技術特征：

1.一種發(fā)光材料，其特征在于，所述發(fā)光材料的化學通式為srga12-xmnxo19/ga2o3，其中，x=0.025～0.035，srga12-xmnxo19和ga2o3的摩爾比為1～19：1。

2.一種權利要求1所述的發(fā)光材料的制備方法，其特征在于，采用高溫固相法合成，包括以下步驟：

3.根據權利要求2所述的發(fā)光材料的制備方法，其特征在于，所述碳酸鍶、第一氧化鎵和碳酸錳的摩爾比為1：12-x：x，x=0.025～0.035。

4.根據權利要求2所述的發(fā)光材料的制備方法，其特征在于，所述前驅體和第二氧化鎵的摩爾比為1～19：1。

5.根據權利要求2所述的發(fā)光材料的制備方法，其特征在于，第一次煅燒過程中，先以10℃/min的速率升溫至1000℃，然后以5℃/min的速率升溫至1300℃～1400℃，并于1300℃～1400℃下煅燒5.5h～6.5h。

6.根據權利要求1所述的多發(fā)光材料的制備方法，其特征在于，第二次煅燒過程中，先以10℃/min的速率升溫至1000℃，然后以5℃/min的速率升溫至1350℃～1450℃，并于1350℃～1450℃下煅燒5.5h～6.5h，含有還原氣體的保護氣體為n2/h2混合氣體，n2和h2的體積比為16～18：1。

7.一種防偽光學薄膜，其特征在于，利用權利要求1所述的發(fā)光材料制備得到。

8.一種權利要求7所述的防偽光學薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

9.根據權利要求8所述的防偽光學薄膜的制備方法，其特征在于，發(fā)光材料和pdms聚合物的質量比為1：0.65～1.5，pdms聚合物和固化劑的質量比為9～10：1。

技術總結
本發(fā)明屬于發(fā)光材料技術領域，具體涉及發(fā)光材料、防偽光學薄膜及其制備方法。所述發(fā)光材料的化學通式為SrGa<subgt;12?x</subgt;Mn<subgt;x</subgt;O<subgt;19</subgt;/Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;，其中，x=0.025～0.035。防偽光學薄膜的制備方法，包括以下步驟：將發(fā)光材料和PDMS聚合物、固化劑混合均勻得到膠體，固化后得到光學薄膜，發(fā)光材料和PDMS聚合物的質量比為1：0.65～1.5，PDMS聚合物和固化劑的質量比為9～10：1。本發(fā)明解決了現(xiàn)有技術無機熒光粉只有光致發(fā)光一種發(fā)光模式，存在防偽效果差，易于仿造的缺點。

技術研發(fā)人員：房雙強,林赫,程昊亮,區(qū)嘉祺,周舟,康娟,王樂
受保護的技術使用者：中國計量大學
技術研發(fā)日：
技術公布日：2025/1/28