本發(fā)明涉及餐具的加工，尤其是一種智能密胺餐具的生產(chǎn)工藝。

背景技術(shù)：

密胺做成塑料餐具具有輕巧、美觀、能耐低溫、耐煮、耐污染、不易跌碎等性能，密胺經(jīng)過處理后制作成的餐具安全可靠，無毒無味，具有較強(qiáng)的硬度，不易摔破，有很強(qiáng)的耐用性。另外一大特點(diǎn)就是容易著色，顏色豐富細(xì)膩。密胺因其綜合性能好，已日益成為人們?nèi)粘Ｉ钣闷罚绕涫遣途邆涫軞g迎的一種產(chǎn)品。

而隨著科技的進(jìn)步，在信息科技發(fā)達(dá)的今天，“信息數(shù)據(jù)化”已經(jīng)日益融入到人們生活的方方面面。智能密胺餐可以通過其自帶的芯片，通過射頻技術(shù)實(shí)現(xiàn)對(duì)所需信號(hào)的獲取，信號(hào)經(jīng)過處理，從而得到想要的數(shù)據(jù)，再借助于相應(yīng)的系統(tǒng)方便地完成工作內(nèi)容。從而極大程度減輕了工作內(nèi)容，提高工作效率及方便了人們的生活和工作。

智能餐具需要設(shè)置有RFID芯片，由于RFID芯片具有極大的敏感性，故在智能餐具生產(chǎn)過程中，芯片因受高溫、高壓、氣壓等作用會(huì)對(duì)芯片線圈、芯片本身造成損壞、芯片工作頻率的降低，以致智盤系統(tǒng)無法識(shí)讀或識(shí)讀錯(cuò)誤的現(xiàn)象，不能獲得正確的數(shù)據(jù)信息。若生產(chǎn)出合格產(chǎn)品，智能餐具的生產(chǎn)工藝是極為重要的一個(gè)環(huán)節(jié)，可靠、優(yōu)良的生產(chǎn)工藝具有重要的意義和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)價(jià)值。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明提供了一種可靠的智能密胺餐具的生產(chǎn)工藝。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采取的技術(shù)方案是智能密胺餐具的生產(chǎn)工藝，包括以下步驟：

原料準(zhǔn)備：稱取所需重量的密胺；

預(yù)熱凝：將密胺加熱至凝固；

第一次加壓：將預(yù)熱凝后的密胺置于模具中，通過模具進(jìn)行加壓，得到半成品；

芯片融合：將智能芯片擱置于半成品上，然后加入預(yù)熱凝后的密胺于模具中，通過模具進(jìn)行第二次加壓，得到成品；芯片線圈外包裹有環(huán)氧樹脂，一方面保護(hù)線圈在高溫下不受傷害；二是壓制過程中芯片受熱，環(huán)氧樹脂融化，從而將芯片固定在密胺餐具中。

芯片在高溫壓制的過程中電阻會(huì)發(fā)生變化，產(chǎn)生0.5-0.7MHZ的下降。故在設(shè)計(jì)芯片的時(shí)候就需要將芯片電阻設(shè)計(jì)為比實(shí)際值略高些，這樣芯片在壓制進(jìn)入密胺餐具后，智能餐盤的電阻能夠符合要求。

所述模具包括上模和下模,下模具中設(shè)計(jì)有放置芯片的槽口。

于本發(fā)明一實(shí)施例中，預(yù)熱凝的時(shí)間為50-60S，溫度為50℃-60℃，加熱至密胺的凝固表面出現(xiàn)細(xì)小紋路。

于本發(fā)明一實(shí)施例中，所述第一次加壓的壓力為135-165Kgf/cm2、溫度為155℃-175℃、時(shí)間為60-100s。

于本發(fā)明一實(shí)施例中，第一次加壓時(shí)所述下模溫度為170℃-175℃，所述上模溫度為165℃-170℃。

于本發(fā)明一實(shí)施例中，智能芯片擱置時(shí)半成品的溫度保持為150℃-175℃。所述智能芯片的中心位于所述餐具中心的1cm處。

于本發(fā)明一實(shí)施例中，所述第二次加壓的壓力為160-185Kgf/cm2、溫度為160℃-180℃、時(shí)間為80-120s。

于本發(fā)明一實(shí)施例中，第二次加壓時(shí)所述上模溫度為170℃-180℃，所述下模溫度為160℃-165℃。第一次加壓時(shí)下模的溫度適當(dāng)高于上模的溫度，而第二次加壓時(shí)下模的溫度應(yīng)適當(dāng)?shù)陀谏夏５臏囟?，同時(shí)，第二次加熱時(shí)下模的溫度不能高于第一次加熱時(shí)上模的溫度。這樣以使得模具中的密胺材料在兩次加壓時(shí)進(jìn)行充分、均勻的熔融流動(dòng)，使得智能芯片能在該溫度模式的設(shè)置下能很好地、無損地被密胺進(jìn)行包裹保證了固化后產(chǎn)品的質(zhì)量和性能更加優(yōu)良。

于本發(fā)明一實(shí)施例中，還包括貼花加金，所述提花加金步驟具體包括以下步驟：

貼花準(zhǔn)備：將貼花進(jìn)行預(yù)烘烤，刷粉后再次烘烤；

壓花：將貼花放置到芯片融合后的密胺餐具表面，壓花的時(shí)間為8-12s，壓力為120-135Kgf/cm2、（溫度為80℃-110℃）；

加金：壓花完成后，在貼花周圍加刷金粉，再次進(jìn)行加壓，時(shí)間為20-30s，壓力為150-160Kgf/cm2、（溫度為80℃-110℃）。

于本發(fā)明一實(shí)施例中，還包括打磨拋光，對(duì)密胺餐具的邊緣和表面進(jìn)行打磨。

于本發(fā)明一實(shí)施例中，第一次加壓時(shí)，放置于模具中的密胺占密胺總原料重量的1/3-1/2。

本發(fā)明具有以下有益效果：

通過對(duì)各個(gè)工序的特殊設(shè)定，通過預(yù)熱凝、第一次加壓、芯片融合三步重點(diǎn)的工藝加工，將智能芯片包裹到所述餐具的特定位置，使其能夠性能穩(wěn)定地進(jìn)行信號(hào)的識(shí)讀。第一次加壓和芯片融合時(shí)上模和下模的溫度及壓力的設(shè)置，能使芯片無損地被密胺包裹，保證了固化后產(chǎn)品的質(zhì)量和性能更加優(yōu)良。

本發(fā)明通過對(duì)各步驟，尤其是加壓時(shí)的各參數(shù)的選擇，避免了在密胺智能餐盤生產(chǎn)過程中因受高溫高壓等對(duì)智能芯片造成損壞及引起的性能降低，導(dǎo)致智盤系統(tǒng)無法識(shí)讀或識(shí)讀錯(cuò)誤的現(xiàn)象；本生產(chǎn)工藝采用特殊設(shè)定的溫度模式、壓力模式及原料加入方式、智能芯片的放入模式等一系列布設(shè)，確保了獲得質(zhì)量合格、性能可靠穩(wěn)定的智能餐盤。

進(jìn)一步地，通過貼花加金步驟各工藝參數(shù)的設(shè)置，保證了在不影響智能餐具識(shí)讀功能的同時(shí)使得產(chǎn)品更加美觀，提高了產(chǎn)品的附加價(jià)值，使產(chǎn)品更具有市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的描述。

實(shí)施例1

稱取120g的密胺粉，以55℃-75℃的溫度將密胺加熱50-60S，直至密胺凝固且密胺的凝固表面出現(xiàn)細(xì)小紋路時(shí)保溫。

將50g預(yù)熱凝后的密胺置于模具中，將上模溫度設(shè)置為165℃，所述下模溫度設(shè)置為170℃，壓力為140-160Kgf/cm2，加壓時(shí)間為70s，得到半成品。

打開上模，保證下模內(nèi)半成品的溫度為160℃-165℃，將智能芯片擱置于半成品上，所述智能芯片的中心位于所述餐具中心的1cm左右處，其中將芯片外包裹有環(huán)氧樹脂，保護(hù)線圈在高溫下不受傷害的同時(shí)使得壓制過程環(huán)氧樹脂融化，從而將芯片固定在密胺餐具中。 芯片電阻設(shè)計(jì)為比實(shí)際值高0.5-0.7MHZ，這樣芯片在壓制進(jìn)入密胺餐具后，智能餐盤的電阻能夠符合要求。然后加入剩下的80g預(yù)熱凝后的密胺于下模中，通過模具進(jìn)行第二次加壓；第二次加壓的壓力為180-185Kgf/cm2、第二次加壓時(shí)所述上模溫度為175℃，所述下模溫度為165℃。

實(shí)施例2

稱取200g的密胺粉，以55℃-75℃的溫度將密胺加熱50-60S，直至密胺凝固且密胺的凝固表面出現(xiàn)細(xì)小紋路時(shí)保溫。

將80g預(yù)熱凝后的密胺置于模具中，將上模溫度設(shè)置為160℃，所述下模溫度設(shè)置為175℃，壓力為135-150Kgf/cm2，加壓時(shí)間為100s，得到半成品。

打開上模，保證下模內(nèi)半成品的溫度為160℃-165℃，將智能芯片擱置于半成品上，所述智能芯片的中心位于所述餐具中心的1cm左右處，其中將芯片外包裹有環(huán)氧樹脂，保護(hù)線圈在高溫下不受傷害的同時(shí)使得壓制過程環(huán)氧樹脂融化，從而將芯片固定在密胺餐具中。 芯片電阻設(shè)計(jì)為比實(shí)際值高0.5-0.7MHZ，這樣芯片在壓制進(jìn)入密胺餐具后，智能餐盤的電阻能夠符合要求。然后加入剩下的120g預(yù)熱凝后的密胺于下模中，通過模具進(jìn)行第二次加壓；第二次加壓的壓力為170-175Kgf/cm2、第二次加壓時(shí)所述上模溫度為180℃，所述下模溫度為160℃。

將貼花進(jìn)行預(yù)烘烤，刷粉后再次烘烤，然后將貼花放置到芯片融合后的密胺餐具表面，壓花的時(shí)間為8-12s，壓力為120-135Kgf/cm2、（溫度為80℃-110℃）。

壓花完成后，在貼花周圍加刷金粉，再次進(jìn)行加壓，時(shí)間為20-30s，壓力為150-160Kgf/cm2、（溫度為80℃-110℃）。

最后對(duì)密胺餐具的邊緣和各個(gè)表面進(jìn)行打磨、拋光。

實(shí)施例3

稱取100g的密胺粉，以55℃-75℃的溫度將密胺加熱50-60S，直至密胺凝固且密胺的凝固表面出現(xiàn)細(xì)小紋路時(shí)保溫。

將50g預(yù)熱凝后的密胺置于模具中，將上模溫度設(shè)置為155℃，所述下模溫度設(shè)置為175℃，壓力為155-165Kgf/cm2，加壓時(shí)間為60s，得到半成品。

打開上模，保證下模內(nèi)半成品的溫度為160℃-165℃，將智能芯片擱置于半成品上，所述智能芯片的中心位于所述餐具中心的1cm左右處，其中將芯片外包裹有環(huán)氧樹脂，保護(hù)線圈在高溫下不受傷害的同時(shí)使得壓制過程環(huán)氧樹脂融化，從而將芯片固定在密胺餐具中。 芯片電阻設(shè)計(jì)為比實(shí)際值高0.5-0.7MHZ，這樣芯片在壓制進(jìn)入密胺餐具后，智能餐盤的電阻能夠符合要求。然后加入剩下的50g預(yù)熱凝后的密胺于下模中，通過模具進(jìn)行第二次加壓；第二次加壓的壓力為160-170Kgf/cm2、第二次加壓時(shí)所述上模溫度為175℃，所述下模溫度為165℃。

然后將貼花放置到芯片融合后的密胺餐具表面，壓花的時(shí)間為8-12s，壓力為120-135Kgf/cm2、（溫度為80℃-110℃）。

壓花完成后，在貼花周圍加刷金粉，再次進(jìn)行加壓，時(shí)間為20-30s，壓力為150-160Kgf/cm2、（溫度為80℃-110℃）。

最后，對(duì)密胺餐具的邊緣和各個(gè)表面進(jìn)行打磨、拋光，得到最終產(chǎn)品。

嵌入到密胺餐具中的智能芯片是由一個(gè)天線（線圈）和一塊環(huán)氧樹脂膠進(jìn)行外包裹的RFID芯片構(gòu)成。在智盤餐具生產(chǎn)過程中芯片因受高溫、高壓、氣壓等作用會(huì)對(duì)芯片線圈、芯片本身造成損壞、芯片工作頻率的降低，以致智盤系統(tǒng)無法識(shí)讀或識(shí)讀錯(cuò)誤的現(xiàn)象，從而不能獲得正確的數(shù)據(jù)信息

本發(fā)明通過合理而優(yōu)化的生產(chǎn)工藝，在密胺工具的模壓過程中，成功實(shí)現(xiàn)了將智能芯片性能完好地包裹到密胺餐具中，得到質(zhì)量?jī)?yōu)異、性能穩(wěn)定的智能餐盤，能根據(jù)人們預(yù)先設(shè)定的程序需要實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的讀取，極大有助于人們獲得更加高效、便捷的日常生活和工作，提高了人們的生活質(zhì)量和工作效率。

上述具體實(shí)施例只是用來解釋說明本發(fā)明，而非是對(duì)本發(fā)明進(jìn)行限制，在本發(fā)明的宗旨和權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)，對(duì)本發(fā)明做出的任何不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的替換和改變，皆落入本發(fā)明專利的保護(hù)范圍。