技術(shù)特征：

1.一種氮化物半導(dǎo)體模板，其為具有基板和含氯的氮化物半導(dǎo)體層的氮化物半導(dǎo)體模板，所述含氯的氮化物半導(dǎo)體層中鐵濃度小于1×10¹⁷cm^-3。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體模板，其中，X射線衍射的(0004)面的半值寬度為200秒以上300秒以下。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氮化物半導(dǎo)體模板，其中，具備以Si濃度為5×10¹⁸cm^-3～5×10¹⁹cm^-3的范圍摻雜有Si的Si摻雜GaN層。