所述芯片重疊的部分加熱收 縮，從而除去所述擴展工序中產(chǎn)生的松弛，保持所述芯片的間隔的工序；
[0140] (h)從所述晶片加工用膠帶的粘合劑層中拾取帶有所述膠粘劑層的所述芯片的工 序。
[0141] 半導體裝置的制造方法（B)
[0142] 包括如下的工序的半導體裝置的制造方法，SP，
[0143] (a)在形成有電路圖案的晶片表面貼合表面保護膠帶的工序；
[0144] (b)研削所述晶片背面的背面研磨工序；
[0145] (c)在將所述晶片加熱到70~80°C的狀態(tài)下，在所述晶片背面貼合所述晶片加工 用膠帶的膠粘劑層的工序；
[0146] (d)從所述晶片表面剝離所述表面保護膠帶的工序；
[0147] (e)沿著所述晶片表面的截斷線照射激光，將所述晶片截斷為芯片的工序；
[0148] (f)通過擴張所述晶片加工用膠帶，從而按照每個所述芯片截斷所述膠粘劑層，得 到帶有所述膠粘劑層的多個芯片的擴展工序；
[0149] (g)在擴張后的所述晶片加工用膠帶中，通過使不與所述芯片重疊的部分加熱收 縮，從而除去所述擴展工序中產(chǎn)生的松弛，保持所述芯片的間隔的工序；
[0150](h)從所述晶片加工用膠帶的粘合劑層中拾取帶有所述膠粘劑層的所述芯片的工 序。
[0151] 半導體裝置的制造方法（C)
[0152] 包括如下的工序的半導體裝置的制造方法，SP，
[0153] (a)在形成有電路圖案的晶片表面貼合表面保護膠帶的工序；
[0154] (b)研削所述晶片背面的背面研磨工序；
[0155] (c)在將所述晶片加熱到70~80°C的狀態(tài)下，在所述晶片背面貼合所述晶片加工 用膠帶的膠粘劑層的工序；
[0156] (d)從所述晶片表面剝離所述表面保護膠帶的工序；
[0157] (e)用劃片刀沿著截斷線切削所述晶片，截斷為芯片的工序；
[0158] (f)通過擴張所述晶片加工用膠帶，從而按照每個所述芯片截斷所述膠粘劑層，得 到帶有所述膠粘劑層的多個芯片的擴展工序；
[0159] (g)在擴張后的所述晶片加工用膠帶中，通過使不與所述芯片重疊的部分加熱收 縮，從而除去所述擴展工序中產(chǎn)生的松弛，保持所述芯片的間隔的工序；
[0160] (h)從所述晶片加工用膠帶的粘合劑層中拾取帶有所述膠粘劑層的所述芯片的工 序。
[0161] 半導體裝置的制造方法（D)
[0162] 包括如下的工序的半導體裝置的制造方法，SP，
[0163] (a)將形成有電路圖案的晶片用劃片刀沿著預定截斷線切削至小于所述晶片的厚 度的深度的工序；
[0164] (b)在所述晶片表面貼合表面保護膠帶的工序；
[0165] (c)研削所述晶片背面而截斷為芯片的背面研磨工序；
[0166] (d)在將所述晶片加熱到70~80°C的狀態(tài)下，在被截斷為所述芯片的所述晶片背 面貼合所述晶片加工用膠帶的膠粘劑層的工序；
[0167] (e)從被截斷為所述芯片的所述晶片表面剝離表面保護膠帶的工序；
[0168] (f)通過擴張所述晶片加工用膠帶，從而按照每個所述芯片截斷所述膠粘劑層，得 到帶有所述膠粘劑層的多個芯片的擴展工序；
[0169] (g)在擴張后的所述晶片加工用膠帶中，通過使不與所述芯片重疊的部分加熱收 縮從而除去所述擴展工序中產(chǎn)生的松弛，保持所述芯片的間隔的工序；
[0170] (h)從所述晶片加工用膠帶的粘合劑層中拾取帶有膠粘劑層的所述芯片的工序。
[0171] 半導體裝置的制造方法（E)
[0172] 包括如下的工序的半導體裝置的制造方法，SP，
[0173] (a)在形成有電路圖案的晶片表面貼合表面保護膠帶的工序；
[0174] (b)沿著所述晶片的截斷線照射激光，在所述晶片內(nèi)部形成由多光子吸收造成的 改性區(qū)域的工序；
[0175] (c)研削所述晶片背面的背面研磨工序；
[0176] (d)在將所述晶片加熱到70~80°C的狀態(tài)下，在所述晶片背面貼合所述晶片加工 用膠帶的膠粘劑層的工序；
[0177] (e)從所述晶片表面剝離所述表面保護膠帶的工序；
[0178] (f)通過擴張所述晶片加工用膠帶，從而將所述晶片和所述晶片加工用膠帶的所 述膠粘劑層沿著截斷線截斷，得到帶有所述膠粘劑層的多個芯片的擴展工序；
[0179] (g)在擴張后的所述晶片加工用膠帶中，通過使不與所述芯片重疊的部分加熱收 縮，從而除去所述擴展工序中產(chǎn)生的松弛，保持所述芯片的間隔的工序；
[0180] (h)從所述晶片加工用膠帶的粘合劑層中拾取帶有所述膠粘劑層的所述芯片的工 序。
[0181] <使用方法>
[0182] 參照圖2~圖5,對將本發(fā)明的晶片加工用膠帶10應(yīng)用于上述半導體裝置的制造 方法（A)時的膠帶的使用方法進行說明。首先，如圖2所示，在形成有電路圖案的晶片W的 表面，貼合在粘合劑中含有紫外線固化性成分的電路圖案保護用的表面保護膠帶14,實施 研削晶片W的背面的背面研磨工序。
[0183] 在背面研磨工序結(jié)束后，如圖3所示，在晶片貼膜機（wafermounter)的加熱臺25 上，將表面?zhèn)瘸碌剌d放晶片W后，在晶片W的背面貼合晶片加工用膠帶10。此處使用的晶 片加工用膠帶10是層疊有被預先切斷（預切割）為與所貼合的晶片W對應(yīng)的形狀的粘接膜 的膠帶，在與晶片W貼合的面中，在露出了膠粘劑層13的區(qū)域的周圍露出粘合劑層12。將 該晶片加工用膠帶10的露出了膠粘劑層13的部分與晶片W的背面貼合，并且將膠粘劑層 13的周圍的露出了粘合劑層12的部分與環(huán)形框20貼合。此時，加熱臺25被設(shè)定為70~ 80 °C，利用它實施加熱貼合。
[0184] 然后，將貼合有晶片加工用膠帶10的晶片W從加熱臺25上搬出，如圖4所示，將 晶片加工用膠帶10側(cè)朝下地載放到吸附臺26上。此后，從吸附固定在吸附臺26的晶片W 的上方，使用能量射線光源27,向表面保護膠帶14的基材面?zhèn)日丈淅鏻OOOmJ/cm2的紫外 線，降低表面保護膠帶14對晶片W的粘接力，從晶片W表面剝離表面保護膠帶14。
[0185] 然后，如圖5所示，沿著截斷線，對晶片W的預定分割部分照射激光L，在晶片W的 內(nèi)部形成由多光子吸收造成的改性區(qū)域32。
[0186] 然后，如圖6的（a)所示，使基材膜11側(cè)朝下地將貼合有晶片W及環(huán)形框20的晶 片加工用膠帶10載放在擴展裝置的載臺21上。
[0187] 然后，如圖6(b)所示，在將環(huán)形框20固定的狀態(tài)下，使擴展裝置的空心圓柱形狀 的頂出構(gòu)件22沿A方向上升，擴張（擴展）晶片加工用膠帶10。作為擴張條件，擴展速度 例如為5~500mm/sec，擴展量（頂出量）例如為5~25mm。通過像這樣將晶片加工用膠帶 10沿晶片W的徑向拉伸，從而將晶片W以所述改性區(qū)域32為起點截斷為芯片34單元。此 時，膠粘劑層13在與晶片W的背面粘接的部分可以抑制由擴張造成的伸長（變形）而不引 起斷裂，然而在芯片34間的位置，由膠帶的擴張造成的張力集中而斷裂。因而，如圖6 (c)所 示，膠粘劑層13也與晶片W-起被截斷。由此，就能得到帶有膠粘劑層13的多個芯片34。
[0188] 然后，如圖7所示，進行如下的工序，S卩，將頂出構(gòu)件22送回原來的位置，除去在先 前的擴展工序中產(chǎn)生的晶片加工用膠帶10的松弛，用以穩(wěn)定地保持芯片34的間隔。該工 序中，例如，使用熱風噴嘴29將90~120°C的熱風吹送到晶片加工用膠帶10中的存在有芯 片34的區(qū)域與環(huán)形框20之間的圓環(huán)狀的加熱收縮區(qū)域28從而使基材膜11加熱收縮，使 晶片加工用膠帶10拉緊。其后，對粘合劑層12實施能量射線固化處理或熱固化處理等，減 弱粘合劑層12對膠粘劑層13的粘合力后，從基材膜11側(cè)用頂針（pin)將芯片34頂出，使 芯片34和膠粘劑層13從粘合劑層12中剝離，拾取芯片34。
[0189] [實施例]
[0190] 下面，為了使本發(fā)明的效果更加明確，對實施例及比較例進行詳細說明，但是本發(fā) 明并不限定于這些實施例。
[0191] 〔晶片加工用膠帶的制作〕
[0192] (1)基材膜的制作
[0193] 將利用自由基聚合法合成的乙烯一甲基丙烯酸一甲基丙烯酸乙酯（質(zhì)量比7. 5: 1.4 :1. 1)3元共聚物的鋅離聚物（密度0.93g/cm3、鋅離子含量5質(zhì)量％、氯含量小于1質(zhì) 量％、維卡軟化點55°C、熔點85°C)的樹脂珠在140°C熔融，使用擠出機成形為厚100ym的 長條薄膜狀從而制作出基材膜。
[0194] (2)丙烯酸系共聚物的配制
[0195](a- 1)
[0196] 作為具有官能團的丙烯酸系共聚物（A1)，配制出由丙烯酸2 -乙基己酯、丙烯酸 2 -羥基乙酯及丙烯酸構(gòu)成，質(zhì)均分子量為80萬的共聚物。然后，以使碘值為20的方式， 作為具有能量射線固化性碳一碳雙鍵的化合物（A2)，添加甲基丙烯酸2 -異氰酸基乙酯， 配制出玻璃化溫度為一 60°C，羥值為30mgK0H/g，酸值為5mgK0H/g的丙烯酸系共聚物（a- 1)〇
[0197](a- 2)
[0198] 作為具有官能團的丙烯酸系共聚物（A1)，配制出由丙烯酸正丁酯、丙烯酸2 -羥 基乙酯及丙烯酸構(gòu)成，質(zhì)均分子量為70萬，玻璃化溫度為一 70°C，羥值為20mgK0H/g，酸值 為3mgK0H/g的丙烯酸系共聚物（a- 2)。
[0199](a- 3)
[0200] 作為具有官能團的丙烯酸系共聚物（A1)，配制出由丙烯酸月桂酯、丙烯酸2 -羥 基乙酯及丙烯酸構(gòu)成，質(zhì)均分子量為80萬的共聚物。然后，以使碘值為20的方式，作為具 有能量射線固化性碳一碳雙鍵的化合物（A2)，添加甲基丙烯酸2 -異氰酸基乙酯，配制出 玻璃化溫度為5°C、羥值為50mgK0H/g、酸值為6mgK0H/g的丙烯酸系共聚物（a- 3)。
[0201] (a- 4)
[0202] 作為具有官能團的丙烯酸系共聚物（A1)，配制出由丙烯酸月桂酯、丙烯酸2 -羥 基乙酯及丙烯酸構(gòu)成，質(zhì)均分子量為80萬，玻璃化溫度為一 10°C，羥值為30mgK0H/g，酸值 為3mgK0H/g的丙烯酸系共聚物（a- 4)。
[0203] (3)膠粘劑組合物的調(diào)配
[0204] (d - 1)
[0205] 向由環(huán)氧樹脂"YDCN- 703"（東都化成株式會社制、商品名、甲酚酚醛清漆型環(huán)氧 樹脂、環(huán)氧當量210)30質(zhì)量份、作為環(huán)氧樹脂的固化劑的酚醛樹脂"MILEXXLC-LL"（三 井化學株式會社制、商品名、酚醛樹脂）25質(zhì)量份、作為硅烷偶聯(lián)劑的"A- 1160"（日本 UNICAR株式會社制、商品名）1.8質(zhì)量份、及"A- 189"（日本UNICAR株式會社制、商品 名）L0質(zhì)量份、作為二氧化硅填充劑（粒子）的"AEROSILR972"（日本AER0SIL株式會社 制、商品名、平均粒徑：〇. 016ym、比表面積120m2/g) 22. 2質(zhì)量份構(gòu)成的組合物中，加入環(huán)己 酮，攪拌混合后使用珠磨機再混煉90分鐘。
[0206] 向其中加入含有3質(zhì)量％的來自于丙烯酸縮水甘油酯或甲基丙烯酸縮水甘油酯 的單體單元的作為丙稀酸橡膠（高分子量成分）的"HTR- 860P- 3"（NagaseChemteX 株式會社制、商品名、質(zhì)均分子量80萬）200質(zhì)量份、及作為固化促進劑的"CURESOL2PZ- CN"（四國化成工業(yè)株式會社制、商品名、1 -氰基乙基一2 -苯基咪唑）0. 01質(zhì)量份，攪拌 混合，得到膠粘劑組合物（d- 1)。
[0207] <實施例1>