化合物樣品制備的實施例1和2中所述的方法制備新型有機光電材料（化合 物1~28)，相關(guān)化合物MS數(shù)據(jù)如下表1。
[0071] 表1，本發(fā)明有機光電材料的部分結(jié)構(gòu)的制備結(jié)構(gòu)檢測數(shù)據(jù)
[0072]
[0073]
[0074]
[0075] 以下為本發(fā)明部分化合物應(yīng)用0LED器件空穴注入層實施例。
[0076] 為了方便比較本發(fā)明所提供有機光電材料作為空穴注入和空穴傳輸材料的性能。
[0077] 本發(fā)明設(shè)計了一個簡單的0LED器件，空穴注入層材料和空穴傳輸層材料分別可 選擇Hat-CN和NPB。發(fā)光層由發(fā)光主體和摻雜材料組成，發(fā)光主體材料選擇EM1，摻雜材料 選擇EM2,電子傳輸層選擇Alq3。其中Hat-CN、NPB、EM1、EM2和Alq3的結(jié)構(gòu)分別為：
[0079] 圖1是本發(fā)明0LED材料應(yīng)用的器件結(jié)構(gòu)，其中1為透明基板層，2為透明電極層， 3為空穴注入層，4為空穴傳輸層，5為發(fā)光層，6為電子傳輸層，7為電子注入層，8為陰極。
[0080] 器件實施例1
[0081] a)清洗透明基板層上的陽極：分別用去離子水、丙酮、乙醇超聲清洗各15分鐘，然 后在等離子體清洗器中處理2分鐘；
[0082] b)在陽極上真空蒸鍍或溶液成膜空穴注入層為發(fā)明所提供化合物1，厚度為 50nm；
[0083]c)在空穴注入層3之上，通過真空蒸鍍方式蒸鍍NPB，其膜厚為10nm，這層有機材 料作為空穴傳輸層4使用。
[0084]d)在空穴傳輸層4之上共同蒸鍍發(fā)光層5,EM1作為主體材料，EM2作為摻雜材料， 摻雜比例為5% (重量比），厚度為30nm;
[0085] e)在摻雜型發(fā)光層化合物之上，真空蒸鍍的電子傳輸層6為Alq3，厚度為30nm;
[0086]f)在電子傳輸層6之上，真空蒸鍍電子注入層LiF，厚度為0. 5nm，該層為電子注入 層7 ;
[0087]g)在電子注入層7之上，真空蒸鍍陰極A1，厚度為lOOnm，該層為陰極8。
[0088] 如上述完成電致發(fā)光器件后，測量器件的驅(qū)動電壓，量子效率、電流效率、功率效 率和亮度，其結(jié)果在表1中。
[0089] 器件實施例2
[0090] 本實施例與器件實施例1的不同之處在于：制備的有機電致發(fā)光器件的空穴注入 層以本發(fā)明所提供的化合物4為材料。器件實施例2所制作的有機電致發(fā)光器件的結(jié)果在 表2中。
[0091] 器件實施例3
[0092] 本實施例與器件實施例1的不同之處在于：制備的有機電致發(fā)光器件的空穴注入 層以本發(fā)明所提供的化合物5為材料。器件實施例3所制作的有機電致發(fā)光器件的結(jié)果在 表2中。
[0093] 器件實施例4
[0094] 本實施例與器件實施例1的不同之處在于：制備的有機電致發(fā)光器件的空穴注入 層以本發(fā)明所提供的化合物7為材料。器件實施例4所制作的有機電致發(fā)光器件的結(jié)果在 表2中。
[0095] 器件實施例5
[0096] 本實施例器件與器件實施例1的不同之處在于：制備的有機電致發(fā)光器件的空穴 注入層以本發(fā)明所提供的化合物9為材料。器件實施例5所制作的有機電致發(fā)光器件的結(jié) 果在表2中。
[0097] 器件實施例6
[0098] 本實施例器件與器件實施例1的不同之處在于：制備的有機電致發(fā)光器件的空穴 注入層以本發(fā)明所提供的化合物11為材料。器件實施例6所制作的有機電致發(fā)光器件的 結(jié)果在表2中。
[0099] 器件實施例7
[0100] 本實施例器件與器件實施例1的不同之處在于：制備的有機電致發(fā)光器件的空穴 注入層以本發(fā)明所提供的化合物13為材料。器件實施例7所制作的有機電致發(fā)光器件的 結(jié)果在表2中。
[0101] 器件實施例8
[0102] 本實施例與器件實施例1的不同之處在于：制備的有機電致發(fā)光器件的空穴注入 層以本發(fā)明所提供的化合物15為材料。器件實施例8所制作的電致發(fā)光器件的結(jié)果在表 2中。
[0103] 器件實施例9
[0104] 本實施例與器件實施例1的不同之處在于：制備的有機電致發(fā)光器件的空穴注入 層以本發(fā)明所提供的化合物17為材料。器件實施例9所制作的電致發(fā)光器件的結(jié)果在表 2中。
[0105] 器件實施例10
[0106] 本實施例與器件實施例1的不同之處在于：制備的有機電致發(fā)光器件的空穴注入 層以本發(fā)明所提供的化合物19為材料。器件實施例10所制作的電致發(fā)光器件的結(jié)果在表 2中。
[0107] 器件實施例11
[0108] 本實施例與器件實施例1的不同之處在于：制備的有機電致發(fā)光器件的空穴注入 層以本發(fā)明所提供的化合物21為材料。器件實施例11所制作的電致發(fā)光器件的結(jié)果在表 2中。
[0109] 器件實施例12
[0110] 本實施例與器件實施例1的不同之處在于：制備的有機電致發(fā)光器件的空穴注入 層以本發(fā)明所提供的化合物23為材料。器件實施例12所制作的電致發(fā)光器件的結(jié)果在表 2中。
[0111] 器件實施例13
[0112] 本實施例與器件實施例1的不同之處在于：制備的有機電致發(fā)光器件的空穴注入 層以本發(fā)明所提供的化合物25為材料。器件實施例13所制作的電致發(fā)光器件的結(jié)果在表 2中。
[0113] 器件實施例14
[0114] 本實施例與器件實施例1的不同之處在于：制備的有機電致發(fā)光器件的空穴注入 層以本發(fā)明所提供的化合物27為材料。器件實施例14所制作的電致發(fā)光器件的結(jié)果在表 2中。
[0115] 器件比較例1
[0116] 器件比較例1和器件實施例1不同的是：有機電致發(fā)光器件的空穴注入層以 HAT-CN作為空穴注入材料。
[0117] 器件比較例2
[0118] 器件比較例2和器件實施例1不同的是：制備的有機電致發(fā)光器件，不形成空穴注 入層。
[0119] 器件比較例1和2所制作的電致發(fā)光器件的結(jié)果在表2中。
[0120] 表 2
[0121]
[0122] 由表2看，本發(fā)明所述光電材料可應(yīng)用于電致發(fā)光器件制作，并且可以獲得良好 的表現(xiàn)。器件比較例1使用現(xiàn)有常用的Hat-CN作為空穴注入材料，其驅(qū)動電壓明顯好于無 空穴注入層的器件比較例2,其驅(qū)動電壓約降低了 16%;同時本發(fā)明所述材料作為電致發(fā)光 器件的空穴注入材料使用，其驅(qū)動電壓遠好于器件比較例1和2。
[0123] 另外，與器件比較例1和2相比，器件實施例1至14的量子效率、電流效率、功率 效率和亮度均獲得明顯改善。
[0124] 以下為本發(fā)明部分化合物應(yīng)用0LED器件空穴傳輸層實施例。
[0125] 器件實施例15
[0126] a)清洗透明基板層上的陽極：分別用去離子水、丙酮、乙醇超聲清洗各15分鐘，然 后在等離子體清洗器中處理2分鐘；
[0127] b)在陽極上真空蒸鍍空穴注入層化合物Hat-CN，厚度為50nm;
[0128]c)在空穴注入層3之上，通過真空蒸鍍方式蒸鍍本發(fā)明所提供化合物2,其膜厚為 lOnm，這層有機材料作為空穴傳輸層4使用。
[0129]d)在空穴傳輸層4之上共同蒸鍍發(fā)光層5,EM1作為主體材料，EM2作為摻雜材料， 摻雜比例為5% (重量比），厚度為30nm;
[0130]e)在摻雜型發(fā)光層化合物之上，真空蒸鍍的電子傳輸層6為Alq3,厚度為30nm;
[0131]f)在電子傳輸層6之上，真空蒸鍍電子注入層LiF，厚度為0. 5nm，該層為電子