光學(xué)各向異性層及其制造方法、層疊體、偏振片、顯示裝置、液晶化合物及其制造方法、羧 ...的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及具有逆波長分散性的光學(xué)各向異性層及其制造方法、具備該光學(xué)各向 異性層的層疊體、偏振片及顯示裝置、表現(xiàn)逆波長分散性的液晶化合物及其制造方法、作為 液晶化合物的中間體的羧酸化合物。
【背景技術(shù)】
[0002] 光學(xué)各向異性層在以往的各種顯示模式的液晶顯示裝置等中以改善寬視野角、高 對比度比及色移為目的被廣泛使用。一般來說，圖像顯示裝置中使用的原材料、特別是高分 子中是相位差、即雙折射率在短波長側(cè)增大的順波長分散（也稱作正常分散）。因此，擔(dān)心 透射光的波長差異會對顯示特性造成影響。
[0003] 光學(xué)各向異性層中，為了防止該透射光的波長差異對顯示特性的影響，需要控制 相位差的波長分散，需要相位差的波長分散是長波側(cè)的相位差大于短波側(cè)的相位差、即逆 波長分散（也稱作異常分散）。
[0004] 作為具有逆波長分散性的光學(xué)各向異性層，專利文獻(xiàn)1~2等中公開了使用了逆 波長分散液晶化合物的光學(xué)各向異性層。
[0005] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0006] 專利文獻(xiàn)
[0007] 專利文獻(xiàn)1 :日本特開2010-031223號公報
[0008] 專利文獻(xiàn)2 :日本特開2009-242718號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009] 發(fā)明要解決的技術(shù)問題
[0010] 其中，這些文獻(xiàn)所公開的液晶化合物雖然顯示逆波長分散性，但用于獲得取向狀 態(tài)所需的相變溫度高，在樹脂膜上的層疊操作性方面存在問題，另外具有形成涂布液時在 溶劑中的溶解性不好的問題。
[0011] 本發(fā)明鑒于上述事實(shí)而作出，其目的在于提供使用與以往相比液晶取向所需的相 變溫度低、在溶劑中的溶解性高、表現(xiàn)逆波長分散性的液晶化合物所獲得的具有制造適應(yīng) 性優(yōu)異的逆波長分散性的光學(xué)各向異性層及其制造方法。
[0012] 本發(fā)明的目的還在于提供考慮了透射光的波長差異對顯示特性的影響的層疊體 及偏振片、顯示裝置。
[0013] 本發(fā)明的目的還在于提供液晶取向所需的相變溫度低、在溶劑中的溶解性高、表 現(xiàn)逆波長分散性的液晶化合物及其制造方法、以及作為該液晶化合物的中間體的羧酸化合 物。
[0014] 用于解決課題的方法
[0015] 本發(fā)明的光學(xué)各向異性層含有下述通式1所示的液晶化合物、或者由含有下述通 式1所示的液晶化合物的聚合性組合物的固化所形成，是通式1所示的液晶化合物的分子 的長軸發(fā)生取向而成的。
[0016]
[0017] 式中，Q、L2各自獨(dú)立地表示具有羰基的連接基團(tuán)，
[0018] 匕、匕各自獨(dú)立地表示碳數(shù)為1~4的烷基、碳數(shù)為1~4的烷氧基或鹵原子，
[0019] n、m各自獨(dú)立地表示0~4的整數(shù)，
[0020] a，b各自獨(dú)立地表示1~4的整數(shù)，分別優(yōu)選為1或2。
[0021] I\、T2各自獨(dú)立地表示含有碳數(shù)為2~20的直鏈或支鏈的亞烷基或者環(huán)氧烷烴基 的間隔部，
[0022] Ar表示具有選自芳香族烴環(huán)及芳香族雜環(huán)中的至少1個芳香環(huán)的2價基團(tuán)，Ar基 中所含的：π電子數(shù)為8以上。
[0023] 本發(fā)明的光學(xué)各向異性層如上所述包括：含有上述通式1所示的液晶化合物的方 式、即未被固化的方式的第1方式；和由含有上述通式1所示的液晶化合物的聚合性組合物 的固化所形成的第2方式。第2方式有通式1所示的液晶化合物分散在粘合劑聚合物中而 成的方式和通式1中的！\及Τ 2的末端基團(tuán)為聚合性基團(tuán)、該聚合性基團(tuán)聚合而成的方式， 為后者時，"通式1所示的液晶化合物的分子的長軸發(fā)生取向而成"是指在通式1所示的液 晶化合物的聚合物中、單體時的分子長軸部分發(fā)生取向而成。
[0024] 通式1中，Ar優(yōu)選是下述式通式2-1~2-4所示的任一個芳香環(huán)，更優(yōu)選是通式 2-2所示的芳香環(huán)。
[0025]
[0026] 式中，Qi表示-S-、-0-或NR n-，R11表示氫原子或碳數(shù)為1~6的烷基，
[0027] Yi表示碳數(shù)為1~6的烷基、碳數(shù)為6~12的芳香族烴基或碳數(shù)為3~12的芳 香族雜環(huán)基，
[0028] Ζρ厶及Z 3各自獨(dú)立地表示氫原子或者碳數(shù)為1~20的脂肪族烴基或烷氧基、碳 數(shù)為3~20的脂環(huán)式烴基、1價的碳數(shù)為6~20的芳香族烴基、齒原子、氰基、硝基、-NR 12R13 或SR12, Z^SZ2還可相互鍵合形成芳香環(huán)或芳香族雜環(huán)，R12及R13各自獨(dú)立地表示氫原子 或碳數(shù)為1~6的烷基，
[0029] 心及A 2各自獨(dú)立地表示選自-0-、-NR21- (R21表示氫原子或取代基）、-S-及C0-中 的基團(tuán)，X表示氫原子或可鍵合取代基的第14~16族的非金屬原子，
[0030] Αχ表示具有選自芳香族烴環(huán)及芳香族雜環(huán)中的至少1個芳香環(huán)的碳數(shù)為2~30 的有機(jī)基團(tuán)，Ay表示氫原子、可具有取代基的碳數(shù)為1~6的烷基、或具有選自芳香族烴環(huán) 及芳香族雜環(huán)中的至少1個芳香環(huán)的碳數(shù)為2~30的有機(jī)基團(tuán)，Αχ及Ay所具有的芳香環(huán) 可具有取代基，Αχ與Ay可鍵合形成環(huán)，
[0031] 〇2表示氫原子或可具有取代基的碳數(shù)為1~6的烷基。
[0032] 通式1中，1\和1~2可以是下述通式3所示的結(jié)構(gòu)。如通式3那樣，通過使末端為 聚合性基團(tuán)，可以制成通過固化形成含有上述通式1所示的液晶化合物的聚合性組合物而 成的光學(xué)各向異性層。
[0033]
[0034] 式中，3?1、5?2各自獨(dú)立地表示碳數(shù)為2~20的直鏈或支鏈的亞烷基，亞烷基中未 相鄰的 1 個或 2 個以上的-ch2-可以被-〇-、-S-、-C ( = 0) -、-0C ( = 0) -、-C ( = 0) 0-、-0C (= 0) 0-、-NfC ( = 0) -、-C ( = 0) NR2-、-0C ( = 0) NR3-、-NR4C ( = 0) 0-、-SC ( = 0)-或-C (= 〇)S-取代，R1、R2、R3、R4各自獨(dú)立地表示氫原子、鹵原子或碳數(shù)為1~4的烷基，
[0035] ?1、匕各自獨(dú)立地表示聚合性基團(tuán)或氫原子，且至少1個表示聚合性基團(tuán)。
[0036] 本發(fā)明的光學(xué)各向異性層中，取向狀態(tài)優(yōu)選以向列相或近晶相被固定、更優(yōu)選以 近晶相被固定。
[0037] 本說明書中，近晶相是指統(tǒng)一在一個方向上的分子具有層結(jié)構(gòu)的狀態(tài)，向列相是 指其構(gòu)成分子具有取向秩序、但沒有三維位置秩序的狀態(tài)。
[0038] 本發(fā)明的光學(xué)各向異性層中，優(yōu)選通式1所示的液晶化合物的分子的長軸以水平 取向被固定，且波長 450nm、550nm、650nm 下的相位差 Re (450nm)、Re (550nm)、Re (650nm)滿 足下述數(shù)學(xué)式A及B。
[0039] Re (450nm) /Re (550nm) < 0. 95 數(shù)學(xué)式 A
[0040] Re(65〇nm)/Re(55〇nm) > 1. 〇2 數(shù)學(xué)式 B
[0041] 本發(fā)明的層疊體是上述本發(fā)明的光學(xué)各向異性層在樹脂膜上直接層疊或者隔著 取向膜層疊而成的。
[0042] 本發(fā)明的偏振片具備上述本發(fā)明的層疊體，其中樹脂膜為起偏器。
[0043] 本發(fā)明的顯示裝置具備上述本發(fā)明的偏振片。
[0044] 本發(fā)明的光學(xué)各向異性層的制造方法是將含有下述通式1所示的液晶化合物的 組合物或含有下述通式1所示的液晶化合物的聚合性組合物展開并進(jìn)行加熱，使下述通式 1所示的液晶化合物的分子的長軸取向之后，將上述組合物或聚合性組合物固化。通式1的 優(yōu)選構(gòu)成與上述本發(fā)明的光學(xué)各向異性層相同。
[0045]
[0046] 式中，L!、L2各自獨(dú)立地表示具有羰基的連接基團(tuán)，
[0047] 匕、匕各自獨(dú)立地表示碳數(shù)為1~4的烷基、碳數(shù)為1~4的烷氧基或鹵原子，
[0048] n、m各自獨(dú)立地表示0~4的整數(shù)，
[0049] a、b各自獨(dú)立地表示1~4的整數(shù)，分別優(yōu)選為1或2。
[0050] ?\、Τ2各自獨(dú)立地表示含有碳數(shù)為2~20的直鏈或支鏈的亞烷基或者環(huán)氧烷烴基 的間隔部，
[0051 ] Ar表示具有選自芳香族烴環(huán)及芳香族雜環(huán)中的至少1個芳香環(huán)的2價基團(tuán)，Ar基 中所含的：π電子數(shù)為8以上。
[0052] 本發(fā)明的光學(xué)各向異性層的制造方法中，優(yōu)選在玻璃化轉(zhuǎn)變溫度比通式1所示的 液晶化合物的取向溫度高的支撐體上展開含有通式1所示的液晶化合物的組合物或聚合 性組合物。
[0053] 本說明書中，"液晶化合物的取向溫度"是指液晶化合物獲得取向狀態(tài)所需的相變 溫度。
[0054] 本發(fā)明的液晶化合物是下述通式1所示的化合物。通式1的優(yōu)選構(gòu)成與上述本發(fā) 明的光學(xué)各向異性層相同。
[0055]
[0056] 式中，L!、L2各自獨(dú)立地表示具有羰基的連接基團(tuán)，
[0057] 匕、匕各自獨(dú)立地表示碳數(shù)為1~4的烷基、碳數(shù)為1~4的烷氧基或鹵原子，
[0058] n、m各自獨(dú)立地表示0~4的整數(shù)，
[0059] a、b各自獨(dú)立地表示1~4的整數(shù)，分別優(yōu)選為1或2。
[0060] I\、T2各自獨(dú)立地表示含有碳數(shù)為2~20的直鏈或支鏈的亞烷基或者環(huán)氧烷烴基 的間隔部，
[0061] Ar表示下述通式2-1~2-4所示的任一個芳香環(huán)。
[0062]
[0063] 式中，(^表不-S-、-〇-或NR n-，R11表不氫原子或碳數(shù)為1~6的烷基，
[0064] Yi表示碳數(shù)為1~6的烷基、碳數(shù)為6~12的芳香族烴基或碳數(shù)為3~12的芳 香族雜環(huán)基，
[0065] Ζρ厶及Z 3各自獨(dú)立地表示氫原子或者碳數(shù)為1~20的脂肪族烴基或烷氧基、碳 數(shù)為3~20的脂環(huán)式烴基、1價的碳數(shù)為6~20的芳香族烴基、齒原子、氰基、硝基、-NR 12R13 或SR12, Z^SZ2還可相互鍵合形成芳香環(huán)或芳香族雜環(huán)、R12及R13各自獨(dú)立地表示氫原子 或碳數(shù)為1~6的烷基，
[0066] 心及A 2各自獨(dú)立地表示選自-0_、-NR 21_ (R21表示氫原子或取代基）、-S-及C0-中 的基團(tuán)，X表示氫原子或可鍵合取代基的第14~16族的非金屬原子，
[0067] Αχ表示具有選自芳香族烴環(huán)及芳香族雜環(huán)中的至少1個芳香環(huán)的碳數(shù)為2~30 的有機(jī)基團(tuán)，Ay表示氫原子、可具有取代基的碳數(shù)為1~6的烷基或具有選自芳香族烴環(huán) 及芳香族雜環(huán)中的至少1個芳香環(huán)的碳數(shù)為2~30的有機(jī)基團(tuán)，Αχ及Ay所具有的芳香環(huán) 可具有取代基，Αχ和Ay可鍵合形成環(huán)，
[0068] 〇2表示氫原子或可具有取代基的碳數(shù)為1~6的烷基。
[0069] 本發(fā)明的液晶化合物的制造方法是下述通式1所示的液晶化合物的制造方法，其 中，使下述通式4所示的化合物與下述通式5所示的化合物反應(yīng)。
[0070]
[0071 ] 式中，Q、L2各自獨(dú)立地表示具有羰基的連接基團(tuán)，
[0072] 匕、匕各自獨(dú)立地表示碳數(shù)為1~4的烷基、碳數(shù)為1~4的烷氧基或鹵原子，
[0073] n、m各自獨(dú)立地表示0~4的整數(shù)，
[0074] a、b各自獨(dú)立地表示1~4的整數(shù)，分別優(yōu)選為1或2。
[0075] ?\、Τ2各自獨(dú)立地表示含有碳數(shù)為2~20的直鏈或支鏈的亞烷基或者環(huán)氧烷烴基 的間隔部，
[0076] Ar表示具有選自芳香族烴環(huán)及芳香族雜環(huán)中的至少1個芳香環(huán)、基團(tuán)中的芳香環(huán) 所含的η電子數(shù)為8以上的2價基團(tuán)。
[0077]
[0078] 式中，1^表不具有幾基的連接基團(tuán)，
[0079] 匕表示碳數(shù)為1~4的烷基、碳數(shù)為1~4的烷氧基或鹵原子，
[0080] η表示0~4的整數(shù)，
[0081] a表示1~4的整數(shù)，
[0082] 1\是碳數(shù)為2~20的直鏈或支鏈的亞烷基。
[0083] H〇-Ar-〇H 通式 5
[0084] 式中，Ar表示具有選自芳香族烴環(huán)及芳香族雜環(huán)中的至少1個芳香環(huán)、基團(tuán)中的 芳香環(huán)所含的π電子數(shù)為8以上的2價基團(tuán)。
[0085] 本發(fā)明的羧酸化合物是由下述通式7所示的化合物，作為上述本發(fā)明的液晶化合 物的制造方法中使用的羧酸化合物是優(yōu)選的。
[0086]
[0087] 式中，Q表示具有羰基的連接基團(tuán)，
[0088] 匕表示碳數(shù)為1~4的烷基、碳數(shù)為1~4的烷氧基或鹵原子，
[0089] η表示0~4的整數(shù)，
[0090] a表示1~4的整數(shù)，
[0091] SPl表示碳數(shù)為2~20的直鏈或支鏈的亞烷基，亞烷基中不相鄰的1個或2個以 上的 _CH2-可以被-〇-、-S-、-C ( = 0) -、-〇C ( = 0) -、-C ( = 0) 〇-、-〇C ( = 0) 〇-、-NRt (= 0)-、-C( = 0)NR2-、-0C( = 0)NR3-、-NR4C( = o)o-、-sc( = 0)-或-c( = 0)s-取代，R1、!?2、 R3、R4各自獨(dú)立地表示氫原子、鹵原子或碳數(shù)為1~4的烷基，
[0092] Pi表示聚合性基團(tuán)。
[0093] 發(fā)明效果
[0094] 本發(fā)明的光學(xué)各向異性層是使用與以往相比液晶取向所需的相變溫度低、在溶劑 中的溶解性高、表現(xiàn)逆波長分散性的液晶化合物而獲得的。因此，根據(jù)本發(fā)明，可以提供具 有制造適應(yīng)性優(yōu)異的逆波長分散性的光學(xué)各向異性層。
【附圖說明】
[0095] 圖1為表示本發(fā)明的一個實(shí)施方式的光學(xué)各向異性層及偏振片的構(gòu)成的截面概 略圖。
[0096] 圖2為IPS型液晶單元的基板內(nèi)表面的像素電極的一部分的概略俯視圖。
[0097] 圖3為具備本發(fā)明的一個實(shí)施方式的偏振片的IPS型液晶顯示裝置的概略截面構(gòu) 成圖。
【具體實(shí)施方式】
[0098] 以下詳細(xì)地說明本發(fā)明。以下所記載的構(gòu)成要件的說明基于本發(fā)明的代表性實(shí)施 方式，但本發(fā)明并非限定于這種實(shí)施方式。此外，本說明書中使用"~"表示的數(shù)值范圍是 指將"~"前后所記載的數(shù)值作為下限值及上限值并包括在內(nèi)的范圍。另外，關(guān)于角度，"正 交"及"平行"是指嚴(yán)格的角度±10°的范圍，并且關(guān)于角度的"相同"及"不同"可以以其 差是否小于5°為標(biāo)準(zhǔn)來進(jìn)行判斷。
[0099] 本說明書中，"慢軸"是指面內(nèi)折射率達(dá)到最大的方向，"偏振片"只要無特別記載， 則以包括長條狀偏振片及裁剪成組裝到顯示裝置中的大小的偏振片這兩者在內(nèi)的意思進(jìn) 行使用。此外，這里所說的"裁剪"也包括"沖裁"及"切出"等。另外，本說明書中，將"偏 振片"中、特別是包含本發(fā)明的光學(xué)膜或通常的λ/4板與偏光膜的層疊體的形態(tài)稱作"圓 偏振片"。
[0100] 另外，有機(jī)EL顯示裝置是指有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置。
[0101] 本說明書中，"傾斜角"（也稱作傾角）是指傾斜的液晶與層平面所成的角度，是指 在液晶化合物的折射率橢圓體中最大折射率方向與層平面所成角度中的最大角度。因此， 在具有正的光學(xué)各向異性的液晶化合物中，傾角是指液晶化合物的長軸方向、即指向方向 與層平面所成的角度。另外，本發(fā)明中，"平均傾角"是指相位差層的上界面的傾角至下界面 的傾角的平均值。
[0102] 本說明書中，逆波長分散性是指越是長波長、面內(nèi)延遲的絕對值越大的性質(zhì)。
[0103] 本說明書中，Re(A)、Rth(X)分別表示波長λ下的面內(nèi)的延遲及厚度方向的延 遲。ReU)是在KOBRA 21ADH或WR(商品名，王子計測機(jī)器株式會社制）中使波長ληπι的 光沿膜法線方向入射而測定的。
[0104] 所測定的膜為用1軸或2軸的折射率楕圓體表示時，通過以下的方法算出 Rth ( λ)0
[0105] 相對于以面內(nèi)的慢軸（利用KOBRA 21ADH或WR判斷）作為傾斜軸（旋轉(zhuǎn)軸）（沒 有慢軸時以膜面內(nèi)的任意方向作為旋轉(zhuǎn)軸）的膜法線方向，從自法線方向開始以10度的 梯度分別傾斜至單側(cè)50度的方向上入射波長ληπι的光，測定共計6點(diǎn)的Re( λ )，根據(jù)該 所測定的延遲值和平均折射率的假設(shè)值及所輸入的膜厚值，在KOBRA 21ADH或WR中算出 Rth ( λ)0
[0106] 上述中，當(dāng)為將偏離法線方向的面內(nèi)慢軸作為旋轉(zhuǎn)軸、具有在某個傾斜角度下延 遲值變?yōu)椹柕姆较虻哪r，將比該傾斜角度更大的傾斜角度下的延遲值的符號變?yōu)樨?fù)之 后，在KOBRA 21ADH或WR中進(jìn)行計算。
[0107] 另外，還可以以慢軸作為傾斜軸（旋轉(zhuǎn)軸）（沒有慢軸時以膜面內(nèi)的任意方向作為 旋轉(zhuǎn)軸）、從任意傾斜的2個方向測定延遲值，根據(jù)該值和平均折射率的假設(shè)值及所輸入的 膜厚值，利用以下的數(shù)學(xué)式（1)及數(shù)學(xué)式（2)算出Rth。
[0108] 數(shù)學(xué)式（1)
[0112] 式中，Re(0)表示自法線方向傾斜了角度Θ的方向的延遲值。特別是當(dāng)未記載 Θ時，Θ表示0°。ηχ表示面內(nèi)的慢軸方向的折射率、ny表示在面內(nèi)正交于ηχ的方向的 折射率、ηζ表示正交于ηχ及ny的方向的折射率。d表示膜的膜厚。
[0113] 所測定的膜為無法用1軸或2軸的折射率楕圓體表現(xiàn)、即所謂的沒有光學(xué)軸 (OPTIC AXIS)的膜時，利用以下的方法計算Rth ( λ )。
[0114] 以面內(nèi)的慢軸（利用KOBRA 21ADH或WR判斷）作為傾斜軸（旋轉(zhuǎn)軸），從相對于 法線方向以10度梯度從-50度至+50度分別傾斜的方向入射波長λ nm的光，測定11點(diǎn) 的Re ( λ )，根據(jù)該所測定的延遲值和平均折射率的假設(shè)值及所輸入的膜厚值，利用K0BRA 21ADH或 WR算出 Rth(A)。
[0115] 上述測定中，平均折射率的假設(shè)值可以使用聚合物手冊（JOHN WILEY&SONS，INC)、 各種光學(xué)膜的目錄值。對于平均折射率的值未知者，可以利用阿貝折射儀進(jìn)行測定。以下 示例主要的光學(xué)膜的平均折射率的值：酰化纖維素（1.48)、環(huán)烯烴聚合物（1.52)、聚碳酸 酯（1.59)、聚甲基丙烯酸甲酯（1.49)、聚苯乙烯（1.59)。通過輸入這些平均折射率的假設(shè) 值和膜厚，在奶13狀2]^0!1或￥1?中算出1?、117、112。利用該算出的1?、117、112，進(jìn)一步算出 Nz = (nx-nz)/(nx-ny)〇
[0116] 另外，延遲Re、Rth還可以使用AxoScan (AX0METRICS公司）進(jìn)行測定，Nz還可通 過 Nz = Rth/Re+0. 5 求得。
[0117] [光學(xué)各向異性層]
[0118] 本發(fā)明的光學(xué)各向異性層含有通式1所示的本發(fā)明的液晶化合物、或者是由含有 本發(fā)明的液晶化合物的聚合性組合物的固化所形成，是本發(fā)明的液晶化合物的分子的長軸 發(fā)生取向而成的，具有測定延遲時延遲不為0的入射方向及波長為1個的、即并非各向同性 的光學(xué)特性。
[0119] 光學(xué)各向異性層的厚度隨著所用原材料或所設(shè)定的相位差值而不同，優(yōu)選為 0. 1~20 μ m、更優(yōu)選為0. 5~15 μ m、進(jìn)一步優(yōu)選為1. 0~10 μ m。另外，光學(xué)各向異性層的 波長550nm下的面內(nèi)延遲Re (550)、Rth因隨用途不同、優(yōu)選范圍也不同，因此可適當(dāng)選擇。 另外，本說明書中各層的厚度是指隨機(jī)測定5處的膜厚、對該膜厚取平均的值。
[0120] 本發(fā)明的光學(xué)各向異性層中，在后敘述詳細(xì)情況的本發(fā)明的液晶化合物的分子的 長軸取向狀態(tài)優(yōu)選以向列相或近晶相被固定、更優(yōu)選以近晶相被固定。本發(fā)明的液晶化合 物顯示分子的長軸統(tǒng)一取向的近晶相及/或向列相、并且還可通過手性劑的使用形成手性 向列相。作為光學(xué)補(bǔ)償中使用的光學(xué)各向異性層，優(yōu)選取向有序度高的近晶相。
[0121] 近晶相液晶由于因取向波動導(dǎo)致的光學(xué)各向異性層的散射光去偏振小，因此在需 要lOOnm以上較大延遲的使用中可以更為優(yōu)選地使用。另外，作為近晶相并無特別限定，即 便是SmA、SmB、SmC等液晶分子可取的任何高次元相也可以，可根據(jù)所需的光學(xué)特性適當(dāng)?shù)?選擇。
[0122] 在確認(rèn)液晶化合物是否以近晶相的狀態(tài)被固定時，可以通過利用X射線衍射圖案 進(jìn)行的觀察來實(shí)施。若是以近晶相的狀態(tài)被固定，則可觀察到層秩序來源的X射線衍射圖 案，因此可以辨別是被固定的狀態(tài)。在確認(rèn)液晶化合物是否以向列相的狀態(tài)被固定時，可以 通過利用X射線衍射圖案進(jìn)行的觀察來實(shí)施。若是以向列相的狀態(tài)被固定，則觀測不到層 形成來源的低角側(cè)的尖銳的峰，而是在廣角側(cè)僅觀測到寬的彌散峰（halo peak)，從而可以 辨別是被固定的狀態(tài)。
[0123] 另外，本發(fā)明的光學(xué)各向異性層中上述通式1所示的液晶化合物的分子長軸的取 向狀態(tài)為了獲得所需的相位差，可以選擇水平取向或垂直取向等各種取向狀態(tài)，優(yōu)選以水 平取向被固定。
[0124] 本發(fā)明中，通過將水平取向或大致水平的傾斜取向（以下也稱作（略）水平取向） 狀態(tài)的取向狀態(tài)固定化，可獲得折射率的最大方向與層平面所成角度為10°以下、優(yōu)選為 3°以下、特別優(yōu)選為Γ以下的光學(xué)各向異性層。而通過將垂直取向或大致垂直的傾斜取 向（以下也稱作（略）垂直取向）狀態(tài)的取向狀態(tài)固定化，可獲得折射率的最大方向與層 平面的法線方向所成角度為10°以下、優(yōu)選為3°以下、特別優(yōu)選為Γ以下的光學(xué)各向異 性層。
[0125] 作為本發(fā)明的光學(xué)各向異性層的一個方式，當(dāng)獲得固定化了水平取向的近晶相者 時，可以按照使表現(xiàn)近晶相的通式1所示的化合物為水平取向的方式、在施加取向控制的 狀態(tài)下保持在表現(xiàn)近晶相的溫度等條件下，從而使其為水平取向的近晶相的狀態(tài)，利用聚 合或光交聯(lián)或熱交聯(lián)進(jìn)行固定，由此形成。光學(xué)各向異性層的制造方法的詳細(xì)情況在后敘 述。
[0126] 本發(fā)明的光學(xué)各向異性層具有逆波長分散性。逆波長分散性是指相比較于短波 側(cè)的相位差、長波側(cè)的相位差更大的性質(zhì)。例如，上述分子的長軸的取向狀態(tài)在以大致水 平取向被固定化而成的光學(xué)各向異性層（所謂的A板）中，光學(xué)各向異性層的波長450nm、 550nm、650nm下的相位差Re (450nm)、Re (550nm)、Re (650nm)滿足以下的數(shù)學(xué)式⑴及 (II)。本發(fā)明中，為了提高視野角特性，對于最重要的綠色（550nm)賦予正的雙折射性時的 優(yōu)選的藍(lán)色（450nm)、紅色（650nm)的范圍為數(shù)學(xué)式I及II的范圍。本發(fā)明的光學(xué)各向異 性層中，由于逆波長分散的陡度越高越優(yōu)選，因此優(yōu)選上述相位差Re(450nm)、Re(550nm)、 Re(650nm)滿足下述數(shù)學(xué)式A及B，Re(450nm)/Re(550nm)的值更優(yōu)選滿足下述數(shù)學(xué)式C。 通過具有陡度的逆波長分散性，可以提供高性能的光學(xué)設(shè)備。
[0127] Re (450nm) /Re (550nm) < 1. 0 數(shù)學(xué)式 I
[0128] Re(650nm)/Re(550nm) > 1· 0 數(shù)學(xué)式 II
[0129] Re (450nm) /Re (550nm) < 0. 95 數(shù)學(xué)式 A
[0130] Re (650nm)/Re (550nm) > 1.02 數(shù)學(xué)式 B
[0131] 0· 50 彡 Re (450nm) /Re (550nm) < 0· 90 數(shù)學(xué)式 C
[0132] 為了獲得滿足上述數(shù)學(xué)式I及II的光學(xué)各向異性層，需要巧妙地配置取向方向和 正交方向上的吸收波長和躍迀矩的方向。
[0133] 折射率的波長分散性如Lorentz-Lorenz的公式所示，與物質(zhì)的吸收有密切的關(guān) 系。為了使正交方向的波長分散性更向右下方變化，通過與上述的分