粘合帶及晶片加工用膠帶的制作方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及如下的可以擴展的晶片加工用膠帶等，S卩，在將半導體晶片截斷為芯 片狀的元件的劃片工序中，可以用于將半導體晶片固定，此外還可以用于粘接劃片后的芯 片一芯片間或者芯片一基板間的管芯焊接工序或貼裝工序中，并且可以在利用擴展將膠粘 劑層沿著芯片截斷時使用。
【背景技術】
[0002] 在1C等半導體裝置的制造工序中，為了將形成電路圖案后的晶片薄膜化，而實施 研削晶片背面的背面研磨工序、在晶片的背面貼附具有粘合性及伸縮性的晶片加工用膠帶 后將晶片截斷為芯片單元的劃片工序、將晶片加工用膠帶擴張（擴展）的擴展工序、拾取 進行截斷而得的芯片的拾取工序、進而將所拾取的芯片粘接在引線框或封裝基板等上（或 者，在堆疊封裝中，是將芯片之間層疊、粘接）的管芯焊接（diebonding)(貼裝（mount)) 工序。
[0003] 上述背面研磨工序中，為了保護晶片的電路圖案形成面（晶片表面）免受污染，使 用表面保護膠帶。在晶片的背面研削結束后，將該表面保護膠帶從晶片表面剝離時，在晶片 背面貼合以下所述的晶片加工用膠帶（劃片?管芯焊接膠帶）后，將晶片加工用膠帶側固 定在吸附臺上，對表面保護膠帶實施降低與晶片的粘接力的處理后，剝離表面保護膠帶。被 剝離了表面保護膠帶的晶片此后在背面貼合有晶片加工用膠帶的狀態(tài)下，被從吸附臺上拿 起，提供給下面的劃片工序。而且，上述的所謂降低粘接力的處理，在表面保護膠帶由紫外 線等能量射線固化性成分組成的情況下，是能量射線照射處理，在表面保護膠帶由熱固化 性成分組成的情況下，是加熱處理。
[0004] 上述背面研磨工序后的劃片工序~貼裝工序中，使用在基材膜上依次層疊有粘合 劑層和膠粘劑層而得的晶片加工用膠帶。通常，在使用晶片的情況下，首先，在晶片的背面 貼合晶片的膠粘劑層而將晶片固定，使用劃片刀將晶片及膠粘劑層劃切為芯片單元。其后， 通過將膠帶沿晶片的徑向擴張，從而實施拓寬芯片之間的間隔的擴展工序。該擴展工序是 出于如下目的實施，即，在之后的拾取工序中，提高借助CCD照相機等的芯片的辨識性，并 且在拾取芯片時，防止因相鄰的芯片之間接觸而產(chǎn)生的芯片的破損。其后，芯片在拾取工序 中與膠粘劑層一起從粘合劑層剝離并被拾取，在貼裝工序中，被直接粘接在引線框或封裝 基板等上。這樣，通過使用晶片加工用膠帶，就可以將帶有膠粘劑層的芯片直接粘接在引線 框或封裝基板等上，因此可以省略膠粘劑的涂布工序或另外在各芯片上粘接管芯焊接膜的 工序。
[0005] 然而，在所述劃片工序中，如上所述，使用劃片刀將晶片與膠粘劑層一起切劃，因 此不僅會產(chǎn)生晶片的切削肩，還會產(chǎn)生膠粘劑層的切削肩。此外，在膠粘劑層的切削肩堵塞 在晶片的劃片槽中的情況下，芯片彼此粘著而產(chǎn)生拾取不良等，存在有半導體裝置的成品 率降低的問題。
[0006] 為了解決此種問題，提出過如下的方法，即，在劃片工序中用刀僅切劃晶片，在擴 展工序中，通過擴張晶片加工用膠帶，從而按照各個芯片來截斷膠粘劑層（例如專利文獻 1)。根據(jù)此種利用了擴張時的張力的膠粘劑層的截斷方法，不會產(chǎn)生膠粘劑的切削肩，也不 會在拾取工序中造成不良影響。
[0007] 另外，近年來，作為晶片的切斷方法，提出過可以使用激光加工裝置以非接觸方式 切斷晶片的所謂隱形劃片法（stealthdicingmethod)。例如，在專利文獻2中，作為隱形 劃片法，公開了一種半導體基板的切斷方法，其具備：通過使焦點光聚光在夾隔著膠粘劑層 (小片接合樹脂層）并貼附有片材的半導體基板的內(nèi)部，照射激光，從而在半導體基板的內(nèi) 部形成由多光子吸收造成的改性區(qū)域，將該改性區(qū)域設為預定切斷部的工序；以及通過使 片材擴張，從而沿著預定切斷部切斷半導體基板及膠粘劑層的工序。
[0008]另外，作為使用了激光加工裝置的其他的晶片的切斷方法，例如，在專利文獻3 中，提出了一種晶片的分割方法，包括：在晶片的背面安裝管芯焊接用的膠粘劑層（粘接 膜）的工序；在貼合有該膠粘劑層的晶片的膠粘劑層側貼合可以伸長的保護粘合帶的工 序；從貼合了保護粘合帶的晶片的表面沿著切割道（street)照射激光線而分割為各個芯 片的工序；擴張保護粘合帶以對膠粘劑層施加拉力、使膠粘劑層按照每個芯片斷裂的工序； 以及將貼合有斷裂了的膠粘劑層的芯片從保護粘合帶中脫離的工序。
[0009] 根據(jù)這些專利文獻2及專利文獻3中記載的晶片的切斷方法，由于利用激光的照 射及膠帶的擴張，以非接觸方式切斷晶片，因此對晶片的物理負荷小，可以不產(chǎn)生像進行當 前主流的刀片劃片時那樣的晶片的切削肩（碎肩）地切斷晶片。另外，由于利用擴張來截 斷膠粘劑層，因此也不會產(chǎn)生膠粘劑層的切削肩。由此，作為可以取代刀片劃片的優(yōu)異的技 術受到關注。
[0010] 如上述專利文獻1~3中記載所示，在利用擴張來截斷膠粘劑層的方法中，對于所 使用的晶片，為了沿著芯片將膠粘劑層可靠地截斷，需要將基材膜的均勻并且各向同性的 擴張性通過粘合劑層充分地傳遞到膠粘劑層。
[0011] 這是因為，在膠粘劑層與粘合劑層的界面中產(chǎn)生偏移的情況下，在該部位就不會 向膠粘劑層傳遞足夠的拉力，從而無法截斷膠粘劑層。
[0012] 然而，一般而言，在采用不會產(chǎn)生膠粘劑層與粘合劑層的界面偏移的設計的晶片 加工用膠帶的情況下，有增大膠粘劑層與粘合劑層的剝離強度的方法，然而在拾取工序中 會產(chǎn)生無法將被分割了的芯片剝離的問題。相反如果使膠粘劑層與粘合劑層的剝離強度過 低，則會產(chǎn)生在刀片劃片工序中容易發(fā)生芯片分散的問題。
[0013] 現(xiàn)有技術文獻
[0014] 專利文獻
[0015] 專利文獻1日本特開2007-5530號公報
[0016] 專利文獻2日本特開2003-338467號公報
[0017] 專利文獻3日本特開2004-273895號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0018] 發(fā)明所要解決的問題
[0019] 因而，本發(fā)明的目的在于，提供一種晶片加工用膠帶，其具有適于利用擴張來截斷 膠粘劑層的工序的均勻擴張性和拾取性，并且刀片劃片工序中的切削性和拾取性也優(yōu)異。
[0020] 本發(fā)明的目的可以利用以下的方案來達成。
[0021] < 1 >-種粘合帶，其特征在于，在基材膜的一方的面層疊有粘合劑層，在比較從 所述粘合劑層的所述基材膜側的表面起厚1ym的區(qū)域的基于紅外吸收光譜分析的4000~ 650cm_1的紅外光譜、和從所述粘合劑層的與所述基材膜側相反一側的表面起厚1ym的區(qū) 域的基于紅外吸收光譜分析的4000~650CHT1的紅外光譜時，匹配度為95%以下，從與所 述基材膜側相反一側的表面起厚1ym的區(qū)域的粘合劑層含有在分子中具有放射線固化性 碳一碳雙鍵的化合物（A)、和選自聚異氰酸酯類、三聚氰胺-甲醛樹脂及環(huán)氧樹脂中的至少 1種的化合物（B)。
[0022] < 2 >根據(jù)< 1 >中記載的粘合帶，其特征在于，所述粘合劑層的厚度為1. 5~ 15um〇
[0023] < 3>根據(jù)<1>或<2>中記載的粘合帶，其特征在于，所述放射線固化性碳一 碳雙鍵的碘值為0.5~30。
[0024] < 4 >根據(jù)< 1 >~< 3 >中任一項記載的粘合帶，其特征在于，所述具有放射線 固化性碳一碳雙鍵的化合物的分子量為30萬~200萬。
[0025] < 5 >-種晶片加工用膠帶，其特征在于，在< 1 >~< 4 >中任一項記載的粘合 帶的所述粘合劑層的、至少預定要貼合晶片的部分層疊有膠粘劑層，在預定向劃片框貼合 的部分未層疊有所述膠粘劑層。
[0026] <6>-種半導體裝置的制造方法，其特征在于，
[0027] 所述半導體裝置的制造方法是使用< 5 >中記載的晶片加工用膠帶制造半導體 裝置的方法，其包括：
[0028] (a)在形成有電路圖案的晶片表面貼合表面保護膠帶的工序；
[0029] (b)研削所述晶片背面的背面研磨工序；
[0030] (c)在將所述晶片加熱到70~80°C的狀態(tài)下，在所述晶片背面貼合所述晶片加工 用膠帶的膠粘劑層的工序；
[0031] (d)從所述晶片表面剝離所述表面保護膠帶的工序；
[0032] (e)沿著所述晶片的截斷線照射激光，在所述晶片內(nèi)部形成由多光子吸收造成的 改性區(qū)域的工序；
[0033] (f)通過擴張所述晶片加工用膠帶，從而將所述晶片與所述晶片加工用膠帶的所 述膠粘劑層沿著截斷線截斷，得到帶有所述膠粘劑層的多個芯片的擴展工序；
[0034] (g)在擴張后的所述晶片加工用膠帶中，通過使不與所述芯片重疊的部分加熱收 縮，從而除去所述擴展工序中產(chǎn)生的松弛，保持所述芯片的間隔的工序；
[0035] (h)從所述晶片加工用膠帶的粘合劑層中拾取帶有所述膠粘劑層的所述芯片的工 序。
[0036] <7>-種半導體裝置的制造方法，其特征在于，
[0037] 所述半導體裝置的制造方法是使用< 5 >中記載的晶片加工用膠帶制造半導體 裝置的方法，其包括：
[0038] (a)在形成有電路圖案的晶片表面貼合表面保護膠帶的工序；
[0039](b)研削所述晶片背面的背面研磨工序；
[0040] (C)在將所述晶片加熱到70~80°C的狀態(tài)下，在所述晶片背面貼合所述晶片加工 用膠帶的膠粘劑層的工序；
[0041] (d)從所述晶片表面剝離所述表面保護膠帶的工序；
[0042] (e)沿著所述晶片表面的截斷線照射激光，將所述晶片截斷為芯片的工序；
[0043] (f)通過擴張所述晶片加工用膠帶，從而按照每個所述芯片截斷所述膠粘劑層，得 到帶有所述膠粘劑層的多個芯片的擴展工序；
[0044] (g)在擴張后的所述晶片加工用膠帶中，通過使不與所述芯片重疊的部分加熱收 縮，從而除去所述擴展工序中產(chǎn)生的松弛，保持所述芯片的間隔的工序；
[0045] (h)從所述晶片加工用膠帶的粘合劑層中拾取帶有所述膠粘劑層的所述芯片的工 序。
[0046] < 8 >-種半導體裝置的制造方法，其特征在于，
[0047] 所述半導體裝置的制造方法是使用< 5 >中記載的晶片加工用膠帶制造半導體 裝置的方法，其包括：
[0048] (a)在形成有電路圖案的晶片表面貼合表面保護膠帶的工序；
[0049] (b)研削所述晶片背面的背面研磨工序；
[0050] (c)在將所述晶片加熱到70~80°C的狀態(tài)下，在所述晶片背面貼合所述晶片加工 用膠帶的膠粘劑層的工序；
[0051] (d)從所述晶片表面剝離所述表面保護膠帶的工序；
[0052] (e)用劃片刀沿著截斷線切削所述晶片，截斷為芯片的工序；
[0053] (f)通過擴張所述晶片加工用膠帶，從而按照每個所述芯片截斷所述膠粘劑層，得 到帶有所述膠粘劑層的多個芯片的擴展工序；
[0054] (g)在擴張后的所述晶片加工用膠帶中，通過使不與所述芯片重疊的部分加熱收 縮，從而除去所述擴展工序中產(chǎn)生的松弛，保持所述芯片的間隔的工序；
[0055](h)從所述晶片加工用膠帶的粘合劑層中拾取帶有所述膠粘劑層的所述芯片的工 序。
[0056] <9>-種半導體裝置的制造方法，其特征在于，
[0057] 所述半導體裝置的制造方法是使用< 5 >中記載的晶片加工用膠帶制造半導體 裝置的方法，其包括：
[0058] (a)將形成有電路圖案的晶片用劃片刀