將進一步理解的是，當在本說明書中使用時，術(shù)語"含有"和/或"包含"指的是存 在所指定的特征、整型、步驟、操作、元素、和/或組分，但是并不排除存在或附加一種或多 種其它的特征、整型、步驟、操作、元素、組分和/或其基團。
[0103] 本文中示例性描述的本發(fā)明可W適當?shù)卦谌鄙偃魏螞]有在本文中特別公開的一 個或多個元素、一個或多個限制的情況下實施。因此，例如，術(shù)語"包含"，"包括"，"含有"等 應被廣義理解并不受限制。此外，本文所使用的術(shù)語和表達已被用作描述性的術(shù)語而非限 制性的術(shù)語，并且在使用送些術(shù)語和表達時沒有意圖排除任何顯示和描述的特征或其部分 的等價形式，但是應認識到各種變型也可能落入了本發(fā)明要求保護的范圍內(nèi)。因此應理解 盡管本發(fā)明已通過優(yōu)選的實施方案和任選的特征來具體地公開，但所公開的本文中的變型 和變體可W通過借助于本領(lǐng)域技術(shù)人員呈現(xiàn)，并且此類變型和變體應視為落入本發(fā)明的范 圍內(nèi)。
[0104] 本發(fā)明已經(jīng)在本文中進行了寬泛和一般的描述。落入一般的公開范圍內(nèi)的每一種 較窄的種類和次級的組合也形成本發(fā)明的一部分。送包括本發(fā)明具有附帶條件或從種類中 移除任何主題的否定限制的一般性描述，而不考慮該去除的材料是否在本文中被明確地列 舉。
[0105] 其它實施方案落入W下權(quán)利要求和非限制性的實施例中。此外，在本發(fā)明的特征 或方面W馬庫什組的方式來描述之處，本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識到本發(fā)明也由此W該馬庫什 組的任何單獨的成員或成員的子組的方式來描述。
[0106] 當本發(fā)明通過參照其示例性實施方案來特別地顯示和描述時，本領(lǐng)域普通技術(shù)人 員將理解，其中可W在不背離通過W下權(quán)利要求書所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下 做出在形式和細節(jié)上的各種變化。
【主權(quán)項】
1. 用于半導體器件的底漆組合物，其包含 a) 至少一種雙-官能或多-官能的苯并噁嗪化合物；和 b) 至少一種包含（i)對金屬表面具有親和性的官能團，和（ii)可交聯(lián)基團的化合物。2. 根據(jù)權(quán)利要求1的底漆組合物，其中所述多-官能的苯并噁嗪化合物具有通式（I) L-(B)n (1) 其中 B為苯并tl惡嗪部分， η為2、3或4 ; L為直接的鍵，或為選自以下基團的連接基團：任選取代的。烷基，任選取代的C2-CJ：?；?，任選取代的C2-C2。炔基，任選取代的單環(huán)、稠合多環(huán)或橋連多環(huán)的C5-C2。芳基， 任選取代的c3_c2。單-或多-環(huán)烷基，任選取代的c3_c2。單-或多-環(huán)烯基；任選取代的 2-20元雜烷基，任選取代的2-20元雜烯基，任選取代的2-20元雜炔基，任選取代的5-20元 單環(huán)、稠合多環(huán)或橋連多環(huán)的雜芳基，任選取代的3-20元單-或多-雜環(huán)烷基，和任選取代 的3_20兀單-或多-雜環(huán)烯基；-〇-，-NR-，和-S-，其中R選自H、任選取代的CfQ烷基和 任選取代的C5-C2。芳基，和 其中L連接至苯并噁嗪部分，優(yōu)選經(jīng)由所述苯并噁嗪部分的苯基環(huán)部分連接。3. 根據(jù)權(quán)利要求2的底漆組合物，其中η為2。4. 根據(jù)權(quán)利要求1的底漆組合物，其中所述多-官能的苯并噁嗪化合物具有通式（II)其中L為直接的鍵，或為選自以下基團的連接基團：任選取代的qC2。烷基，任選取代 的C2-CJ：希基，任選取代的C2-C2。炔基，任選取代的單環(huán)、稠合多環(huán)或橋連多環(huán)的C5-(：2。芳 基，任選取代的c3_c2。單-或多-環(huán)烷基，任選取代的c3_c2。單-或多-環(huán)烯基；任選取代 的2-20元雜烷基，任選取代的2-20元雜烯基，任選取代的2-20元雜炔基，任選取代的5-20 元單環(huán)、稠合多環(huán)或橋連多環(huán)的雜芳基，任選取代的3-20元單-或多-雜環(huán)烷基，和任選取 代的3_20兀單-或多-雜環(huán)烯基；-〇-，-NR-，和-S-，其中R選自H、任選取代的CfCg烷基 和任選取代的C5-C2。芳基，和 其中R1和R2各自獨立地選自任選取代的C烷基、任選取代的C5-C2。芳基、羥基、烷 氧基、氛基、鹵素基團、硝基、甲娃烷基和氣基。5. 根據(jù)權(quán)利要求4的底漆組合物，其中所述L選自-C(CH3) 2_、-CH2-、-S-、6. 根據(jù)權(quán)利要求4的底漆組合物，其中所述R1和R2中至少一個為 7. 根據(jù)權(quán)利要求1的底漆組合物，其中所述多-官能的苯并噁嗪化合物選自以下物 質(zhì)：8. 根據(jù)權(quán)利要求1的底漆組合物，其中所述對金屬表面具有親和性的官能團為對銀和 錫中至少一個具有親和性的官能團。9. 根據(jù)權(quán)利要求1的底漆組合物，其中所述對金屬表面具有親和性的官能團選自羧 基、環(huán)氧基團、有機憐基團和胺基團。10. 根據(jù)權(quán)利要求1的底漆組合物，其中所述可交聯(lián)基團選自磺酰基、硝基、鹵素基團、 氰基、羥基、羧基、胺基團、環(huán)氧基團、有機硅基團和異氰酸酯基團。11. 根據(jù)權(quán)利要求10的底漆組合物，其中所述有機硅基團包含硅烷、硅氧烷、三有機基 石圭醇鹽（siloxide)、甲娃烷基鹵化物。12. 根據(jù)權(quán)利要求1的底漆組合物，其中所述對金屬表面具有親和性的官能團和可交 聯(lián)基團經(jīng)由烷基連接基相連。13. 根據(jù)權(quán)利要求1的底漆組合物，其中a)和b)的至少一部分相互交聯(lián)以形成單一的 化合物或共聚物網(wǎng)絡(luò)。14. 在半導體器件上形成底漆層的方法，所述方法包括 A) 提供具有施加在其上的底漆組合物的半導體器件，所述底漆組合物包含a)至少一 種雙-官能或多-官能的苯并噁嗪化合物；和b)至少一種包含（i)對金屬表面具有親和性 的官能團，和（ii)可交聯(lián)基團的化合物；和 B) 固化所述底漆組合物以形成底漆層。15. 根據(jù)權(quán)利要求14的方法，其中固化所述底漆組合物包括在約175°C至約250°C的溫 度下加熱所述底漆組合物。16. 根據(jù)權(quán)利要求14的方法，其進一步包括在所述B)之前，將模塑化合物施加到所述 底漆組合物的至少一部分上。17. 根據(jù)權(quán)利要求16的方法，其中所述模塑化合物包含通過固化形成環(huán)氧樹脂的組合 物。18. 根據(jù)權(quán)利要求14的方法，其中所述底漆層為粘合促進層、腐蝕保護層和緩沖涂層 中的至少一種。19. 封裝半導體器件的方法，所述方法包括 A) 將底漆組合物施加到至少一個半導體器件和模塑化合物的表面上，所述底漆組合物 包含a)至少一種雙-官能或多-官能的苯并噁嗪化合物；和b)至少一種包含（i)對金屬 表面具有親和性的官能團，和（ii)可交聯(lián)基團的化合物； B) 在所述半導體器件上布置所述模塑化合物，以使所述底漆組合物的至少一部分位于 所述模塑化合物和所述半導體器件之間并與之接觸；和 C) 在合適的條件下固化所述底漆組合物以使所述底漆組合物與所述模塑化合物交聯(lián)， 由此封裝所述半導體器件。20. 根據(jù)權(quán)利要求19的方法，其中所述模塑化合物包含通過固化形成環(huán)氧樹脂的組合 物。21. 根據(jù)權(quán)利要求19的方法，其中所述底漆組合物經(jīng)由底漆組合物中包含的苯并噁嗪 基團與所述模塑化合物交聯(lián)。22. 包含底漆組合物的模塑組合物，所述底漆組合物包含 a) 至少一種雙-官能或多-官能的苯并噁嗪化合物；和 b) 至少一種包含（i)對金屬表面具有親和性的官能團，和（ii)可交聯(lián)基團的化合物。23. 在基材上施加底漆組合物的方法，所述底漆組合物包含 a) 至少一種雙-官能或多-官能的苯并噁嗪化合物；和 b) 至少一種包含（i)對金屬表面具有親和性的官能團，和（ii)可交聯(lián)基團的化合物； 所述方法包括將所述底漆組合物與模塑組合物混合，并將所得到的混合物施加到所述 基材的表面上。
【專利摘要】本發(fā)明公開了底漆組合物、在半導體器件上形成底漆層的方法、和封裝半導體器件的方法。本發(fā)明提供一種底漆組合物。該底漆組合物包含至少一種雙-官能或多-官能的苯并噁嗪化合物；和至少一種包含(i)對金屬表面具有親和性的官能團，和(ii)可交聯(lián)基團的化合物。還提供了在半導體器件上形成底漆層的方法，和封裝半導體器件的方法。
【IPC分類】C07D413/14, C08G73/06, H01L21/56, C07D265/16, C09D179/04
【公開號】CN105295709
【申請?zhí)枴緾N201510398498
【發(fā)明人】吳順祿, J·克里什南, 李瑞家, 林寶珍, J·馬勒, 戴秋婷, 陳奕儀, 鄭柏賢
【申請人】英飛凌科技股份有限公司
【公開日】2016年2月3日
【申請日】2015年5月27日
【公告號】DE102015108356A1, US20150344730