技術(shù)特征：

1.式(I)的化合物

其中以下適用于出現(xiàn)的符號(hào)和標(biāo)記：

A是C或Si；

Y在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地為N或P；

X在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地為CR¹或N；

Ar¹、Ar²在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地為具有6～40個(gè)芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系，所述環(huán)系可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代，或具有5～40個(gè)芳族環(huán)原子的雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代；

Ar³、Ar⁴、Ar⁵、Ar⁶在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地為具有6～40個(gè)芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系，所述環(huán)系可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代，或具有5～40個(gè)芳族環(huán)原子的雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代；

R¹、R²在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地選自H，D，F(xiàn)，C(＝O)R³，CF₃，OCF₃，CN，Si(R³)₃，N(R³)₂，P(＝O)(R³)₂，OR³，S(＝O)R³，S(＝O)₂R³，具有1～20個(gè)C原子的直鏈烷基或烷氧基基團(tuán)，具有3～20個(gè)C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基或烷氧基基團(tuán)，具有2～20個(gè)C原子的烯基或炔基基團(tuán)，具有6～40個(gè)芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系和具有5～40個(gè)芳族環(huán)原子的雜芳族環(huán)系；其中兩個(gè)或更多個(gè)基團(tuán)R¹或R²可彼此連接并可形成環(huán)；其中所述烷基、烷氧基、烯基和炔基基團(tuán)以及所述芳族環(huán)系和雜芳族環(huán)系可各自被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R³取代；且其中在所述烷基、烷氧基、烯基和炔基基團(tuán)中的一個(gè)或多個(gè)CH₂基團(tuán)可被-R³C＝CR³-、-C≡C-、Si(R³)₂、C＝O、C＝NR³、-C(＝O)O-、-C(＝O)NR³-、NR³、P(＝O)(R³)、-O-、-S-、SO或SO₂代替；

R³在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地選自H，D，F(xiàn)，C(＝O)R⁴，CF₃，OCF₃，CN，Si(R⁴)₃，N(R⁴)₂，P(＝O)(R⁴)₂，OR⁴，S(＝O)R⁴，S(＝O)₂R⁴，具有1～20個(gè)C原子的直鏈烷基或烷氧基基團(tuán)，具有3～20個(gè)C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基或烷氧基基團(tuán)，具有2～20個(gè)C原子的烯基或炔基基團(tuán)，具有6～40個(gè)芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系和具有5～40個(gè)芳族環(huán)原子的雜芳族環(huán)系；其中兩個(gè)或更多個(gè)基團(tuán)R³可彼此連接并可形成環(huán)；其中所述烷基、烷氧基、烯基和炔基基團(tuán)以及所述芳族環(huán)系和雜芳族環(huán)系可各自被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R⁴取代；且其中在所述烷基、烷氧基、烯基和炔基基團(tuán)中的一個(gè)或多個(gè)CH₂基團(tuán)可被-R⁴C＝CR⁴-、-C≡C-、Si(R⁴)₂、C＝O、C＝NR⁴、-C(＝O)O-、-C(＝O)NR⁴-、NR⁴、P(＝O)(R⁴)、-O-、-S-、SO或SO₂代替；

R⁴在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地選自H，D，F(xiàn)，CN，具有1～20個(gè)C原子的烷基基團(tuán)，具有6～40個(gè)芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系和具有5～40個(gè)芳族環(huán)原子的雜芳族環(huán)系；其中兩個(gè)或更多個(gè)基團(tuán)R⁴可彼此連接并可形成環(huán)；且其中所述烷基基團(tuán)、芳族環(huán)系和雜芳族環(huán)系可被F或CN取代；

a、b、c、d在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地為0或1；

其中所述兩個(gè)基團(tuán)Ar¹和Ar²中的至少一個(gè)是具有12～40個(gè)芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系，所述環(huán)系可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代，或具有12～40個(gè)芳族環(huán)原子的雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代；且

其中標(biāo)記a、b、c和d中的至少一個(gè)等于1。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物，其特征在于，所述化合物不含芳基氨基基團(tuán)作為取代基。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的化合物，其特征在于，式(I)中正好1個(gè)、2個(gè)或3個(gè)選自標(biāo)記a、b、c和d中的標(biāo)記等于1。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物，其特征在于，A是碳原子。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物，其特征在于，Y是氮原子。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物，其特征在于，X等于CR¹。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物，其特征在于，Ar¹和Ar²在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地選自具有6～24個(gè)芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系，所述環(huán)系可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代，或選自具有5～24個(gè)芳族環(huán)原子的雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代，其中所述兩個(gè)基團(tuán)Ar¹和Ar²中的至少一個(gè)是具有12～24個(gè)芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系，所述環(huán)系可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代，或具有12～24個(gè)芳族環(huán)原子的雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～7中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物，其特征在于，所述基團(tuán)Ar¹和Ar²兩者在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地都選自具有12～24個(gè)芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系，所述環(huán)系可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代，和具有12～24個(gè)芳族環(huán)原子的雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代。

9.根據(jù)權(quán)利要求1～8中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物，其特征在于，在式(I)的化合物中出現(xiàn)的基團(tuán)Ar³、Ar⁴、Ar⁵、Ar⁶相同地進(jìn)行選擇。

10.根據(jù)權(quán)利要求1～9中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物，其特征在于，基團(tuán)Ar¹、Ar²、Ar³、Ar⁴、Ar⁵和Ar⁶中的至少一個(gè)包含至少一個(gè)具有5～20個(gè)芳族環(huán)原子的雜芳基基團(tuán)。

11.根據(jù)權(quán)利要求1～10中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物，其特征在于，式(I)的化合物符合式(I-1)～(I-3)中的一個(gè)：

其中出現(xiàn)的符號(hào)和標(biāo)記如根據(jù)權(quán)利要求1～10的一項(xiàng)或多項(xiàng)所限定的。

12.制備根據(jù)權(quán)利要求1～11中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物的方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：

1)在有機(jī)金屬化合物的存在下使鹵素取代的二苯基胺衍生物與吖啶酮衍生物反應(yīng)；

2)在1)中形成的中間體進(jìn)行閉環(huán)反應(yīng)以生成螺二吖啶衍生物；

3)利用Buchwald偶聯(lián)在所述螺二吖啶衍生物的自由氮原子上引入芳基或雜芳基基團(tuán)。

13.低聚物、聚合物或樹枝狀大分子，其包含一種或多種根據(jù)權(quán)利要求1～11中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物，其中一個(gè)或多個(gè)與所述聚合物、低聚物或樹枝狀大分子連接的鍵可位于式(I)中被R¹或R²取代的任意期望位置處。

14.制劑，其包含至少一種根據(jù)權(quán)利要求1～11中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物，或至少一種根據(jù)權(quán)利要求13所述的聚合物、低聚物或樹枝狀大分子，和至少一種溶劑。

15.根據(jù)權(quán)利要求1～10中的一項(xiàng)或多項(xiàng)的化合物或根據(jù)權(quán)利要求13所述的低聚物、聚合物或樹枝狀大分子在電子器件中的用途。

16.電子器件，其包含至少一種根據(jù)權(quán)利要求1～10中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物或至少一種根據(jù)權(quán)利要求13所述的低聚物、聚合物或樹枝狀大分子。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的電子器件，所述電子器件選自有機(jī)集成電路(OIC)、有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(OFET)、有機(jī)薄膜晶體管(OTFT)、有機(jī)發(fā)光晶體管(OLET)、有機(jī)太陽(yáng)能電池(OSC)、有機(jī)光學(xué)檢測(cè)器、有機(jī)光感受器、有機(jī)場(chǎng)猝熄器件(OFQD)、有機(jī)發(fā)光電化學(xué)電池(OLEC)、有機(jī)激光二極管(O-laser)和有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述至少一種化合物或所述至少一種低聚物、聚合物或樹枝狀大分子存在于選自空穴傳輸層和發(fā)光層的層中。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述至少一種化合物或所述至少一種低聚物、聚合物或樹枝狀大分子與一種或多種磷光發(fā)光體一起存在于發(fā)光層中。

20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述至少一種化合物或所述至少一種低聚物、聚合物或樹枝狀大分子與一種或多種p型摻雜劑一起存在于空穴傳輸層中。