技術特征：

技術總結(jié)
本發(fā)明提供用于形成空穴傳輸或發(fā)光聚合物網(wǎng)絡的可光聚合或可光交聯(lián)的反應性液晶基元，所述液晶基元具有結(jié)構(III)，其中M是發(fā)色團的芳族或雜環(huán)的部分；A1和A2是在咔唑環(huán)的3位中被取代的咔唑基團，并且可以是相同的或不同的；S1和S2是間隔基，并且可以是相同的或不同的；B1和B2是可聚合的基團，并且可以是相同的或不同的；且m和n獨立地是從1至10的整數(shù)。本發(fā)明還提供用于形成發(fā)光或電荷傳輸聚合物網(wǎng)絡的包括可光聚合或可光交聯(lián)的反應性液晶基元的材料；通過液晶基元的聚合或交聯(lián)獲得的電荷傳輸或發(fā)光聚合物網(wǎng)絡；用于經(jīng)由液晶基元的合適端基的光聚合或光交聯(lián)制備聚合物的工藝；包括由電荷傳輸或發(fā)光聚合物網(wǎng)絡形成的聚合物層的裝置；用于將電荷傳輸或發(fā)光聚合物網(wǎng)絡應用至表面的工藝；以及包含電荷傳輸或發(fā)光聚合物網(wǎng)絡的背光源或顯示器。(B1?S1?A1)n?M?(A2?S2?B2)m(III)。

技術研發(fā)人員：斯蒂芬·馬爾科姆·凱利;瑪麗·奧尼爾;斯圖爾特·保羅·基特尼
受保護的技術使用者：赫爾大學
技術研發(fā)日：2016.04.14
技術公布日：2017.09.26