuán)，具有6～40個(gè)芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系和具有5～40個(gè)芳族環(huán)原子的雜芳族環(huán)系；其中兩個(gè)或更多個(gè)基團(tuán)R⁴可彼此連接并可形成環(huán)；且其中所述烷基基團(tuán)、芳族環(huán)系和雜芳族環(huán)系可被F或CN取代；

a、b、c、d在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地為0或1；

其中兩個(gè)基團(tuán)Ar¹和Ar²中的至少一個(gè)是具有12～40個(gè)芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系，所述環(huán)系可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代；或具有12～40個(gè)芳族環(huán)原子的雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代；且

其中標(biāo)記a、b、c和d中的至少一個(gè)等于1。

如果標(biāo)記a、b、c或d等于0，則對應(yīng)的基團(tuán)Ar³、Ar⁴、Ar⁵或Ar⁶不存在。

如果標(biāo)記a、b、c或d等于1，則對應(yīng)的基團(tuán)Ar³、Ar⁴、Ar⁵或Ar⁶與環(huán)的基團(tuán)X之一鍵合。于是該基團(tuán)X等于C，對應(yīng)碳的四價(jià)。

在本發(fā)明意義上的芳基基團(tuán)包含6～60個(gè)芳族環(huán)原子，其中沒有一個(gè)是雜原子。在本發(fā)明意義上的芳基基團(tuán)被認(rèn)為是指簡單的芳族環(huán)即苯，或者稠合的芳族多環(huán)環(huán)系如萘、菲或蒽。在本申請意義上的稠合芳族多環(huán)環(huán)系由兩個(gè)或更多個(gè)彼此稠合的簡單芳族環(huán)構(gòu)成。環(huán)之間的稠合在此被認(rèn)為是指環(huán)彼此共享至少一個(gè)邊。

在本發(fā)明意義上的雜芳基基團(tuán)包含5～60個(gè)芳族環(huán)原子，其中至少一個(gè)是雜原子。雜芳基基團(tuán)的雜原子優(yōu)選選自N、O和S。在本發(fā)明意義上的雜芳基基團(tuán)被認(rèn)為是指簡單的芳族環(huán)即苯，或簡單的雜芳族環(huán)如吡啶、嘧啶或噻吩，或稠合的雜芳族多環(huán)環(huán)系如喹啉或咔唑。在本申請意義上稠合雜芳族多環(huán)環(huán)系由兩個(gè)或更多個(gè)彼此稠合的簡單雜芳族環(huán)構(gòu)成。環(huán)之間的稠合在此被認(rèn)為是指環(huán)彼此共享至少一個(gè)邊。

在每種情況下可被上述基團(tuán)取代且可通過任何期望的位置連接到所述芳族或雜芳族環(huán)系的芳基或雜芳基基團(tuán)被認(rèn)為特別是衍生自如下物質(zhì)的基團(tuán)：苯、萘、蒽、菲、芘、二氫芘、苝、苯并菲、熒蒽、苯并蒽、苯并菲、并四苯、并五苯、苯并芘、呋喃、苯并呋喃、異苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、異苯并噻吩、二苯并噻吩、吡咯、吲哚、異吲哚、咔唑、吡啶、喹啉、異喹啉、吖啶、菲啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、吩噻嗪、吩嗪、吡唑、吲唑、咪唑、苯并咪唑、萘并咪唑、菲并咪唑、吡啶并咪唑、吡嗪并咪唑、喹喔啉并咪唑、唑、苯并唑、萘并唑、蒽并唑、菲并唑、異唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯并噻唑、噠嗪、苯并噠嗪、嘧啶、苯并嘧啶、喹喔啉、吡嗪、吩嗪、萘啶、氮雜咔唑、苯并咔啉、菲咯啉、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯并三唑、1,2,3-二唑、1,2,4-二唑、1,2,5-二唑、1,3,4-二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三嗪、1,2,4-三嗪、1,2,3-三嗪、四唑、1,2,4,5-四嗪、1,2,3,4-四嗪、1,2,3,5-四嗪、嘌呤、蝶啶、吲嗪和苯并噻二唑。

在本發(fā)明意義上的芳族環(huán)系在所述環(huán)系中包含6～60個(gè)C原子且不包括雜原子作為芳族環(huán)原子。因此在本發(fā)明意義上的芳族環(huán)系不含雜芳基基團(tuán)。在本發(fā)明意義上的芳族環(huán)系旨在被認(rèn)為是指如下的體系，其不必僅包含芳基基團(tuán)，而是其中多個(gè)芳基基團(tuán)還可通過單鍵或通過非芳族單元例如一個(gè)或多個(gè)任選取代的C、Si、N、O或S原子連接?；隗w系中非H原子的總數(shù)，所述非芳族單元在此優(yōu)選包含小于非H原子的10％。因此，例如，與其中兩個(gè)或更多個(gè)芳基基團(tuán)例如通過直鏈或環(huán)狀的烷基、烯基或炔基基團(tuán)或通過甲硅烷基基團(tuán)連接的體系一樣，諸如9,9'-螺二芴、9,9-二芳基芴、三芳基胺、二芳基醚和茋的體系也旨在認(rèn)為是本發(fā)明意義上的芳族環(huán)系。此外，其中兩個(gè)或更多個(gè)芳基基團(tuán)通過單鍵彼此連接的體系，例如，諸如聯(lián)苯和三聯(lián)苯的體系，也被認(rèn)為是本發(fā)明意義上的芳族環(huán)系。

在本發(fā)明意義上的雜芳族環(huán)系包含5～60個(gè)芳族環(huán)原子，其中至少一個(gè)是雜原子。所述雜芳族環(huán)系的雜原子優(yōu)選選自N、O和/或S。雜芳族環(huán)系對應(yīng)于芳族環(huán)系的上述定義，但包含至少一個(gè)雜原子作為芳族環(huán)原子之一。因此其與本申請的定義意義上的芳族環(huán)系不同，根據(jù)該定義所述芳族環(huán)系不可含雜原子作為芳族環(huán)原子。

具有6～60個(gè)芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系或具有5～60個(gè)芳族環(huán)原子的雜芳族環(huán)系被認(rèn)為特別是指衍生自上文在芳基基團(tuán)和雜芳基基團(tuán)下提及的基團(tuán)的基團(tuán)，和衍生自聯(lián)苯、三聯(lián)苯、四聯(lián)苯、芴、螺二芴、二氫菲、二氫芘、四氫芘、茚并芴、三聚茚、異三聚茚、螺三聚茚、螺異三聚茚、茚并咔唑的基團(tuán)，或衍生自這些基團(tuán)的組合的基團(tuán)。

為了本發(fā)明的目的，其中單獨(dú)的H原子或CH₂基團(tuán)還可被上文在基團(tuán)定義下提及的基團(tuán)取代的具有1～40個(gè)C原子的直鏈烷基基團(tuán)或具有3～40個(gè)C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基基團(tuán)或具有2～40個(gè)C原子的烯基或炔基基團(tuán)優(yōu)選被認(rèn)為是指如下基團(tuán)：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、2-甲基丁基、正戊基、仲戊基、環(huán)戊基、新戊基、正己基、環(huán)己基、新己基、正庚基、環(huán)庚基、正辛基、環(huán)辛基、2-乙基己基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、環(huán)戊烯基、己烯基、環(huán)己烯基、庚烯基、環(huán)庚烯基、辛烯基、環(huán)辛烯基、乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基或辛炔基。

其中單獨(dú)的H原子或CH₂基團(tuán)還可被上文在基團(tuán)定義下提及的基團(tuán)取代的具有1～40個(gè)C原子的烷氧基或硫代烷基基團(tuán)優(yōu)選被認(rèn)為是指甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、仲戊氧基、2-甲基丁氧基、正己氧基、環(huán)己氧基、正庚氧基、環(huán)庚氧基、正辛氧基、環(huán)辛氧基、2-乙基己氧基、五氟乙氧基、2,2,2-三氟乙氧基、甲硫基、乙硫基、正丙硫基、異丙硫基、正丁硫基、異丁硫基、仲丁硫基、叔丁硫基、正戊硫基、仲戊硫基、正己硫基、環(huán)己硫基、正庚硫基、環(huán)庚硫基、正辛硫基、環(huán)辛硫基、2-乙基己硫基、三氟甲硫基、五氟乙硫基、2,2,2-三氟乙硫基、乙烯硫基、丙烯硫基、丁烯硫基、戊烯硫基、環(huán)戊烯硫基、己烯硫基、環(huán)己烯硫基、庚烯硫基、環(huán)庚烯硫基、辛烯硫基、環(huán)辛烯硫基、乙炔硫基、丙炔硫基、丁炔硫基、戊炔硫基、己炔硫基、庚炔硫基或辛炔硫基。

為了本發(fā)明的目的，兩個(gè)或更多個(gè)基團(tuán)可彼此形成環(huán)的構(gòu)想旨在被認(rèn)為尤其是指兩個(gè)基團(tuán)通過化學(xué)鍵彼此連接。然而，此外，上述構(gòu)想還旨在被認(rèn)為是指，在其中兩個(gè)基團(tuán)中的一個(gè)代表氫的情況下，第二個(gè)基團(tuán)在該氫原子所鍵合的位置處鍵合，從而形成環(huán)。

根據(jù)一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式，式(I)的化合物不含芳基氨基基團(tuán)作為取代基。在本申請意義上的芳基氨基基團(tuán)被認(rèn)為是指其中一個(gè)或多個(gè)芳基或雜芳基基團(tuán)、優(yōu)選三個(gè)芳基或雜芳基基團(tuán)鍵合到氮原子的基團(tuán)。

根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式，式(I)的化合物不含具有超過10個(gè)芳族環(huán)原子的稠合芳基基團(tuán)，且不含具有超過14個(gè)芳族環(huán)原子的稠合雜芳基基團(tuán)。

優(yōu)選地，正好1、2或3個(gè)選自標(biāo)記a、b、c和d中的標(biāo)記等于1，特別優(yōu)選正好1或2個(gè)選自標(biāo)記a、b、c和d中的標(biāo)記等于1。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式，標(biāo)記a等于1，標(biāo)記b、c和d等于0。

根據(jù)一個(gè)可選的優(yōu)選實(shí)施方式，標(biāo)記a和b等于1，并且標(biāo)記c和d是等于0。

根據(jù)一個(gè)可選的優(yōu)選實(shí)施方式，標(biāo)記a和c等于1，并且標(biāo)記b和d等于0。

A優(yōu)選為碳原子。

Y優(yōu)選為氮原子。

優(yōu)選地，在式(I)化合物中的每個(gè)六元環(huán)至多三個(gè)基團(tuán)X、特別優(yōu)選至多兩個(gè)基團(tuán)X、非常特別優(yōu)選至多一個(gè)基團(tuán)X等于N。

優(yōu)選地，在環(huán)中不超過2個(gè)直接相鄰的基團(tuán)X等于N。

X優(yōu)選等于CR¹。

Ar¹和Ar²優(yōu)選在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地選自具有6～24個(gè)芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系，所述環(huán)系可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代，或選自具有5～24個(gè)芳族環(huán)原子的雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代。因此組合優(yōu)選的是，兩個(gè)基團(tuán)Ar¹和Ar²中的至少一個(gè)是具有12～24個(gè)芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系，所述環(huán)系可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代，或具有12～24個(gè)芳族環(huán)原子的雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代。特別優(yōu)選地，基團(tuán)Ar¹和Ar²兩者在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地都選自具有12～24個(gè)芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系，所述環(huán)系可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代，和具有12～24個(gè)芳族環(huán)原子的雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代。

Ar¹、Ar²、Ar³、Ar⁴、Ar⁵和Ar⁶優(yōu)選各自包含至少一種選自如下的基團(tuán)：苯、萘、菲、熒蒽、聯(lián)苯、三聯(lián)苯、四聯(lián)苯、芴、茚并芴、螺二芴、呋喃、苯并呋喃、異苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、異苯并噻吩、二苯并噻吩、吲哚、異吲哚、咔唑、吲哚并咔唑、茚并咔唑、吡啶、喹啉、異喹啉、吖啶、菲啶、苯并咪唑、嘧啶、吡嗪和三嗪，其中所述基團(tuán)可各自被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代。

Ar³、Ar⁴、Ar⁵、Ar⁶優(yōu)選在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地選自具有6～24個(gè)芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系，所述環(huán)系可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代，或選自具有5～24個(gè)芳族環(huán)原子的雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代。

出現(xiàn)在式(I)化合物中的基團(tuán)Ar³、Ar⁴、Ar⁵、Ar⁶優(yōu)選相同地進(jìn)行選擇。

基團(tuán)Ar¹、Ar²、Ar³、Ar⁴、Ar⁵和Ar⁶的優(yōu)選實(shí)施方式是下面示出的基團(tuán)：

其中所示基團(tuán)可各自在自由位置中的一個(gè)或多個(gè)處被基團(tuán)R²取代，且其中由*指示的鍵表示各個(gè)基團(tuán)的鍵合位置。

優(yōu)選地，基團(tuán)Ar¹和Ar²中的至少一個(gè)選自上述的式(Ar-2)～(Ar-15)和(Ar-18)～(Ar-66)基團(tuán)中的一個(gè)。特別優(yōu)選地，基團(tuán)Ar¹和Ar²兩者都選自上述的式(Ar-2)～(Ar-15)和(Ar-18)～(Ar-66)基團(tuán)中的一個(gè)。

優(yōu)選地，基團(tuán)Ar¹、Ar²、Ar³、Ar⁴、Ar⁵和Ar⁶中的至少一個(gè)包含至少一個(gè)如上限定的雜芳基基團(tuán)。所述至少一個(gè)雜芳基基團(tuán)優(yōu)選具有5～20個(gè)芳族環(huán)原子，特別優(yōu)選6～14個(gè)芳族環(huán)原子。

基團(tuán)R¹優(yōu)選在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地選自H，D，F(xiàn)，CN，Si(R³)₃，具有1～10個(gè)C原子的直鏈烷基或烷氧基基團(tuán)，具有3～10個(gè)C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基或烷氧基基團(tuán)，具有6～24個(gè)芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系和具有5～24個(gè)芳族環(huán)原子的雜芳族環(huán)系；其中所述烷基和烷氧基基團(tuán)、所述芳族環(huán)系和所述雜芳族環(huán)系可各自被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R³取代；且其中在所述烷基或烷氧基基團(tuán)中的一個(gè)或多個(gè)CH₂基團(tuán)可被-C≡C-、-R³C＝CR³-、Si(R³)₂、C＝O、C＝NR³、-NR³-、-O-、-S-、-C(＝O)O-或-C(＝O)NR³-代替?；鶊F(tuán)R¹特別優(yōu)選在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地選自H，F(xiàn)，CN，Si(R³)₃，具有6～24個(gè)芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系和具有5～24個(gè)芳族環(huán)原子的雜芳族環(huán)系；其中所述芳族環(huán)系和所述雜芳族環(huán)系可各自被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R³取代。基團(tuán)R¹非常特別優(yōu)選等于H。

基團(tuán)R²優(yōu)選在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地選自H，D，F(xiàn)，CN，Si(R³)₃，具有1～10個(gè)C原子的直鏈烷基或烷氧基基團(tuán)，具有3～10個(gè)C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基或烷氧基基團(tuán)，具有6～24個(gè)芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系和具有5～24個(gè)芳族環(huán)原子的雜芳族環(huán)系；其中所述烷基和烷氧基基團(tuán)、所述芳族環(huán)系和所述雜芳族環(huán)系可各自被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R³取代；且其中在所述烷基或烷氧基基團(tuán)中的一個(gè)或多個(gè)CH₂基團(tuán)可以被-C≡C-、-R³C＝CR³-、Si(R³)₂、C＝O、C＝NR³、-NR³-、-O-、-S-、-C(＝O)O-或-C(＝O)NR³代替?；鶊F(tuán)R²特別優(yōu)選在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地選自H，F(xiàn)，CN，Si(R³)₃，具有1～10個(gè)C原子的直鏈烷基基團(tuán)，具有3～10個(gè)C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基基團(tuán)，具有6～24個(gè)芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系和具有5～24個(gè)芳族環(huán)原子的雜芳族環(huán)系；其中所述烷基、所述芳族環(huán)系和所述雜芳族環(huán)系可各自被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R³取代。

基團(tuán)R³優(yōu)選在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地選自H，D，F(xiàn)，CN，Si(R⁴)₃，具有1～10個(gè)C原子的直鏈烷基或烷氧基基團(tuán)，具有3～10個(gè)C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基或烷氧基基團(tuán)，具有6～24個(gè)芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系和具有5～24個(gè)芳族環(huán)原子的雜芳族環(huán)系；其中所述烷基和烷氧基基團(tuán)、所述芳族環(huán)系和所述雜芳族環(huán)系可各自被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R⁴取代；且其中在所述烷基或烷氧基基團(tuán)中的一個(gè)或多個(gè)CH₂基團(tuán)可被-C≡C-、-R⁴C＝CR⁴-、Si(R⁴)₂、C＝O、C＝NR⁴、-NR⁴-、-O-、-S-、-C(＝O)O-或-C(＝O)NR⁴-代替?；鶊F(tuán)R³特別優(yōu)選在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地選自H，F(xiàn)，CN，Si(R⁴)₃，具有1～10個(gè)C原子的直鏈烷基基團(tuán)，具有3～10個(gè)C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基基團(tuán)，具有6～24個(gè)芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系和具有5～24個(gè)芳族環(huán)原子的雜芳族環(huán)系；其中所述烷基基團(tuán)、所述芳族環(huán)系和所述雜芳族環(huán)系可各自被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R⁴取代。

式(I)的化合物優(yōu)選符合式(I-1)～(I-3)中的一個(gè)：

其中出現(xiàn)的符號和標(biāo)記為如上所限定的。

特別地，對于式(I-1)～(I-3)的化合物，優(yōu)選X等于CR¹，并且正好1個(gè)、正好2個(gè)或正好3個(gè)選自標(biāo)記a、b、c和d中的標(biāo)記等于1。

在式(I-1)～(I-3)中，優(yōu)選式(I-1)。

式(I)的化合物特別優(yōu)選符合式(I-1-1)～(I-1-4)中的一個(gè)：

其中出現(xiàn)的符號為如上所限定的。

尤其優(yōu)選的是式(I-1-1)～(I-1-4)的優(yōu)選實(shí)施方式與基團(tuán)Ar¹、Ar²、Ar³、Ar⁴、Ar⁵和Ar⁶的上述優(yōu)選實(shí)施方式的組合。

將式(I)化合物的實(shí)例描繪于下表中：

使用已知的有機(jī)化學(xué)反應(yīng)，例如使用溴化反應(yīng)、Buchwald偶聯(lián)反應(yīng)和Suzuki偶聯(lián)反應(yīng)，能夠制備式(I)的化合物。

在下面給出了用于制備式(I)化合物的優(yōu)選方法并概括地進(jìn)行了解釋。在所述方案中，所示化合物可任選地被取代。將所述方法的明確實(shí)例示于實(shí)施例中。

利用吖啶酮或吖啶酮的衍生物開始制備式(I)化合物的優(yōu)選方法(方案1)。這以Buchwald偶聯(lián)進(jìn)行反應(yīng)，其中獲得了在N上被芳基基團(tuán)取代的吖啶酮。這在進(jìn)一步的步驟中進(jìn)行溴化，并在Suzuki反應(yīng)中在溴化的位置處引入芳基基團(tuán)。該路線優(yōu)選生成對稱的吖啶酮中間體。

方案1

根據(jù)方案2可以制備不對稱的吖啶酮基本結(jié)構(gòu)。為此，起始材料是二苯基胺衍生物，其被轉(zhuǎn)化為羧基取代的三苯基衍生物。這在閉環(huán)反應(yīng)中被轉(zhuǎn)化為不對稱取代的吖啶酮衍生物。

方案2

對稱取代或不對稱取代的吖啶酮衍生物與適當(dāng)取代的二苯基胺反應(yīng)以生成螺二吖啶(方案3)。在導(dǎo)致螺環(huán)單元形成的反應(yīng)之后，可以進(jìn)行用于在芳族環(huán)上引入取代基的Suzuki偶聯(lián)反應(yīng)和/或用于在螺二吖啶的氮原子上引入取代基的Buchwald偶聯(lián)反應(yīng)。

方案3

所述合成方法僅是優(yōu)選的方法?？蛇x性方法是可行的，如有必要，本領(lǐng)域技術(shù)人員在其一般專業(yè)知識的情況下可以借助于所述可選性方法。

本發(fā)明涉及一種制備式(I)的化合物的方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：

1)在有機(jī)金屬化合物的存在下使鹵素取代的二苯基胺衍生物與吖啶酮衍生物反應(yīng)；

2)在1)中形成的中間體進(jìn)行閉環(huán)反應(yīng)以生成螺二吖啶衍生物；

3)利用Buchwald偶聯(lián)在螺二吖啶衍生物的自由氮原子上引入芳基或雜芳基基團(tuán)。

優(yōu)選在步驟1)之后實(shí)施步驟2)，且優(yōu)選在步驟2)之后實(shí)施步驟3)。此外，衍生和偶聯(lián)反應(yīng)如Suzuki偶聯(lián)優(yōu)選在步驟3)之后。還另外優(yōu)選的是，步驟1)中的有機(jī)金屬化合物是有機(jī)鋰堿，特別優(yōu)選正丁基鋰。還優(yōu)選的是，在步驟1)中實(shí)施在羰基基團(tuán)上的親核加成反應(yīng)，其中形成叔醇。

上述化合物，特別是被反應(yīng)性離去基團(tuán)如溴、碘、氯、硼酸或硼酸酯取代的化合物，能夠被用作制備相應(yīng)的低聚物、樹枝狀大分子或聚合物的單體。合適的反應(yīng)性離去基團(tuán)例如是溴，碘，氯，硼酸，硼酸酯，胺，具有末端碳-碳雙鍵或C-C三鍵的烯基或炔基基團(tuán)，環(huán)氧乙烷，氧雜環(huán)丁烷，進(jìn)行環(huán)加成如1,3-二極環(huán)加成的基團(tuán)例如二烯或疊氮化物，羧酸衍生物，醇和硅烷。

因此，本發(fā)明還涉及包含一種或多種式(I)化合物的低聚物、聚合物或樹枝狀大分子，其中一個(gè)或多個(gè)與所述聚合物、低聚物或樹枝狀大分子連接的鍵可位于式(I)中被R¹或R²取代的任意期望位置處。取決于式(I)化合物的連接，所述化合物是低聚物或聚合物的側(cè)鏈的組成部分或是主鏈的組成部分。本發(fā)明意義上的低聚物被認(rèn)為是指由至少三個(gè)單體單元構(gòu)建的化合物。在本發(fā)明意義上的聚合物被認(rèn)為是指由至少十個(gè)單體單元構(gòu)建的化合物。根據(jù)本發(fā)明的聚合物、低聚物或樹枝狀大分子可以是共軛的、部分共軛的或非共軛的。根據(jù)本發(fā)明的低聚物或聚合物可以是線性的、支鏈的或樹枝狀的。在以線性方式連接的結(jié)構(gòu)中，式(I)的單元可以彼此直接連接，或者其可以通過二價(jià)基團(tuán)，如通過取代或未取代的亞烷基基團(tuán)，通過雜原子或通過二價(jià)芳族或雜芳族基團(tuán)彼此連接。在支鏈或樹枝狀的結(jié)構(gòu)中，例如，三個(gè)或更多個(gè)式(I)單元可以通過三價(jià)或多價(jià)基團(tuán)，如通過三價(jià)或多價(jià)的芳族或雜芳族基團(tuán)連接以形成支鏈或樹枝狀的低聚物或聚合物。

上面關(guān)于式(I)化合物所述的相同優(yōu)選方式適用于低聚物、樹枝狀大分子和聚合物中的式(I)重復(fù)單元。

為了制備所述低聚物或聚合物，將根據(jù)本發(fā)明的單體均聚或與另外的單體共聚。合適且優(yōu)選的共聚單體選自芴(例如根據(jù)EP 842208或WO 2000/22026)、螺二芴(例如根據(jù)EP 707020、EP 894107或WO 2006/061181)、對亞苯基(例如根據(jù)WO 1992/18552)、咔唑(例如根據(jù)WO 2004/070772或WO 2004/113468)、噻吩(例如根據(jù)EP 1028136)、二氫菲(例如根據(jù)WO 2005/014689或WO 2007/006383)、順式和反式茚并芴(例如根據(jù)WO 2004/041901或WO 2004/113412)、酮(例如根據(jù)WO 2005/040302)、菲(例如根據(jù)WO 2005/104264或WO 2007/017066)或者多種這些單體。所述聚合物、低聚物和樹枝狀大分子通常也可以包括另外的單元，例如發(fā)光(熒光或磷光)單元，如乙烯基三芳基胺(例如根據(jù)WO 2007/068325)或磷光金屬絡(luò)合物(例如根據(jù)2006/003000)，和/或電荷傳輸單元，尤其是基于三芳基胺的那些。

通常通過一種或多種類型單體的聚合來制備根據(jù)本發(fā)明的聚合物和低聚物，其中的至少一種單體導(dǎo)致聚合物中式(I)的重復(fù)單元。合適的聚合反應(yīng)對本領(lǐng)域技術(shù)人員是已知的并在文獻(xiàn)中進(jìn)行了描述。導(dǎo)致C-C或C-N連接的特別合適且優(yōu)選的聚合反應(yīng)如下：

(A)SUZUKI聚合；

(B)YAMAMOTO聚合；

(C)STILLE聚合；和

(D)HARTWIG-BUCHWALD聚合。

可通過這些方法實(shí)施聚合的方式和然后可將聚合物與反應(yīng)介質(zhì)分離并提純的方式對于本領(lǐng)域技術(shù)人員是已知的并在文獻(xiàn)中，如在WO 2003/048225、WO 2004/037887和WO 2004/037887中進(jìn)行了詳細(xì)說明。

為了從液相例如通過旋涂或通過印刷方法處理根據(jù)本發(fā)明的化合物，根據(jù)本發(fā)明的化合物的制劑是必需的。這些制劑可以例如為溶液、分散體或乳液。為此，可以優(yōu)選使用兩種或更多種溶劑的混合物。合適且優(yōu)選的溶劑例如為甲苯，苯甲醚，鄰-、間-或?qū)?二甲苯，苯甲酸甲酯，均三甲苯，四氫化萘，鄰二甲氧基苯，THF，甲基-THF，THP，氯苯，二烷，苯氧基甲苯，特別是3-苯氧基甲苯，(-)-葑酮，1,2,3,5-四甲基苯，1,2,4,5-四甲基苯，1-甲基萘，2-甲基苯并噻唑，2-苯氧基乙醇，2-吡咯烷酮，3-甲基苯甲醚，4-甲基苯甲醚，3,4-二甲基苯甲醚，3,5-二甲基苯甲醚，苯乙酮，α-萜品醇，苯并噻唑，苯甲酸丁酯，異丙基苯，環(huán)己醇，環(huán)己酮，環(huán)己基苯，十氫化萘，十二烷基苯，苯甲酸乙酯，茚滿，苯甲酸甲酯，NMP，對甲基異丙基苯，苯乙醚，1,4-二異丙基苯，二芐醚，二乙二醇丁基甲基醚，三乙二醇丁基甲基醚，二乙二醇二丁基醚，三乙二醇二甲基醚，二乙二醇單丁基醚，三丙二醇二甲基醚，四乙二醇二甲基醚，2-異丙基萘，戊基苯，己基苯，庚基苯，辛基苯，1,1-雙(3,4-二甲基苯基)乙烷，或這些溶劑的混合物。

因此本發(fā)明還涉及一種制劑，特別是溶液、分散體或乳液，其包含至少一種式(I)的化合物或至少一種含有至少一種式(I)單元的聚合物、低聚物或樹枝狀大分子和至少一種溶劑，優(yōu)選有機(jī)溶劑?？芍苽溥@種類型的溶液的方式對于本領(lǐng)域技術(shù)人員是已知的，并且例如在WO 2002/072714、WO 2003/019694和其中所引的文獻(xiàn)中進(jìn)行了描述。

根據(jù)本發(fā)明的化合物適合用于電子器件中，特別是用于有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)中。根據(jù)所述取代，將所述化合物用于不同的功能和層中。

因此，本發(fā)明還涉及式(I)的化合物在電子器件中的用途。在此，電子器件優(yōu)選選自：有機(jī)集成電路(OIC)、有機(jī)場效應(yīng)晶體管(OFET)、有機(jī)薄膜晶體管(OTFT)、有機(jī)發(fā)光晶體管(OLET)、有機(jī)太陽能電池(OSC)、有機(jī)光學(xué)檢測器、有機(jī)光感受器、有機(jī)場猝熄器件(OFQD)、有機(jī)發(fā)光電化學(xué)電池(OLEC)、有機(jī)激光二極管(O-laser)，特別優(yōu)選有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)。

如上面已經(jīng)指示的，本發(fā)明還涉及包含至少一種式(I)的化合物的電子器件。在此，所述電子器件優(yōu)選選自上述器件。

所述電子器件特別優(yōu)選是包含陽極、陰極和至少一個(gè)發(fā)光層的有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)，其特征在于，至少一個(gè)有機(jī)層包含至少一種式(I)的化合物，所述至少一個(gè)有機(jī)層可以是發(fā)光層、空穴傳輸層或另外的層。

除了陰極、陽極和發(fā)光層之外，所述有機(jī)電致發(fā)光器件可以還包含另外的層。這些在每種情況下例如選自一個(gè)或多個(gè)空穴注入層、空穴傳輸層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層、電子阻擋層、激子阻擋層、中間層、電荷產(chǎn)生層(IDMC 2003,臺灣；Session 21OLED(5),T.Matsumoto,T.Nakada,J.Endo,K.Mori,N.Kawamura,A.Yokoi,J.Kido,Multiphoton Organic EL Device Having Charge Generation Layer(具有電荷產(chǎn)生層的多光子有機(jī)EL器件))和/或有機(jī)或無機(jī)p/n結(jié)。

包含式(I)的化合物的有機(jī)電致發(fā)光器件的層的順序優(yōu)選如下：

陽極/空穴注入層/空穴傳輸層/任選另外的空穴傳輸層/任選的電子阻擋層/發(fā)光層/電子傳輸層/電子注入層/陰極。

然而，并非所有的所述層都必須存在，并且還可存在另外的層。

根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件可以包括多個(gè)發(fā)光層。在這種情況下這些發(fā)光層特別優(yōu)選總共具有多個(gè)在380nm和750nm之間的發(fā)光峰值，從而總體上導(dǎo)致白色發(fā)光，即，將能夠發(fā)熒光或發(fā)磷光的并發(fā)藍(lán)色或黃色或橙色或紅色光的多種發(fā)光化合物用于所述發(fā)光層中。特別優(yōu)選三層體系，即具有三個(gè)發(fā)光層的體系，其中三個(gè)層呈現(xiàn)藍(lán)色、綠色和橙色或紅色發(fā)光(關(guān)于基本結(jié)構(gòu)參見例如WO2005/011013)。根據(jù)本發(fā)明的化合物優(yōu)選存在于空穴傳輸層、空穴注入層或電子阻擋層中。

根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選的是將式(I)的化合物用于包含一種或多種磷光發(fā)光化合物的電子器件中。所述化合物此處可以存在于不同的層中，優(yōu)選存在于空穴傳輸層、電子阻擋層、空穴注入層中或存在于發(fā)光層中。

術(shù)語磷光發(fā)光化合物通常涵蓋其中通過自旋禁阻躍遷，例如從激發(fā)三重態(tài)或具有更高自旋量子數(shù)的狀態(tài)如五重態(tài)的躍遷而產(chǎn)生發(fā)光的化合物。

合適的磷光發(fā)光化合物(＝三重態(tài)發(fā)光體)特別是如下的化合物，所述化合物在適當(dāng)激發(fā)時(shí)發(fā)光、優(yōu)選在可見光區(qū)域發(fā)光，并且還包含至少一個(gè)原子序數(shù)大于20、優(yōu)選大于38且小于84、更優(yōu)選大于56且小于80的原子。使用的磷光發(fā)光化合物優(yōu)選是包含銅、鉬、鎢、錸、釕、鋨、銠、銥、鈀、鉑、銀、金或銪的化合物，特別是包含銥、鉑或銅的化合物。

出于本發(fā)明的目的，將所有發(fā)光的銥、鉑或銅絡(luò)合物都視為磷光發(fā)光化合物。

通過如下申請揭示了上述發(fā)光化合物的實(shí)例：WO 00/70655、WO 01/41512、WO 02/02714、WO 02/15645、EP 1191613、EP 1191612、EP 1191614、WO 05/033244、WO 05/019373和US 2005/0258742。一般來講，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)用于磷光OLED和在有機(jī)電致發(fā)光器件的領(lǐng)域中為本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的所有磷光絡(luò)合物都是合適的。本領(lǐng)域技術(shù)人員將還能夠在不需要創(chuàng)造性勞動的條件下將另外的磷光絡(luò)合物與式(I)的化合物組合用于有機(jī)電致發(fā)光器件中。將另外的實(shí)例示于下表中。

然而，根據(jù)本發(fā)明，式(I)的化合物還可被用于包含一種或多種熒光發(fā)光化合物的電子器件中。

在本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施方式中，將式(I)的化合物用作空穴傳輸材料。于是所述化合物優(yōu)選存在于空穴傳輸層、電子阻擋層或空穴注入層中。

根據(jù)本申請的空穴傳輸層是位于陽極與發(fā)光層之間的具有空穴傳輸功能的層。

在本發(fā)明意義上的空穴注入層和電子阻擋層被認(rèn)為是空穴傳輸層的特定實(shí)施方式。在陽極與發(fā)光層之間有多個(gè)空穴傳輸層的情況下，空穴注入層是與陽極直接相鄰或僅通過陽極的單個(gè)涂層與其隔開的空穴傳輸層。在陽極與發(fā)光層之間有多個(gè)空穴傳輸層的情況下，電子阻擋層是在陽極側(cè)與發(fā)光層直接相鄰的空穴傳輸層。

如果將式(I)的化合物用作空穴傳輸層、空穴注入層或電子阻擋層中的空穴傳輸材料，則所述化合物能夠作為純材料即以100％的比例用于空穴傳輸層中，或者其能夠與一種或多種另外的化合物組合使用。根據(jù)一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式，包含式(I)化合物的有機(jī)層于是還包含一種或多種p型摻雜劑。根據(jù)本發(fā)明，所使用的p型摻雜劑優(yōu)選為能夠?qū)⒒旌衔锏钠渌衔镏械囊环N或多種氧化的有機(jī)電子受體化合物。

p型摻雜劑的特別優(yōu)選的實(shí)施方式是在WO 2011/073149、EP 1968131、EP 2276085、EP 2213662、EP 1722602、EP 2045848、DE 102007031220、US 8044390、US 8057712、WO 2009/003455、WO 2010/094378、WO 2011/120709、US 2010/0096600和WO 2012/095143中公開的化合物。

特別優(yōu)選的p型摻雜劑是醌二甲烷化合物，氮雜茚并芴二酮，氮雜非那烯，氮雜苯并菲，I₂，金屬鹵化物，優(yōu)選過渡金屬鹵化物，金屬氧化物，優(yōu)選包含至少一種過渡金屬或來自第3主族的金屬的金屬氧化物，和過渡金屬絡(luò)合物，優(yōu)選Cu、Co、Ni、Pd和Pt與含有至少一個(gè)氧原子作為鍵合位點(diǎn)的配體的絡(luò)合物。所述摻雜劑還優(yōu)選為過渡金屬氧化物，優(yōu)選錸、鉬和鎢的氧化物，特別優(yōu)選Re₂O₇、MoO₃、WO₃和ReO₃。

所述p型摻雜劑優(yōu)選基本均勻分散在p型摻雜的層中。這能夠例如通過p型摻雜劑和空穴傳輸基質(zhì)材料的共蒸發(fā)來實(shí)現(xiàn)。

優(yōu)選的p型摻雜劑特別是如下的化合物：

在本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，將式(I)的化合物用作空穴傳輸材料，與六氮雜苯并菲衍生物組合使用，如在US 2007/0092755中所述的。六氮雜苯并菲衍生物在此特別優(yōu)選用于單獨(dú)的層中。

在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式中，將式(I)的化合物在發(fā)光層中用作基質(zhì)材料，與一種或多種發(fā)光化合物、優(yōu)選磷光發(fā)光化合物組合使用。

在這一情況下，基質(zhì)材料在發(fā)光層中的比例對于熒光發(fā)光層為在50.0體積％和99.9體積％之間，優(yōu)選80.0體積％和99.5體積％之間，特別優(yōu)選在92.0體積％和99.5體積％之間，且對于磷光發(fā)光層為在85.0體積％和97.0體積％之間。

相應(yīng)地，發(fā)光化合物的比例對于熒光發(fā)光層為在0.1體積％和50.0體積％之間，優(yōu)選在0.5體積％和20.0體積％之間，特別優(yōu)選在0.5體積％和8.0體積％之間，并對于磷光發(fā)光層為在3.0體積％和15.0體積％之間。

有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光層還可以包含包括多種基質(zhì)材料的體系(混合基質(zhì)體系)和/或多種發(fā)光化合物。同樣在這種情況下，發(fā)光化合物通常是比例在體系中較小的化合物且基質(zhì)材料是比例在體系中較大的化合物。然而，在個(gè)別情況下，單種基質(zhì)材料在體系中的比例可以小于單種發(fā)光化合物的比例。

式(I)的化合物優(yōu)選被用作混合基質(zhì)體系的組分。所述混合基質(zhì)體系優(yōu)選包含兩種或三種不同的基質(zhì)材料，特別優(yōu)選兩種不同的基質(zhì)材料。此處所述兩種材料中的一種優(yōu)選為具有空穴傳輸性質(zhì)的材料且另一種材料是具有電子傳輸性質(zhì)的材料。式(I)的化合物在此優(yōu)選為具有空穴傳輸性質(zhì)的基質(zhì)材料。然而，混合基質(zhì)組分的期望的電子傳輸和空穴傳輸性質(zhì)也可以主要或完全合并在單種的混合基質(zhì)組分中，其中另外的一種或多種混合基質(zhì)組分實(shí)現(xiàn)其它功能。在此，所述兩種不同的基質(zhì)材料能夠以1:50～1:1、優(yōu)選1:20～1:1、特別優(yōu)選1:10～1:1、非常特別優(yōu)選1:4～1:1的比例存在。混合基質(zhì)體系優(yōu)選用于磷光有機(jī)電致發(fā)光器件中。尤其在申請WO 2010/10857中給出了關(guān)于混合基質(zhì)體系的更精確的信息。

所述混合基質(zhì)體系可以包括一種或多種發(fā)光化合物，優(yōu)選一種或多種磷光發(fā)光化合物。一般來講，混合基質(zhì)體系優(yōu)選被用于磷光有機(jī)電致發(fā)光器件中。

取決于混合基質(zhì)體系中使用的發(fā)光化合物的類型，可用作混合基質(zhì)體系的基質(zhì)組分與根據(jù)本發(fā)明的化合物組合的特別適合的基質(zhì)材料選自下面指示的用于磷光發(fā)光化合物的優(yōu)選基質(zhì)材料或用于熒光發(fā)光化合物的優(yōu)選基質(zhì)材料。

將用于混合基質(zhì)體系中的優(yōu)選磷光發(fā)光化合物示于下表中。

下面示出了電子器件的各種功能材料的優(yōu)選實(shí)施方式。

優(yōu)選的磷光發(fā)光化合物是上述化合物和下表中所示的化合物：

除了式(I)的化合物之外，優(yōu)選的熒光發(fā)光化合物選自芳基胺類。在本發(fā)明意義上芳基胺或芳族胺被認(rèn)為是指包含直接鍵合到氮的三個(gè)取代或未取代的芳族或雜芳族環(huán)系的化合物。這些芳族或雜芳族環(huán)系中的至少一個(gè)優(yōu)選為稠合環(huán)系，特別優(yōu)選具有至少14個(gè)芳族環(huán)原子的稠合環(huán)系。其優(yōu)選實(shí)例是芳族蒽胺、芳族蒽二胺、芳族芘胺、芳族芘二胺、芳族胺或芳族二胺。芳族蒽胺被認(rèn)為是指其中一個(gè)二芳基氨基基團(tuán)直接鍵合到蒽基團(tuán)、優(yōu)選在9位鍵合的化合物。芳族蒽二胺被認(rèn)為是指其中兩個(gè)二芳基氨基基團(tuán)直接鍵合到蒽基團(tuán)、優(yōu)選在9,10位鍵合的化合物。與其類似地定義芳族的芘胺、芘二胺、胺和二胺，其中二芳基氨基基團(tuán)優(yōu)選在1位或在1,6位鍵合到芘。另外優(yōu)選的發(fā)光化合物是茚并芴胺或茚并芴二胺，例如根據(jù)WO 2006/108497或WO 2006/122630的，例如根據(jù)WO 2008/006449的苯并茚并芴胺或苯并茚并芴二胺，二苯并茚并芴胺或二苯并茚并芴二胺，例如根據(jù)WO 2007/140847的，和在WO 2010/012328中公開的含有稠合芳基基團(tuán)的茚并芴衍生物。同樣優(yōu)選的是在WO 2012/048780中公開的芘芳基胺和WO 2013/185871中的那些。同樣優(yōu)選地是在WO 2014/037077中公開的苯并茚并芴胺、在WO 2014/106522中的公開苯并芴胺和在WO 2014/111269中公開的苯并茚并芴。

優(yōu)選用于熒光發(fā)光化合物的合適的基質(zhì)材料是來自多種物質(zhì)類別的材料。優(yōu)選的基質(zhì)材料選自如下的類別：低聚亞芳基(例如根據(jù)EP 676461的2,2‘,7,7‘-四苯基螺二芴，或二萘基蒽)，特別是含有稠合芳族基團(tuán)的低聚亞芳基，低聚亞芳基亞乙烯基(例如根據(jù)EP 676461的DPVBi或螺-DPVBi)，多足金屬絡(luò)合物(例如根據(jù)WO 2004/081017的)，空穴傳導(dǎo)化合物(例如根據(jù)WO 2004/058911的)，電子傳導(dǎo)化合物，特別是酮、氧化膦、亞砜等(例如根據(jù)WO 2005/084081和WO 2005/084082的)，阻轉(zhuǎn)異構(gòu)體(例如根據(jù)WO 2006/048268的)，硼酸衍生物(例如根據(jù)WO 2006/117052的)或苯并蒽(例如根據(jù)WO 2008/145239的)。特別優(yōu)選的基質(zhì)材料選自如下的類別：包含萘、蒽、苯并蒽和/或芘或這些化合物的阻轉(zhuǎn)異構(gòu)體的低聚亞芳基，低聚亞芳基亞乙烯基，酮，氧化膦和亞砜。非常特別優(yōu)選的基質(zhì)材料選自如下的類別：包含蒽、苯并蒽、苯并菲和/或芘或這些化合物的阻轉(zhuǎn)異構(gòu)體的低聚亞芳基。在本發(fā)明意義上的低聚亞芳基旨在被認(rèn)為是指其中至少三個(gè)芳基或亞芳基基團(tuán)彼此鍵合的化合物。此外優(yōu)選在WO 2006/097208、WO 2006/131192、WO 2007/065550、WO 2007/110129、WO 2007/065678、WO 2008/145239、WO 2009/100925、WO 2011/054442和EP 1553154中公開的蒽衍生物，和公開在EP 1749809、EP 1905754和US 2012/0187826中公開的芘化合物。

除了式(I)的化合物之外，用于磷光發(fā)光化合物的優(yōu)選基質(zhì)材料是芳族酮，芳族氧化膦或芳族亞砜或砜，例如根據(jù)WO 2004/013080、WO 2004/093207、WO 2006/005627或WO 2010/006680的，三芳基胺，咔唑衍生物，例如CBP(N,N-二咔唑基聯(lián)苯)或在WO 2005/039246、US 2005/0069729、JP 2004/288381、EP 1205527或WO 2008/086851中公開的咔唑衍生物，吲哚并咔唑衍生物，例如根據(jù)WO 2007/063754或WO 2008/056746的，茚并咔唑衍生物，例如根據(jù)WO 2010/136109、WO 2011/000455或WO 2013/041176的，氮雜咔唑衍生物，例如根據(jù)EP 1617710、EP 1617711、EP 1731584、JP 2005/347160的，雙極性基質(zhì)材料，例如根據(jù)WO 2007/137725的，硅烷，例如根據(jù)WO 2005/111172的，氮雜硼雜環(huán)戊二烯或硼酸酯，例如根據(jù)WO 2006/117052的，三嗪衍生物，例如根據(jù)WO 2010/015306、WO 2007/063754或WO 2008/056746的，鋅絡(luò)合物，例如根據(jù)EP 652273或WO 2009/062578的，二氮雜硅雜環(huán)戊二烯或四氮雜硅雜環(huán)戊二烯衍生物，例如根據(jù)WO 2010/054729的，二氮雜磷雜環(huán)戊二烯衍生物，例如根據(jù)WO 2010/054730的，橋連咔唑衍生物，例如根據(jù)US 2009/0136779、WO 2010/050778、WO 2011/042107、WO 2011/088877或WO 2012/143080的，苯并菲衍生物，例如根據(jù)WO 2012/048781的，或內(nèi)酰胺，例如根據(jù)WO 2011/116865或WO 2011/137951的。

除了式(I)的化合物之外，可在根據(jù)本發(fā)明的電子器件的空穴注入或空穴傳輸層或電子阻擋層中或在電子傳輸層中使用的合適的電荷傳輸材料例如是在Y.Shirota等,Chem.Rev(化學(xué)綜述).2007,107(4),953-1010中公開的化合物或根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)用于這些層中的其它材料。

根據(jù)本發(fā)明的OLED優(yōu)選包括兩個(gè)或更多個(gè)不同的空穴傳輸層。在此，式(Ⅰ)化合物可被用于一個(gè)或幾個(gè)或所有的空穴傳輸層中。根據(jù)一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式，式(I)的化合物被用于正好一個(gè)空穴傳輸層中，而其它的化合物、優(yōu)選芳香族胺化合物被用于存在的其它空穴傳輸層中。

可用于電子傳輸層的材料是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)用作電子傳輸層中的電子傳輸材料的所有材料。特別合適的是鋁絡(luò)合物如Alq₃、鋯絡(luò)合物如Zrq₄、鋰絡(luò)合物如Liq、苯并咪唑衍生物、三嗪衍生物、嘧啶衍生物、吡啶衍生物、吡嗪衍生物、喹喔啉衍生物、喹啉衍生物、二唑衍生物、芳族酮、內(nèi)酰胺、硼烷、二氮雜磷雜環(huán)戊二烯衍生物和氧化膦衍生物。此外，合適的材料是上述化合物的衍生物，如在JP2000/053957、WO2003/060956、WO2004/028217、WO2004/080975和WO2010/072300中公開的。

所述電子器件的陰極優(yōu)選包含具有低逸出功的金屬，金屬合金或多層結(jié)構(gòu)，其包含多種金屬例如堿土金屬、堿金屬、主族金屬或鑭系元素(例如Ca、Ba、Mg、Al、In、Mg、Yb、Sm等)。同樣合適的是包含堿金屬或堿土金屬和銀的合金，例如包含鎂和銀的合金。在多層結(jié)構(gòu)的情況下，除了所述金屬之外，還可以使用另外的具有相對高逸出功的金屬例如Ag或Al，在所述情況中通常使用所述金屬的組合，例如Ca/Ag、Mg/Ag或Ag/Ag。還可以優(yōu)選將具有高介電常數(shù)的材料的薄中間層引入金屬陰極與有機(jī)半導(dǎo)體之間。適于此目的的例如是堿金屬氟化物或堿土金屬氟化物，以及相應(yīng)的氧化物或碳酸鹽(例如LiF、Li₂O、BaF₂、MgO、NaF、CsF、Cs₂CO₃等)。此外，喹啉鋰(LIQ)可用于此目的。該層的層厚度優(yōu)選在0.5nm和5nm之間。

所述陽極優(yōu)選包含具有高逸出功的材料。陽極優(yōu)選具有相對于真空為大于4.5eV的逸出功。一方面，適用于此目的的是具有高氧化還原電位的金屬例如Ag、Pt或Au。另一方面，金屬/金屬氧化物電極(例如Al/Ni/NiO_x、Al/PtO_x)也可以是優(yōu)選的。對于一些應(yīng)用，所述電極中的至少一個(gè)必須是透明或部分透明的，以有助于有機(jī)材料的照射(有機(jī)太陽能電池)或光的耦合輸出(OLED、O-laser)。此處優(yōu)選的陽極材料是導(dǎo)電混合金屬氧化物。特別優(yōu)選的是氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。還優(yōu)選導(dǎo)電性摻雜有機(jī)材料，特別是導(dǎo)電性摻雜聚合物。此外，陽極也可以由多個(gè)層，例如由ITO的內(nèi)層和金屬氧化物，優(yōu)選氧化鎢、氧化鉬或氧化釩的外層構(gòu)成。

所述器件(根據(jù)應(yīng)用)適當(dāng)結(jié)構(gòu)化，設(shè)置以接觸并最終密封，以便避免水和空氣的有害影響。

在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，根據(jù)本發(fā)明的電子器件的特征在于，利用升華法施加一個(gè)或多個(gè)層，其中在真空升華單元中在小于10^-5毫巴、優(yōu)選小于10^-6毫巴的初始壓力下通過氣相沉積來施加所述材料。然而，此處初始壓力還可以甚至更低，例如低于10^-7毫巴。

同樣優(yōu)選如下的電子器件，其特征在于，利用OVPD(有機(jī)氣相沉積)法或借助于載氣升華來施加一個(gè)或多個(gè)層，其中在10^-5毫巴和1巴之間的壓力下施加所述材料。該方法的特例是OVJP(有機(jī)氣相噴印)法，其中所述材料通過噴嘴直接施加并由此結(jié)構(gòu)化(例如M.S.Arnold等,Appl.Phys.Lett.(應(yīng)用物理快報(bào))2008,92,053301)。

此外，優(yōu)選如下的電子器件，其特征在于，從溶液中例如通過旋涂或利用任何期望的印刷方法例如絲網(wǎng)印刷、柔性版印刷、噴嘴印刷或平版印刷，但特別優(yōu)選LITI(光誘導(dǎo)熱成像、熱轉(zhuǎn)印)或噴墨印刷，來制造一個(gè)或多個(gè)層。可溶性的式(I)化合物對于此目的是必需的。通過化合物的合適取代可實(shí)現(xiàn)高的溶解性。

為了制造根據(jù)本發(fā)明的電子器件，還優(yōu)選由溶液中施加一個(gè)或多個(gè)層并且通過升華法施加一個(gè)或多個(gè)層。

根據(jù)本發(fā)明，包含一種或多種式(I)化合物的電子器件能夠被用于顯示器中，被用作照明應(yīng)用中的光源，和用作醫(yī)學(xué)和/或美容應(yīng)用(例如光療法)中的光源。

實(shí)施例

A)合成實(shí)施例

A-1)對稱的基本結(jié)構(gòu)的合成

步驟1：

在保護(hù)性氣氛下，將100g(0.5mol)的10H-吖啶-9-酮、140g(0.6mol)的4-溴聯(lián)苯、9.6g(0.05mol)的CuI、104.0g(0.75mol)的碳酸鉀和22.0ml(0.1mol)的2,2,6,6-四甲基庚烷-3,5-二酮溶于600ml二甲基甲酰胺中。在保護(hù)性氣氛下，將反應(yīng)混合物在沸騰下加熱48小時(shí)。隨后將水添加至所述混合物。抽吸過濾出固體，用水和乙醇洗滌，并從甲苯中重結(jié)晶。

產(chǎn)率：167g(0.48mol)，理論的96％。

可以類似地得到如下化合物：

步驟2：

在避光下，將N-溴代琥珀酰亞胺(31.05g，172.7mmol)按份添加至二氫吖啶酮(30.0g，86.3mmol)在DMF(1400毫升)中的0℃溶液中，并將混合物在室溫下攪拌過夜。在旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器中除去一半的溶劑，并將300ml乙醇添加至所述混合物。抽吸過濾出固體，并從DMF中重結(jié)晶。產(chǎn)率：42g，理論的97％，黃色固體。

步驟3：

將21.4g(171.7mmol)的苯基硼酸、46.3g(85.8mmol)的二溴-10H-吖啶-9-酮和1.4g(1.9mmol)的Pd(PPh₃)₄懸浮在930ml的二烷中。將85.8ml的2M碳酸鉀溶液緩慢添加到該懸浮液中，并將所述反應(yīng)混合物在回流下加熱16小時(shí)。冷卻后，分離出有機(jī)相，通過硅膠過濾并隨后蒸發(fā)至干。將殘余物從甲苯/庚烷中重結(jié)晶。

產(chǎn)率：43g(81mmol)，理論的94％，根據(jù)GC的純度>94％。

A-2)不對稱的吖啶酮的合成

步驟1：

將50g(155.5mmol)的二聯(lián)苯-4-基胺、66.9g(311.1mmol)的2-溴苯甲酸甲酯、21.5g(155.5mmol)的碳酸鉀、22.1g(155.5mmol)的硫酸鈉和0.9g(15.5mmol)的銅粉懸浮在210ml硝基苯中。將反應(yīng)混合物在220℃下加熱6小時(shí)。冷卻后，將混合物通過Celite過濾，并將硝基苯蒸餾掉。將殘余物經(jīng)硅膠過濾(庚烷/二氯甲烷1:1)。得到固體形式的產(chǎn)物。產(chǎn)率為64g(理論的91％)。

步驟2：

將114.2g(2722mmol)的LiOH·H₂O添加到62g(136.1mmol)苯甲酸甲酯在294ml二烷和294ml水的溶液中。將反應(yīng)混合物在105℃下加熱16小時(shí)。冷卻后，添加乙酸乙酯，將所述混合物添加到1500ml的10％檸檬酸溶液中并用乙酸乙酯萃取。將合并的有機(jī)相干燥并在真空中蒸發(fā)。將殘余物在不進(jìn)一步提純的條件下用于下一步驟。

步驟3：

將62g(140mmol)苯甲酸溶于364ml甲磺酸中，并將混合物在60℃下攪拌過夜。冷卻后，將混合物緩慢添加到冰/水中，并且抽吸過濾出已經(jīng)沉淀的固體。將固體溶于乙酸乙酯中并用20％的碳酸氫鈉溶液洗滌。將合并的有機(jī)相干燥并在真空中蒸發(fā)。將殘余物從MeOH中重結(jié)晶。產(chǎn)率為56g(理論的94％)。

A-3)二芳基氨基中間體的合成

將DPE-Phos(3.3g，6.2mmol)、乙酸鈀(0.7g，3.1mmol)和叔丁醇鈉(41.5g，432mmol)添加到2-溴-4-氯-1-碘苯(50g，154mmol)和4-氯苯胺(19.7g，154mmol)在脫氣甲苯(590ml)中的溶液中，并將混合物在回流下加熱20小時(shí)。將反應(yīng)混合物冷卻至室溫，用甲苯擴(kuò)展并通過Celite過濾。將濾液用水?dāng)U展，用甲苯萃取，并將合并的有機(jī)相干燥并在真空中蒸發(fā)。將殘余物經(jīng)硅膠(庚烷)過濾。得到淺紅色固體形式的產(chǎn)物。產(chǎn)率為31g(理論的63％)。

A-4)螺環(huán)單元的形成

首先將34.7g(140mmol)的2-溴二苯胺引入到350ml無水THF中，冷卻至-78℃，并添加2.5M正丁基鋰的THF溶液112ml(280mmol)。隨后將混合物解凍至-10℃并在此溫度下攪拌另外1小時(shí)。緩慢添加溶于600ml THF中的30g(86mmol)的10-聯(lián)苯-4-基-2,7-二苯基-10H-吖啶-9-酮。然后將混合物在室溫下攪拌另外24小時(shí)。添加100ml的氯化銨溶液，簡單地繼續(xù)攪拌，分離出有機(jī)相，并且在真空中除去溶劑。將殘余物懸浮在40℃下的750ml溫冰醋酸中，將60ml濃鹽酸添加到該懸浮液，并隨后將所述混合物在室溫下攪拌另外8小時(shí)。冷卻后，抽吸過濾出已經(jīng)沉淀的固體，用100ml水的洗滌一次，用每次100ml的乙醇洗滌三次，并最后從庚烷中重結(jié)晶。產(chǎn)率：35.3g(54mmol)，理論的77％。

A-5)Suzuki反應(yīng)

將5.4g(44.3mmol)苯硼酸、18g(29.5mmol)的10-聯(lián)苯-4-基-2-氯-9,9-二甲基-9,10-二氫吖啶和8.9g(59.1mmol)的CsF懸浮于250ml的二烷中。將1.1g(1.5mmol)的PdCl₂(PCy₃)₂添加到該懸浮液中，并將反應(yīng)混合物在回流下加熱16小時(shí)。冷卻后，將混合物經(jīng)硅膠過濾，用200ml水洗滌三次并隨后蒸發(fā)至干。將殘余物經(jīng)硅膠(庚烷/乙酸乙酯)過濾。得到固體形式的產(chǎn)物。產(chǎn)率為19g(理論的98％)。

A-6)Buchwald反應(yīng)

將11.1g(46.7mmol)的4-溴聯(lián)苯、480ml甲苯中的24.9g(46.7mmol)的螺二吖啶和11.9g(121.3mmol)NaOtBu的脫氣懸浮液用N₂飽和1小時(shí)。然后添加1.07g(1.9mmol)的DPPF和1.38g(1.9mmol)的乙酸鈀(II)。將反應(yīng)混合物在回流下加熱過夜。冷卻后，將有機(jī)相經(jīng)硅膠過濾并隨后蒸發(fā)至干。將殘余物從甲苯/庚烷中重結(jié)晶。產(chǎn)率：15.7g(理論的47％)。

B)器件實(shí)施例

通過根據(jù)WO 04/058911的一般方法制造根據(jù)本發(fā)明的OLED和根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的OLED，針對此處所述的情形(例如材料)對所述方法進(jìn)行調(diào)整。

在接下來的根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例E1～E16和參比例V1～V4中給出了各種OLED的數(shù)據(jù)。所使用的基底是涂布有50nm厚度的結(jié)構(gòu)化ITO(氧化銦錫)的玻璃板。所述OLED具有以下層結(jié)構(gòu)：基底/p型摻雜的空穴注入層(HIL)/空穴傳輸層(HTL)/任選p型摻雜的空穴傳輸層/電子阻擋層(EBL)/發(fā)光層(EML)/電子傳輸層(ETL)/電子注入層(EIL)和最后的陰極。所述陰極由厚度為100nm的鋁層形成。

將制造OLED所需的材料示于表1中，將各種組件結(jié)構(gòu)示于表2中。

在真空室中通過熱氣相沉積施加所有材料。在此，發(fā)光層總是由至少一種基質(zhì)材料(主體材料)和發(fā)光摻雜劑(發(fā)光體)構(gòu)成，所述發(fā)光摻雜劑(發(fā)光體)通過共蒸發(fā)與一種基質(zhì)材料或多種基質(zhì)材料以特定的體積比例混合。此處諸如H1:SEB(95％:5％)的表達(dá)是指材料H1以95％的體積比例存在于層中且SEB以5％的體積比例存在于層中。類似地，電子傳輸層或空穴注入層也可以由兩種或更多種材料的混合物構(gòu)成。

通過標(biāo)準(zhǔn)方法對OLED進(jìn)行表征。為此，確定電致發(fā)光光譜和電流效率(以cd/A計(jì)量)、功率效率和外量子效率(EQE，以％計(jì)量)，其作為發(fā)光密度的函數(shù)從呈現(xiàn)郎伯發(fā)射特性的電流/電壓/發(fā)光密度特征線(IUL特征線)進(jìn)行計(jì)算，以及確定壽命。術(shù)語在10mA/cm²下的EQE是指在10mA/cm²電流密度下的外量子效率。在60mA/m²下的LT80是在60mA/m²的恒定電流下OLED已經(jīng)降至初始強(qiáng)度的80％時(shí)的壽命。

實(shí)施例1

在實(shí)施例1中，在包含藍(lán)色熒光發(fā)光層的OLED中對根據(jù)本發(fā)明的物質(zhì)(HTM5)和現(xiàn)有技術(shù)的物質(zhì)(HTMV2)進(jìn)行了比較。所述化合物被各自用于OLED的空穴傳輸層中。

根據(jù)本發(fā)明化合物的來自試樣E1的在10mA/cm²下的外量子效率為8.5％，明顯優(yōu)于參比例V1的僅為6.0％的外量子效率。與現(xiàn)有技術(shù)V1的38小時(shí)相比，在根據(jù)本發(fā)明的試樣E1的情況中，在60mA/cm²下的壽命LT80明顯增加，為115小時(shí)。

同樣在三重態(tài)綠色組件中對這兩種物質(zhì)進(jìn)行了比較。與根據(jù)本發(fā)明的試樣E2的20.1％相比，參比試樣V2展示了16.3％的明顯更低的在2mA/cm²下的量子效率。根據(jù)本發(fā)明的試樣E2的223小時(shí)的壽命LT80比V2的96小時(shí)的參比壽命明顯更長。

實(shí)施例2

在實(shí)施例2中，將根據(jù)本發(fā)明的另外四種物質(zhì)(HTM1、HTM2、HTM3和HTM4)與現(xiàn)有技術(shù)(HTMV1)進(jìn)行了比較。

在單重態(tài)的藍(lán)色組件中，與現(xiàn)有技術(shù)(V3)的8.5％相比，根據(jù)本發(fā)明的試樣E3實(shí)現(xiàn)了9.8％的更高的在10mA/cm²下的量子效率。包含根據(jù)本發(fā)明的材料E3～E6的組件的壽命(80％)為E3(214小時(shí))、E4(180小時(shí))、E5(154小時(shí))和6(166小時(shí))，明顯長于比較材料(V3)的66小時(shí)的壽命。

在三重態(tài)綠色組件中，與例如根據(jù)本發(fā)明的試樣E10(20.4％)相比，參比試樣V4(19.8％)展示了更低的在2mA/cm²下的量子效率。根據(jù)本發(fā)明的試樣在20mA/cm²下的壽命(80％)為E10(199小時(shí))、E11(223小時(shí))、E12(205小時(shí))和E13(214小時(shí))，也長于現(xiàn)有技術(shù)V4的僅為193小時(shí)的情況。

實(shí)施例3

在實(shí)施例3中，將根據(jù)本發(fā)明的另外三種物質(zhì)(HTM6、HTM7和HTM8)與現(xiàn)有技術(shù)(HTMV1)進(jìn)行了比較。

在單重態(tài)藍(lán)色組件中，與現(xiàn)有技術(shù)(V3)的8.5％相比，根據(jù)本發(fā)明的試樣E8和E9分別實(shí)現(xiàn)了8.6％和9.1％的更高的在10mA/cm²下的量子效率。包含根據(jù)本發(fā)明的材料E8的組件壽命(80％)為150小時(shí)，顯著長于比較組件V3的66小時(shí)的壽命。

在三重態(tài)綠色組件中，與根據(jù)本發(fā)明的試樣E14(21.5％)、E15(20.2％)和E16(20.6％)相比，參比試樣V4(19.8％)展示了更低的在2mA/cm²下的量子效率。