相鄰的突起12a彼此之間例如可以以相互間隔、相鄰或部分重疊的方式構成。
[0058] 各突起12a可以以具有一定的高度分布的方式構成。這里，高度分布是指在基材 11的表面設置具有兩種以上的高度的突起12a。例如，可以在基材11的表面設置具有基準 高度的突起12a和具有不同于該突起12a的高度的突起12a。這種情況下，例如在基材11 的表面周期性或非周期性地（隨機）設置具有不同于基準的高度的突起12a。作為其周期 性的方向，例如可以列舉：徑跡T的延伸方向和與徑跡T形成規(guī)定角度的方向（列間方向） 等。
[0059] 突起12a的平均配置間距Pm優(yōu)選Inm以上且Imm以下，更優(yōu)選IOnm以上且I 以下、進一步優(yōu)選為IOOnm以上且500nm以下的范圍內。平均配置間距Pm為Inm以上且Imm 以下時，指紋圖案有效地濕潤擴展。需要說明的是，各個突起12a的間距可以存在偏差。
[0060] 突起12a的平均高度H優(yōu)選Inm以上且Imm以下，更優(yōu)選5nm以上且300nm以下， 進一步優(yōu)選IOnm以上且150nm以下，最優(yōu)選為IOnm以上且IOOnm以下的范圍內。平均高 度H為Inm以上且Imm以下時，指紋圖案有效地濕潤擴展。平均高度H為IOOnm以下時，可 以用手指等擦拭附著在防污性基材的耐指紋表面S上的指紋，使其薄薄地濕潤擴展而不再 顯眼。因此，可以提高用手指等擦拭的指紋擦拭性。需要說明的是，各個突起12a的高度可 以存在偏差。
[0061] 突起12a的平均縱橫比（平均高度Hm/平均配置間距Pm)優(yōu)選0. 000001以上且 1000000以下，更優(yōu)選0. 005以上且300以下，進一步優(yōu)選為0. 02以上且1以下的范圍內。 平均縱橫比（平均高度Hm/平均配置間距Pm)為0. 000001以上且1000000以下時，指紋圖 案有效地濕潤擴展。
[0062] 這里，突起12a的平均配置間距Pm、平均高度Hm和平均縱橫比（Hm/Pm)是指如下 操作而求得的值。
[0063] 首先，用原子力顯微鏡（AFM :Atomic Force Microscope)觀察具有突起12a的耐 指紋表面S，由AFM的截面輪廓求出突起12a的間距和高度。在從耐指紋表面隨機選出的10 處反復進行該操作，求出配置間距P1、P2、· _ _、P10和高度H1、H2、· _ _、H10。這里， 突起12a的間距是指突起12a的頂點間的距離，突起12a的高度是指以突起間的凹部（谷 部）最低點為基準的突起12a的高度。接下來，將這些間距P1、P2、_ _ _、P10和高度H1、 H2、· · ·、Η10分別單純地進行平均（算術平均），求出突起的平均配置間距Pm和平均高 度Hm。接下來，由所求得的平均配置間距Pm和平均高度Hm求出平均縱橫比Hm/Pm。需要 說明的是，當突起12a的間距具有面內各向異性時，利用配置間距達到最大的方向的配置 間距求出平均配置間距Pm。另外，當突起12a的高度具有面內各向異性時，利用高度達到最 大的方向的高度求出平均高度Hm。
[0064] 在耐指紋表面S側防污性基材的反射率（5°反射率）優(yōu)選為1%以上且10%以下 的范圍內。反射率為1%以上時，在指紋附著部和非附著部不易看到指紋圖案。
[0065] 反射率是指如下操作而求得的值。
[0066] 首先，通過在防污性基材的背面?zhèn)龋ㄐ纬捎型黄?2a的一側的相反側的表面）貼 合黑色膠帶，實施切斷來自防污性基材背面的反射的處理。接下來，使用紫外可見分光光度 計（日本分光（株）制造、商品名：V-500)測定反射率。測定時使用正反射5°單元。這里， 反射率是指在波長550nm的反射率。
[0067] 當耐指紋表面S存在液體時，優(yōu)選突起12a間的凹部對該液體表現(xiàn)出正的毛細管 壓力。通過對位于耐指紋表面S上的液滴施加正的毛細管壓力，可以使液滴薄薄地濕潤擴 展。優(yōu)選除了正的毛細管壓力以外還對深度方向也施加毛細管壓力，這是由于：由此可以使 液滴進一步薄薄地濕潤擴展。這里，將沿著遠離位于耐指紋表面S上的液滴的方向作用的 毛細管壓力定義為正的毛細管壓力。
[0068] (第1化合物） 第1化合物只要在末端以外的部分具有酯鍵即可，可以是有機材料也可以是有機-無 機的復合材料，另外可以是高分子材料也可以是單分子材料。另外，只要第1化合物具有酯 鍵，則對其以外的分子結構沒有特別限定，可以含有任何的官能團、結合部位、雜原子、鹵原 子和金屬原子等。作為第1化合物，例如可以使用分子內具有下述式（1)或式（2)所示的 結構的化合物。
【主權項】
1. 防污體，該防污體具有設有多個突起的表面，其中 上述突起包含末端以外的部分具有酯鍵的第1化合物和具有環(huán)狀烴基的第2化合物的 至少一種。
2. 權利要求1所述的防污體，其中， 上述突起的平均高度在l〇nm以上且150nm以下的范圍內， 上述突起的平均間距在l〇〇nm以上且500nm以下的范圍內。
3. 權利要求2所述的防污體，其中，上述突起的平均高度在10nm以上且lOOnm以下的 范圍內。
4. 權利要求1所述的防污體，該防污體具備： 具有表面的基材；以及 設于上述基材表面的防污層， 其中，上述防污層具有設有上述多個突起的上述表面。
5. 權利要求4所述的防污體，其中， 上述防污層包含能量線固化性樹脂組合物和熱固化性樹脂組合物中的至少一種樹脂 組合物， 上述樹脂組合物包含上述第1化合物和上述第2化合物中的至少一種。
6. 權利要求1所述的防污體，其中，上述第1化合物和上述第2化合物為添加劑。
7. 權利要求6所述的防污體，其中，上述添加劑為流平劑。
8. 權利要求4所述的防污體，其中， 在上述基材表面設有多個突起， 模仿著上述基材的多個突起的表面設有上述防污層。
9. 權利要求8所述的防污體，其中，上述第1化合物和上述第2化合物的至少一種吸 附在上述基材的多個突起的表面。
10. 權利要求9所述的防污體，其中，上述防污層為包含上述第1化合物和上述第2化 合物的至少一種的單分子層。
11. 權利要求1所述的防污體，其中， 上述突起包含熱塑性樹脂組合物， 上述熱塑性樹脂組合物包含上述第1化合物和上述第2化合物的至少一種。
12. 權利要求1所述的防污體，其中， 上述第1化合物用下述式（1)或式（2)表示， 上述第2化合物用下述式（3)或式（4)表示，
式中，&表示包含(：、隊5、0、51、？或11的基團，1?2表示碳原子數為2以上的基團，
式中，&、1?2分別獨立表示包含(：、隊5、0、51、？或11的基團，
o
13. 權利要求12所述的防污體，其中，上述式（1)和式（2)的&、1?2分別獨立表示烴 基、磺基、磺?；?、磺酰胺基、羧酸基、氨基、酰胺基、磷酸基、膦基、硅烷醇基、環(huán)氧基、異氰酸 醋基、氛基、硫醇基或輕基。
14. 權利要求1所述的防污體，其中，上述防污層在包含上述第2化合物的同時還包含 末端具有鏈狀烴基的第3化合物。
15. 權利要求14所述的防污體，其中，上述第3化合物用下述式（5)或式（6)表示，
〇
16. 權利要求1所述的防污體，其中，上述多個突起進行二維排列。
17. 權利要求1所述的防污體，其中，上述突起間的凹部給位于上述表面的液體帶來 正毛細管壓力。
18. 輸入裝置，該輸入裝置具有設有多個突起的輸入面，其中， 上述突起包含末端以外的部分具有酯鍵的第1化合物和具有環(huán)狀烴基的第2化合物的 至少一種。
19. 顯示裝置，該顯示裝置具有設有多個突起的顯示面，其中， 上述突起包含末端以外的部分具有酯鍵的第1化合物和具有環(huán)狀烴基的第2化合物的 至少一種。
20. 電子設備，該電子設備具有設有多個突起的表面，其中， 上述突起包含末端以外的部分具有酯鍵的第1化合物和具有環(huán)狀烴基的第2化合物的 至少一種。
21. 防污性物品，該防污性物品具有設有多個突起的表面，其中， 上述突起包含末端以外的部分具有酯鍵的第1化合物和具有環(huán)狀烴基的第2化合物的 至少一種。
22. 防污體，該防污體具有設有多個突起的防污性表面。
【專利摘要】一種防污體，其具有設有多個突起的表面，當指紋附著在表面時，無論如何指紋圖案都會濕潤擴展而不易看到。突起包含末端以外的部分具有酯鍵的第1化合物和具有環(huán)狀烴基的第2化合物的至少一種。
【IPC分類】C09K3-18, C09K3-00
【公開號】CN104583354
【申請?zhí)枴緾N201380044864
【發(fā)明人】巖田亮介, 水野干久
【申請人】迪睿合電子材料有限公司
【公開日】2015年4月29日
【申請日】2013年8月27日
【公告號】US20150240086, WO2014034629A1